存储器器件及其操作方法技术

一种存储器器件包括存储器单元阵列、多条位线、电流控制电路和放电使能电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元列。多条位线分别耦合到多个存储器单元列。电流控制电路耦合到多条位线，以控制放电操作中的放电电流。放电使能电路耦合到电流控制电路以使能放电操作。放电操作对多条位线上的电荷放电。电操作对多条位线上的电荷放电。电操作对多条位线上的电荷放电。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器器件及其操作方法

技术介绍

[0001]本公开涉及存储器器件及其操作方法。
[0002]闪存存储器是一种可以被电擦除和重新编程的低成本、高密度、非易失性的固态存储介质。闪存存储器包括NOR闪存存储器和NAND闪存存储器。可以由闪存存储器执行各种操作，例如，读取、编程(写入)和擦除，以将每个存储器单元的阈值电压改变为期望电平。在闪存存储器的读取/编程/擦除操作期间，在算法结束时必须对闪存存储器的位线放电。需要放电的电荷量由位线的数量确定。

技术实现思路

[0003]本文公开了存储器器件和操作方法。
[0004]在一个方面中，公开了一种存储器器件。存储器器件包括存储器单元阵列、多条位线、电流控制电路和放电使能电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元列。多条位线分别耦合到多个存储器单元列。电流控制电路耦合到多条位线，以控制放电操作中的放电电流。放电使能电路耦合到电流控制电路以使能放电操作。放电操作对多条位线上的电荷放电。
[0005]在另一个方面中，公开了一种存储器系统。存储器系统包括用于存储数据的存储器器件。存储器器件包括存储器单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储器器件，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元列；多条位线，所述多条位线分别耦合到所述多个存储器单元列；电流控制电路，所述电流控制电路耦合到所述多条位线以控制放电操作中的放电电流，其中，所述放电操作对所述多条位线上的电荷放电；以及放电使能电路，所述放电使能电路耦合到所述电流控制电路以使能所述放电操作。2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述电流控制电路包括电流镜，所述电流镜具有与参考电流匹配的放电电流，以在所述放电操作中对所述多条位线放电。3.根据权利要求1或2所述的存储器器件，其中，所述电流控制电路包括：第一晶体管集，所述第一晶体管集具有多个第一晶体管，每个第一晶体管耦合到所述多条位线中的一条位线；以及参考电流发生器，所述参考电流发生器耦合到所述第一晶体管集，以在所述放电操作中控制每个第一晶体管的放电电流。4.根据权利要求1
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3中的任何一项所述的存储器器件，其中，所述参考电流发生器包括提供所述参考电流的恒定电流源，并且每个第一晶体管具有与所述参考电流匹配的所述放电电流，以对所述多条位线中的一条位线放电。5.根据权利要求1
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4中的任何一项所述的存储器器件，其中，所述电流控制电路还包括：隔离信号输入，所述隔离信号输入耦合到所述第一晶体管集，以在所述存储器器件不处于所述放电操作中时，使所述多个第一晶体管关断，并且将所述多条位线与所述放电使能电路隔离。6.根据权利要求1
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5中的任何一项所述的存储器器件，其中，所述电流控制电路还包括：多路复用器，所述多路复用器耦合在所述参考电流发生器、所述隔离信号输入和所述第一晶体管集之间，其中，所述参考电流发生器在所述放电操作中通过所述多路复用器耦合到所述第一晶体管集，并且在所述存储器器件不处于所述放电操作中时，所述隔离信号输入通过所述多路复用器耦合到所述第一晶体管集。7.根据权利要求1
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6中的任何一项所述的存储器器件，其中，所述多个第一晶体管是高电压晶体管。8.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述放电使能电路包括多个第二晶体管，每个第二晶体管通过所述电流控制电路耦合到所述多条位线中的一条位线。9.根据权利要求1或8所述的存储器器件，其中，每个第二晶体管还耦合到地电压源。10.根据权利要求1和权利要求8
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9中的任何一项所述的存储器器件，其中，每个第二晶体管由放电使能信号控制，以在所述放电操作中接通所述放电使能电路。11.根据权利要求1和权利要求8
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10中的任何一项所述的存储器器件，其中，所述多个第二晶体管是低电压晶体管。12.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述多条位线被划分为多个群组，并且所述放电使能电路被配置为提供多个交错信号，以顺序地对所述多条位线的所述多个群组执
行所述放电操作。13.根据权利要求12所述的存储器器件，其中，所述放电使能电路包括串联的多个延迟元件，以用于提供所述放电使能信号的不同延迟。14.根据权利要求13所述的存储器器件，其中，所述多个延迟元件中的每一个是数字时钟延迟器件或模拟时钟延迟器件。15.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述放电使能电路是所述存储器器件的外围电路。16.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述放电使能电路在所述存储器器件的页缓冲器电路中。17.根据权利要求2所述的存储器器件，其中，所述参考电流是恒定电流。18.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述电流控制电路被配置为控制所述放电电流，以匹配所述放电操作中的恒定电流源。19.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述存储器器件是三维(3D)NAND闪存存储器器件，并且所述存储器单元列对应于所述3D NAND闪存存储器器件的NAND存储器串。20.一种存储器系统，包括：被配置为存储数据的存储器器件，所述存储器器件包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元列；多条位线，所述多条位线分别耦合到所述多个存储器单元列；以及位线放电电路，所述位线放电电路耦合到所述多条位线，所述位线放电电路包括：多个第一晶体管，每个第一晶体管耦合到所述多条位线中的一条位线和参考电流发生器，以在放电操作中向所述多条位线中的所述一条位线提供放电电流，其中，所述放电操作对所述多条位线上的电荷放电；以及多个第二晶体管，每个...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔梁，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：