一种半导体器件及其制备方法技术

本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件可以包括第一衬底和位于第一衬底一侧的布线层，第一衬底中形成有至少贯穿部分第一衬底的隔离结构，隔离结构沿平行第一衬底表面的方向延伸，隔离结构通常具有较差的机械强度，布线层包括多个加固垫，多个加固垫间隔设置，可以设置加固垫在第一衬底表面的投影和隔离结构所在位置相交，即可以在隔离结构正上方设置多个加固垫，加固垫可以增强隔离结构所在区域的机械强度，从而增强半导体器件的整体机械强度。体机械强度。体机械强度。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]在现有电子产品对于芯片大容量、超薄等需求越来越旺盛，为此，芯片制造工艺在不断改进，芯片堆叠层数增多以满足大容量的要求，同时随着堆叠层数的增多，每层芯片的厚度也必须降低，减薄后的芯片需要具有足够的强度(strength)来保证芯片堆叠的可靠性。然而目前芯片存在强度上的缺陷。

技术实现思路

[0003]为了解决以上技术问题，本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，以提高半导体器件的机械强度。
[0004]本申请实施例提供了一种半导体器件，包括：
[0005]第一衬底；所述第一衬底中形成有至少贯穿部分所述第一衬底的隔离结构，所述隔离结构沿平行所述第一衬底表面的方向延伸；
[0006]位于所述第一衬底一侧的布线层，所述布线层包括多个加固垫，所述多个加固垫间隔设置；所述加固垫在所述第一衬底表面上的投影和所述隔离结构所在位置相交。
[0007]可选的，所述半导体器件还包括：
[0008]位于所述第一衬底一侧的功能层，所述功能层中设置有功能单元；
[0009]所述布线层还包括互连结构，所述互连结构与所述功能单元连接；所述互连结构包括连接线和/或焊盘。
[0010]可选的，所述第一衬底具有有源区，在平行所述第一衬底表面的平面内，所述隔离结构构成环状且包围所述有源区，所述功能单元在所述第一衬底的投影属于所述有源区；所述互连结构在所述第一衬底的投影属于所述有源区。
[0011]可选的，所述加固垫的材料和所述互连结构的材料一致。
[0012]可选的，所述加固垫的排布方向与所述隔离结构在平行所述第一衬底表面的平面内的延伸方向一致。
[0013]可选的，所述功能层为所述第一衬底和所述加固垫之间的第三膜层；
[0014]或，所述功能层包括第一膜层和第二膜层，所述第一膜层位于所述第一衬底背离所述加固垫的一侧，所述第二膜层位于所述第一膜层背离所述加固垫的一侧，所述第一膜层和所述第二膜层之间设置有键合层；所述第二膜层背离所述第一衬底的一侧设置有第二衬底；所述功能单元包括第一膜层中的第一单元和所述第二膜层中的第二单元。
[0015]可选的，所述隔离结构包括沿垂直所述第一衬底表面的方向延伸的导体结构以及所述导体结构侧壁的绝缘结构；或所述隔离结构的材料为绝缘材料。
[0016]本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，包括：
[0017]在第一衬底中形成隔离结构；所述隔离结构至少贯穿部分所述第一衬底，所述隔
离结构沿平行所述第一衬底表面的方向延伸；
[0018]在所述第一衬底一侧形成布线层，所述布线层包括多个加固垫，所述多个加固垫间隔设置；所述加固垫在所述第一衬底表面上的投影和所述隔离结构所在位置相交。
[0019]可选的，所述在所述第一衬底一侧形成布线层，包括：
[0020]在所述第一衬底一侧形成导体层，对所述导体层进行刻蚀形成布线层；
[0021]或，在所述第一衬底一侧形成介质层，对所述介质层进行刻蚀得到布线槽，在所述布线槽中形成导体材料，所述导体材料作为布线层。
[0022]可选的，在所述第一衬底一侧形成布线层之前，还包括：
[0023]在所述第一衬底一侧形成功能层，所述功能层中设置有功能单元；则所述布线层还包括互连结构，所述互连结构与所述功能单元连接；所述互连结构包括连接线和/或焊盘。
[0024]可选的，所述第一衬底具有有源区，在平行所述第一衬底表面的平面内，所述隔离结构构成环状且包围所述有源区，所述功能单元在所述第一衬底的投影属于所述有源区；所述互连结构在所述第一衬底的投影属于所述有源区。
[0025]可选的，所述加固垫的排布方向与所述隔离结构在平行所述第一衬底表面的平面内的延伸方向一致。
[0026]可选的，所述功能层为第一衬底和所述加固垫之间的第三膜层；
[0027]或，所述功能层包括第一膜层和第二膜层，则所述在所述第一衬底一侧形成功能层，包括：
[0028]在第一衬底一侧形成第一膜层，在第二衬底一侧形成第二膜层；
[0029]利用键合工艺通过所述第一膜层和所述第二膜层之间的键合层，将所述第一膜层和所述第二膜层键合在一起，所述第二膜层和所述布线层位于所述第一衬底的不同侧。
