基片集成波导的滤波器、天线装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基片集成波导的滤波器和天线装置，属于波导滤波器技术领域。本发明专利技术提供的一种基片集成波导的滤波器，具体周边区域和中间区域，包括第一基板、第二基板、多个导电支撑柱和介质层；其中，第一基板和第二基板相对设置，多个导电支撑柱设置在第一基板和第二基板之间，且设置在周边区域，其中，相邻的导电支撑柱之间的间距小于传输的电磁波的波长；介质层位于第一基板、第二基板之间，第一基板和第二基板之间的电场能够改变介质层的介电常数，从而能够调节滤波器的频率。由于控制第一基板和第二基板之间形成的电场，能够改变矩形波导中传输的电磁波的频率，因此能够实现更方便快捷地调频的基片集成波导的滤波器。便快捷地调频的基片集成波导的滤波器。便快捷地调频的基片集成波导的滤波器。

【技术实现步骤摘要】
基片集成波导的滤波器、天线装置


[0001]本专利技术属于波导滤波器
，具体涉及一种基片集成波导的滤波器、 天线装置。

技术介绍

[0002]基片集成波导滤波器通常具有介质基板，和设置在介质基板上下两侧的金 属层，介质基板的周边区域具有多个周期性排列的金属通孔，金属通孔贯穿介 质基板连接上下两层金属，从而金属通孔和上下两层金属周形成矩形波导的谐 振腔，电磁波在谐振腔的空间中传播。而相关技术中，难以制作能够调节频率 的滤波器，或采用机械调节的方式(例如螺钉调节)来实现滤波器的调频。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种基片集成 波导的滤波器，其能够通过控制第一基板和第二基板之间的电场来调节基片集 成波导的滤波器的频率，从而能够更方便快捷地调节基片集成波导的滤波器的 频率。
[0004]解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种基片集成波导的滤波器，具 有中间区域，和围绕所述中间区域的周边区域；该滤波器包括：
[0005]第一基板；
[0006]第二基板，与所述第一基板相对设置；
[0007]多个导电支撑柱，设置在所述第一基板和所述第二基板之间，且围绕所述 中间区域设置在所述周边区域，其中，相邻的所述导电支撑柱之间的间距小于 传输的电磁波的波长；
[0008]介质层，位于所述第一基板和所述第二基板之间，所述第一基板和第二基 板之间的电场能够改变所述介质层的介电常数，以调节所述滤波器的频率。
[0009]本专利技术提供的基片集成波导的滤波器，由于多个导电支撑柱环绕一圈设置 在周边区域，且设置在第一基板、第二基板之间，而相邻导电支撑柱之间的间 距小于滤波器传输的电磁波的波长，因此多个导电支撑柱能够在周边区域形成 金属壁，并与第一基板、第二基板上的导电层形成矩形波导；又由于在第一基 板、第二基板之间具有介质层，第一基板、第二基板之间的电场能够改变介质 层的介电常数，因此能够调节滤波器的频率，从而通过控制第一基板和第二基 板之间形成的电场，来改变矩形波导中传输的电磁波的频率，进而实现更方便 快捷地调频的基片集成波导的滤波器。
[0010]优选的是，所述第一基板包括：第一基底，设置在所述第一基底靠近所述 第二基板一侧的第一导电层；
[0011]所述第二基板包括：第二基底，设置在所述第二基底靠近所述第一基板一 侧的第二导电层。
[0012]优选的是，所述第一导电层上具有多个镂空部，每个镂空部中设置有一个 第一绝
缘结构，所述第一绝缘结构与所述导电支撑柱一一对应；
[0013]和/或，所述第二导电层上具有多个镂空部，每个镂空部中设置有一个第二 绝缘结构，所述第二绝缘结构与所述导电支撑柱一一对应；
[0014]每个所述导电支撑柱的一端连接所述第一绝缘结构，所述第一绝缘结构使 所述导电支撑柱和所述第一导电层互相绝缘；和/或，每个所述导电支撑柱的另 一端连接所述第二绝缘结构，所述第二绝缘结构使所述导电支撑柱和所述第二 导电层互相绝缘。
[0015]优选的是，所述介质层包括多个液晶分子。
[0016]优选的是，还包括：至少一个附加导电支撑柱，设置在所述第一基板和所 述第二基板之间，且设置在所述中间区域。
[0017]优选的是，还包括：一个附加导电支撑柱，设置在所述第一基板与所述第 二基板之间，且设置在所述中间区域的中心。
[0018]优选的是，所述导电支撑柱包括主体，和设置在主体外层的导电膜层；其 中，
[0019]所述主体的材料的单位质量，小于所述导电膜层的材料的单位质量。
[0020]优选的是，所述主体的材料包括树脂。
[0021]优选的是，所述第一基板包括：第一基底，设置在所述第一基底靠近所述 第二基板一侧的第一导电层；
[0022]所述第二基板包括：第二基底，设置在所述第二基底靠近所述第一基板一 侧的第二导电层。
[0023]所述第一基底与所述第一导电层采用同种导电材料，二者为一体结构；
[0024]和/或，所述第二基底与所属第二导电层采用同种材料，二者为一体结构。
[0025]优选的是，所述第一基底、所述第二基底均为玻璃基底；所述第一导电层、 所述第二导电层均为金属导电层。
