存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

本技术包括存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括：存储器块，其包括多个页；电压发生器，其被配置为生成向多个页当中的被选页施加的编程电压或验证电压；页缓冲器，其通过位线连接到被选页，并被配置为在验证操作期间执行对位线的预充电操作、评估操作和感测操作；以及控制电路，其被配置为存储慢页的页地址并且根据页地址来调整评估操作的评估时间，每个慢页的编程操作速度比多个页的平均编程速度慢。慢。慢。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法


[0001]本公开涉及存储器装置及其操作方法，更具体地，涉及能够执行编程操作的存储器装置及其操作方法。

技术介绍

[0002]存储器装置可以包括当电源被切断时存储的数据丢失的易失性存储器装置以及即使电源被切断也保持所存储的数据的非易失性存储器装置。
[0003]易失性存储器装置可以包括动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)。非易失性存储器装置可以包括只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除PROM(EPROM)、电EPROM(EEPROM)、NAND闪存等。
[0004]存储器装置可以包括存储器单元阵列、统称为外围电路的一组电路以及逻辑电路。
[0005]存储器单元阵列可以包括存储数据的多个存储器单元。就储存容量而言，存储器单元阵列可以由各种类型的存储器单元中的任何一种来配置。单级单元(SLC)能够存储一位数据，多级单元(MLC)能够存储两位数据，三级单元(TLC)能够存储三位数据，并且四级单元(QLC)能够存储四位数据。