[0030]可选的，所述隔离结构的材料为绝缘材料；或，所述隔离结构包括沿垂直所述第一衬底表面的方向延伸的导体结构以及所述导体结构侧壁的绝缘结构；
[0031]在第一衬底中形成隔离结构，包括：
[0032]对所述第一衬底进行刻蚀得到沿垂直所述第一衬底表面的方向贯穿部分所述第一衬底的隔离沟槽；
[0033]在所述隔离沟槽中形成隔离结构。
[0034]本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件可以包括第一衬底和位于第一衬底一侧的布线层，第一衬底中形成有至少贯穿部分第一衬底的隔离结构，隔离结构沿平行第一衬底表面的方向延伸，隔离结构通常具有较差的机械强度，布线层包括多个加固垫，多个加固垫间隔设置，可以设置加固垫在第一衬底表面的投影和隔离结构所在位置相交，即可以在隔离结构正上方设置多个加固垫，加固垫可以增强隔离结构所在区域的机械强度，从而增强半导体器件的整体机械强度。
附图说明
[0035]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据
这些附图获得其它的附图。
[0036]图1为目前一种半导体器件的结构示意图；
[0037]图2为目前一种半导体器件强度示意图；
[0038]图3为本申请实施例提供的一种半导体器件的结构示意图；
[0039]图4为图3中半导体器件沿AA向的剖视示意图；
[0040]图5为本申请实施例提供的另一种半导体器件的剖视示意图；
[0041]图6为本申请实施例提供的一种半导体器件的制造方法的流程示意图。
具体实施方式
[0042]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。
[0043]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
[0044]正如
技术介绍
中的描述，目前芯片存在强度上的缺陷，专利技术人经过研究发现，在半导体器件中，通常会在有源区外围设置一圈隔离结构，例如深沟槽隔离(deep trench isolation，DTI)结构，用于防止一些渗漏(Leakage)和输入输出电容(IO Ca本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一衬底；所述第一衬底中形成有至少贯穿部分所述第一衬底的隔离结构，所述隔离结构沿平行所述第一衬底表面的方向延伸；位于所述第一衬底一侧的布线层，所述布线层包括多个加固垫，所述多个加固垫间隔设置；所述加固垫在所述第一衬底表面上的投影和所述隔离结构所在位置相交。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述第一衬底一侧的功能层，所述功能层中设置有功能单元；所述布线层还包括互连结构，所述互连结构与所述功能单元连接；所述互连结构包括连接线和/或焊盘。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一衬底具有有源区，在平行所述第一衬底表面的平面内，所述隔离结构构成环状且包围所述有源区，所述功能单元在所述第一衬底的投影属于所述有源区；所述互连结构在所述第一衬底的投影属于所述有源区。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述加固垫的材料和所述互连结构的材料一致。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述加固垫的排布方向与所述隔离结构在平行所述第一衬底表面的平面内的延伸方向一致。6.根据权利要求2
‑
4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述功能层为所述第一衬底和所述加固垫之间的第三膜层；或，所述功能层包括第一膜层和第二膜层，所述第一膜层位于所述第一衬底背离所述加固垫的一侧，所述第二膜层位于所述第一膜层背离所述加固垫的一侧，所述第一膜层和所述第二膜层之间设置有键合层；所述第二膜层背离所述第一衬底的一侧设置有第二衬底；所述功能单元包括第一膜层中的第一单元和所述第二膜层中的第二单元。7.根据权利要求1
‑
4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构包括沿垂直所述第一衬底表面的方向延伸的导体结构以及所述导体结构侧壁的绝缘结构；或所述隔离结构的材料为绝缘材料。8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在第一衬底中形成隔离结构；所述隔离结构至少贯穿部分所述第一衬底，所述隔离结构沿平行所述第一衬底表面的方向延伸；在所述第一衬底一侧形成布...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘震，伍术，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：