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本发明提供了一种半导体结构的形成方法，在衬底上顺次形成金属导电层、牺牲层及图形化的光刻胶层，以所述图形化的光刻胶层为掩模对所述金属导电层及所述牺牲层进行图形化；然后再利用有机溶剂去除所述图形化的光刻胶层，最后再去除剩余的所述牺牲层。本发明在...
该专利属于中芯集成电路（宁波）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路（宁波）有限公司授权不得商用。

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