[0026]相应地，本专利技术还提供一种天线装置，包括上述基片集成波导的滤波器。
附图说明
[0027]图1为本专利技术提供的基片集成波导滤波器的一种实施例的俯视图；
[0028]图2为本专利技术提供的基片集成波导滤波器的一种实施例的侧视图(沿B-C 方向剖切)；
[0029]图3为本专利技术提供的基片集成波导滤波器的一种实施例的结构参数示意图；
[0030]图4为本专利技术提供的基片集成波导滤波器的等效矩形波导的结构示意图；
[0031]图5为本专利技术提供的基片集成波导滤波器的一种实施例的层结构示意图；
[0032]图6为本专利技术提供的基片集成波导滤波器的一种实施例的俯视图；
[0033]图7为本专利技术提供的基片集成波导滤波器的另一种实施例的俯视图；
[0034]图8为图7所示的基片集成波导滤波器的等效电抗电路图；
[0035]图9为本专利技术提供的基片集成波导滤波器的一种实施例的层结构示意图(双 层结构的导电支撑柱)；
[0036]图10为本专利技术提供的基片集成波导滤波器的导电支撑柱的一种实施例的结 构示意图；
[0037]图11为沿图10中E-F剖切的的截面图。
具体实施方式
[0038]为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体 实施方式对本专利技术作进一步详细描述。
[0039]附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是为了便于对本专利技术 实施例的内容的理解。
[0040]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领 域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第 二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不 同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量 限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现 该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同， 而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于 物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
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上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象 的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0041]第一方面，如图1、图2所示，本实施例提供一种基片集成波导(SubstrateIntegrated Waveguide，SIW)的滤波器，图1为本实施例中SIW的滤波器的俯 视图，图2为沿图1中B-C剖切的侧视图。参见图1，SIW滤波器具有中间区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片集成波导的滤波器，具有中间区域，和围绕所述中间区域的周边区域；其特征在于，包括：第一基板；第二基板，与所述第一基板相对设置；多个导电支撑柱，设置在所述第一基板和所述第二基板之间，且围绕所述中间区域设置在所述周边区域，其中，相邻的所述导电支撑柱之间的间距小于传输的电磁波的波长；介质层，位于所述第一基板和所述第二基板之间，所述第一基板和第二基板之间的电场能够改变所述介质层的介电常数，以调节所述滤波器的频率。2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一基板包括：第一基底，设置在所述第一基底靠近所述第二基板一侧的第一导电层；所述第二基板包括：第二基底，设置在所述第二基底靠近所述第一基板一侧的第二导电层。3.根据权利要求2所述的滤波器，其特征在于，所述第一导电层上具有多个镂空部，每个镂空部中设置有一个第一绝缘结构，所述第一绝缘结构与所述导电支撑柱一一对应；和/或，所述第二导电层上具有多个镂空部，每个镂空部中设置有一个第二绝缘结构，所述第二绝缘结构与所述导电支撑柱一一对应；每个所述导电支撑柱的一端连接所述第一绝缘结构，所述第一绝缘结构使所述导电支撑柱和所述第一导电层互相绝缘；和/或，每个所述导电支撑柱的另一端连接所述第二绝缘结构，所述第二绝缘结构使所述导电支撑柱和所述第二导电层互相绝缘。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐粹伟，丁天伦，王瑛，武杰，贾皓程，李亮，李强强，张玮，卫盟，车春城，
申请(专利权)人：北京京东方传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：