存储器、存储器控制方法和系统技术方案

公开了一种存储器、存储器控制方法和相应系统。存储器包括：存储单元阵列；以及存储单元阵列操作模块，包括：读操作模块，响应于存储器接收到存储单元阵列读指令而被使能，并且用于对存储单元阵列进行读取操作；擦除操作模块，响应于存储器接收到存储单元阵列擦除指令而被使能，并且用于对存储单元阵列进行擦除操作；和编程操作模块，响应于存储器接收到存储单元阵列编程指令而被使能，并且用于对存储单元阵列进行编程操作。通过独立设置的读操作、编程操作和擦除操作控制模块，并使其仅在接收到相应指令并执行该指令期间时被使能，本发明专利技术能够减少执行存储阵列操作指令时需要使能的逻辑控制电路数量，从而降低存储器的整体功耗。耗。耗。

【技术实现步骤摘要】
存储器、存储器控制方法和系统


[0001]本公开涉及存储器领域，尤其涉及一种存储器、存储器控制方法和相应系统。

技术介绍

[0002]闪存(Flash)，以其高存储密度，高可靠性和低功耗的特性，在现今得到愈发广泛的应用。闪存包括NAND闪存和NOR闪存。NOR闪存又可被称为代码型存储器，通常配合微控制器使用，支持芯片内执行(XIP，eXecute In Place)，并在汽车电子、可穿戴设备、智能家电、家用医疗设备等方向有着广泛的应用。NAND闪存则广泛应用在各种存储卡、U盘、SSD和eMMC等大容量设备中。随着设备性能和集成度的提高，以及分布式应用的特点，更换电池或频繁充电会带来诸多不便。因此，如何延长电池使用时间以及降低器件功耗是闪存应用目前面临的一个重要挑战。

技术实现思路

[0003]本公开要解决的一个技术问题是提供一种改进的存储器、存储器控制方法和相应系统。本专利技术的存储器可以包括独立设置的读操作、编程操作和擦除操作模块，并且各操作模块仅在接收到相应指令时被使能。由此减少执行存储阵列操作指令时需要使能的逻辑控制电路数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，包括：存储单元阵列；以及存储单元阵列操作模块，所述操作模块包括：读操作模块，响应于所述存储器接收到存储单元阵列读指令而被使能，并且用于对所述存储单元阵列进行读取操作；编程操作模块，响应于所述存储器接收到存储单元阵列编程指令而被使能，并且用于对所述存储单元阵列进行编程操作；和擦除操作模块，响应于所述存储器接收到存储单元阵列擦除指令而被使能，并且用于对所述存储单元阵列进行擦除操作。2.如权利要求1所述的存储器，其中，响应于所述读取操作执行完成禁用所述读操作模块，响应于所述编程操作执行完成禁用所述编程操作模块，并且响应于所述擦除操作执行完成禁用所述擦除操作模块。3.如权利要求1所述的存储器，其中，所述读操作模块包括：读电压泵，用于产生读操作中需要使用的电压；以及读控制电路，用于对所述存储单元阵列的数据读取操作进行控制。4.如权利要求3所述的存储器，其中，所述读控制电路包括：读操作使能信号电路，用于对读操作中使用的电压进行使能控制。5.如权利要求3所述的存储器，其中，所述读电压泵在擦除操作和/或编程操作的验证子操作中使能。6.如权利要求1所述的存储器，其中，所述编程操作模块包括：编程电压泵，用于产生编程操作中需要使用的电压；以及编程控制电路，用于对所述存储单元阵列的数据编程操作进行控制。7.如权利要求1所述的存储器，其中，所述擦除操作模块包括：擦除电压泵，用于产生擦除操作中需要使用的电压；以及擦除控制电路，用于对...

【专利技术属性】
技术研发人员：张君敬，陈立刚，刘江，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：