技术实现思路

[0006]本公开的实施方式提供能够在考虑慢单元和快单元的特性的情况下，通过调整编程操作来提高存储器装置的可靠性的存储器装置及操作该存储器装置的方法。
[0007]根据本公开的实施方式的存储器装置包括：存储器块，其包括多个页；电压发生器，其被配置为生成向多个页当中的被选页施加的编程电压或验证电压；页缓冲器，其通过位线连接到被选页，并被配置为在验证操作期间执行对位线的预充电操作、评估操作和感测操作；以及控制电路，其被配置为存储慢页的页地址并且根据页地址来调整评估操作的评估时间，每个慢页的编程操作速度比多个页的平均编程速度慢。
[0008]根据本公开的实施方式的操作存储器装置的方法包括以下步骤：根据编程操作速度，将多个页中的每个页归类为快页或慢页；以及当被选页为快页时，执行编程操作的验证操作以使得在第一评估时间期间执行评估操作，并且当被选页为慢页时，执行验证操作以使得在比第一评估时间短的第二评估时间期间执行评估操作，其中，当验证操作已经通过时，结束编程操作，并且当验证操作失败时，重复进行归类和执行直到验证操作通过为止。
[0009]根据本公开的实施方式的操作存储器装置的方法包括以下步骤：根据编程操作速度，将多个页中的每个页归类为快页或慢页；以及当被选页是快页时，执行编程操作的验证操作以使得在第一评估时间期间执行评估操作；以及当被选页为慢页时，执行验证操作以使得基于第一评估时间执行评估操作，并且当在慢页的编程操作期间到达参考时间点时执行验证操作以使得在比第一评估时间短的第二评估时间期间执行评估操作，其中，当验证操作已经通过时，结束编程操作，并且当验证操作失败时，重复进行归类和执行直到验证操
作通过为止。
[0010]根据本公开的实施方式的存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个页；以及控制电路，其被配置为对多个页当中的目标页执行编程操作，基于编程操作的结果确定目标页是慢页还是快页，并基于确定结果执行编程操作的验证操作，其中，验证操作包括：当目标页为慢页时，依据第一评估时间执行的评估操作；以及当目标页是快页时，依据比第一评估时间短的第二评估时间执行的评估操作。
[0011]本技术通过考虑慢单元和快单元的特性来控制编程操作，可以提高存储器装置的可靠性。
附图说明
[0012]图1是例示了根据本公开的实施方式的存储器系统的图。
[0013]图2是例示了根据本公开的实施方式的存储器装置的图。
[0014]图3是例示了存储器单元阵列和页缓冲器组的图。
[0015]图4是例示了存储器块的图。
[0016]图5是例示了存储器单元的阈值电压根据编程电压变化的图。
[0017]图6是例示了慢单元和快单元根据相同编程电压的阈值电压变化的图。
[0018]图7是例示了将存储器块的每个页归类为慢页或快页的方法的图。
[0019]图8是例示了根据本公开的实施方式的控制电路的图。
[0020]图9是例示了根据本公开的实施方式的操作存储器装置的方法的流程图。
[0021]图10是例示了根据本公开的实施方式的编程操作的流程图。
[0022]图11是例示了诸如图10的慢页编程操作的另一实施方式的流程图。
[0023]图12是例示了在验证操作期间页缓冲器的操作序列的图。
[0024]图13是例示了在验证操作期间的评估操作的图。
[0025]图14是例示了根据本公开的实施方式的慢单元和快单元的编程操作的图。
[0026]图15是例示了将存储器块的页归类为慢组的一部分或快组的一部分的方法的图。
[0027]图16是例示了根据本公开的实施方式的控制电路的图。
[0028]图17是例示了根据编程脉冲的数量来调整执行评估操作的时间的实施方式的图。
[0029]图18是例示了根据存储器单元的阈值电压来控制执行评估操作的时间的实施方式的图。
[0030]图19是例示了根据本公开的另一实施方式的存储器系统的图。
具体实施方式
[0031]贯穿说明书，对“实施方式”、“另一实施方式”等的引用不一定仅是一个实施方式，并且对任何这样的短语的不同引用不一定是相同实施方式。
[0032]图1是例示了根据本公开的实施方式的存储器系统1000的图。
[0033]参照图1，存储器系统1000可以包括存储数据的储存器以及控制储存器的控制器1200。
[0034]储存器可以包括分别通过多个通道与控制器1200通信的多个存储器装置1100。
[0035]控制器1200可以通过(多个)通道向一个或更多个存储器装置1100发送命令CMD和
数据DATA，并且还可以发送地址。例如，控制器1200可以根据来自主机2000的请求RQ向一个或更多个存储器装置1100发送命令CMD。此外，控制器1200甚至可以在没有来自主机2000的请求的情况下，执行用于提高存储器系统1000的性能的后台操作。主机2000可以生成对各种操作的请求，并且可以将所生成的请求输出给存储器系统1000。例如，主机2000可以发送指示存储器系统1000执行编程操作、读取操作、擦除操作等的请求。当主机2000将要被编程的数据DATA与关于编程操作的请求RQ一起输出时，控制器1200可以将在编程操作中要使用的数据DATA与命令CMD一起发送给存储器装置1100。
[0036]主机2000可以通过诸如以下各种接口中的任何一种与存储器系统1000通信：快速外围组件互连(PCIe)、高级技术附件(ATA)、串行ATA(SATA)、并行ATA(PATA)、串行附接SCSI(SAS)、快速非易失性存储器(NVMe)、通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、增强型小型磁盘接口(ESDI)或集成驱动电子器件(IDE)。
[0037]图2是例示了根据本公开的实施方式的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器块，该存储器块包括多个页；电压发生器，该电压发生器被配置为生成向所述多个页当中的被选页施加的编程电压或验证电压；页缓冲器，该页缓冲器通过位线连接到所述被选页，并被配置为在验证操作期间执行对所述位线的预充电操作、评估操作和感测操作；以及控制电路，该控制电路被配置为存储慢页的页地址并且根据所述页地址来调整所述评估操作的评估时间，每个所述慢页的编程操作速度比所述多个页的平均编程速度慢。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制电路包括：地址解码器，该地址解码器被配置为对地址进行解码并输出行地址和列地址；地址寄存器，该地址寄存器被配置为存储所述页地址；页缓冲器控制器，该页缓冲器控制器被配置为响应于页缓冲器控制码而输出用于控制所述页缓冲器的页缓冲器控制信号；电压发生器控制器，该电压发生器控制器被配置为响应于电压发生器控制码而输出用于控制所述电压发生器的操作码；以及操作控制器，该操作控制器被配置为响应于命令而执行用于编程操作的算法，将所述行地址中的页地址与所述地址寄存器中存储的所述页地址进行比较，并输出所述页缓冲器控制码和所述电压发生器控制码以使得根据比较结果调整所述评估时间。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述电压发生器根据所述操作码来设置所述验证电压的电平，并调整输出所述验证电压的时间。4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述页缓冲器根据所述页缓冲器控制信号来控制所述预充电操作、所述评估操作和所述感测操作。5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述页缓冲器在所述预充电操作期间将所述位线预充电至正电压，在第一评估时间或比所述第一评估时间短的第二评估时间期间执行所述评估操作，使得所述被选页中的存储器单元的阈值电压被反映在所述位线上，并且执行感测对其执行了所述评估操作的位线的电压或电流并将与感测结果相对应的数据存储在锁存器中的感测操作。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，当在所述地址寄存器中所存储的所述页地址当中不存在与所述行地址中的页地址相同的地址时，所述操作控制器输出所述页缓冲器控制码和所述电压发生器控制码，以使得在所述第一评估时间期间执行所述评估操作。7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，当在所述地址寄存器中所存储的所述页地址当中存在与所述行地址中的页地址相同的地址时，所述操作控制器输出所述页缓冲器控制码和所述电压发生器控制码，以使得在所述第二评估时间期间执行所述评估操作。8.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述操作控制器输出所述页缓冲器控制码和所述电压发生器控制码，以使得在所述第二评估时间期间执行所述评估操作，并且执行所述评估操作直到慢页的编程操作完成。9.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述操作控制器输出所述页缓冲器控制码和所述电压发生器控制码，以使得在从慢页的编程操作开始到参考时间点的所述第一评估时间期间执行所述评估操作，以及输出所述页缓冲器控制码和所述电压发生器控制码，以
使得在从所述参考时间点到所述编程操作结束的所述第二评估时间期间执行所述评估操作。10.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：根据编程操作速度，将多个页中的每个页归类为快页或慢页；以及当被选页为...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞政昊，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：