半导体制程控制装置和控制方法制造方法及图纸

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体制程控制装置和控制方法，至少有利于提高半导体结构的良率。半导体制程控制装置包括：承载台，用于承载晶圆；温控台，温控台用于控制晶圆的温度并环绕承载台设置，且温控台的顶面低于承载台的顶面；至少三个待检测区域，待检测区域间隔设置于温控台的顶面；测距发射单元，用于向待检测区域发送第一信号；待检测区域，用于接收第一信号，并基于第一信号向测距接收单元反射出第二信号；测距接收单元，用于接收第二信号；控制模块，用于获取第一信号和第二信号，并基于第一信号和第二信号获取待检测区域的高度，以判断温控台的顶面相对于承载台顶面的倾斜程度。台顶面的倾斜程度。台顶面的倾斜程度。

【技术实现步骤摘要】
半导体制程控制装置和控制方法


[0001]本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体制程控制装置和控制方法。

技术介绍

[0002]半导体制程控制装置通常包括承载台和温控台。在光刻前，晶圆首先被放置于承载台上，以便温控台能够控制晶圆的温度并量测晶圆的缺角位置，从而为光刻做好前期的准备工作。每完成一次晶圆的温度控制和量测缺角的动作，温控台皆会升降一次。过于频繁的升降运动会造成温控台倾斜进而刮伤晶圆的背面，从而可能会影响晶圆的良率。
[0003]因此，亟需一种半导体制程控制装置和控制方法以监控温控台的倾斜程度，从而避免刮伤晶圆，进而提高晶圆的良率。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种半导体制程控制装置，至少有利于解决避免晶圆被温控台刮伤，进而提高晶圆的良率。
[0005]根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体制程控制装置，包括：承载台，用于承载晶圆；温控台，所述温控台用于控制所述晶圆的温度并环绕所述承载台设置，且所述温控台的顶面低于所述承载台的顶面；至少三个待检测区域，所述待检测区域间隔设置于所述温控台的顶面；测距发射单元，用于向所述待检测区域发送第一信号；所述待检测区域，用于接收所述第一信号，并基于所述第一信号向所述测距接收单元反射出第二信号；测距接收单元，用于接收所述第二信号；控制模块，用于获取所述第一信号和所述第二信号，并基于所述第一信号和所述第二信号获取所述待检测区域的高度，以判断所述温控台的顶面相对于所述承载台顶面的倾斜程度。
[0006]根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种半导体制程控制装置的控制方法，包括：提供前述的半导体制程控制装置；启动所述测距发射单元，所述测距发射单元向所述待检测区域发送第一信号；所述待检测区域接收所述第一信号，并基于所述第一信号向所述测距接收单元反射出第二信号；所述测距接收单元接收所述第二信号；所述控制模块获取所述第一信号和所述第二信号，并基于所述第一信号和所述第二信号获取所述待检测区域的高度，以判断所述温控台的顶面相对于所述承载台的顶面的倾斜程度。
[0007]本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：待检测区域基于测距发射单元发送的第一信号，向测距接收单元反射第二信号。控制单元根据第一信号和第二信号获取待检测区域的高度，从而判断温控台相对于承载台的倾斜程度。如此，有利于及时对温控台的倾斜程度进行监控，并将倾斜的温控台调至水平，从而避免刮伤晶圆。
附图说明
[0008]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
[0009]图1为一种半导体制程控制装置的运行过程的示意图；
[0010]图2为一种半导体制程控制装置中的温控台发生倾斜的示意图；
[0011]图3为本公开一实施例提供的半导体制程控制装置中的温控台和承载台的俯视图；
[0012]图4为本公开一实施例提供的半导体制程控制装置的正视图；
[0013]图5为图4中测距发射单元和测距接收单元的放大图；
[0014]图6为本公开另一实施例提供的半导体制程控制装置的控制方法的流程图。
具体实施方式
[0015]由
技术介绍
可知，亟需一种半导体制程控制装置和控制方法以监控温控台的倾斜程度，从而避免刮伤晶圆，进而提高晶圆的良率。图1为一种半导体制程控制装置的运行过程的示意图。参考图1，S1：晶圆20放置于承载台30的顶面；S2：温控台10上升，以完成对晶圆20的温度控制和缺角的测量；S3：温控台10下降。由此可知，每放置一次晶圆20，温控台10均会升降移动一次。参考图2，在多次升降的过程中，温控台10可能会发生倾斜。由于晶圆20放置在承载台30的顶面，因此，晶圆20平行于承载台30的顶面。当温控台10相对于承载台30倾斜后，温控台10也会相对于晶圆20倾斜，从而刮伤晶圆背部。因此，亟需在半导体制程控制装置中增设温控台倾斜程度的测量装置，以及时纠正倾斜的温控台。
[0016]本公开实施提供一种半导体制程控制装置，半导体制程控制装置还包括待检测区域、测距发射单元、测距接收单元和控制模块。测距发射单元向待检测区域发送第一信号，待检测区域向测距接收单元反射第二信号。控制单元根据第一信号和第二信号判断温控台相对于承载台的倾斜程度。如此，有利于及时检测出倾斜的温控台，从而避免刮伤晶圆。
[0017]下面将结合附图对本公开的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本公开各实施例中，为了使读者更好地理解本公开实施例而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本公开实施例所要求保护的技术方案。
[0018]参考图3至图5，半导体制程控制装置包括：承载台30，用于承载晶圆；温控台10，温控台10用于控制晶圆的温度并环绕承载台30设置，且温控台10的顶面低于承载台30的顶面；至少三个待检测区域11，待检测区域11间隔设置于温控台10的顶面；测距发射单元41，用于向待检测区域11发送第一信号；待检测区域11，用于接收第一信号，并基于第一信号向测距接收单元42反射出第二信号；测距接收单元42，用于接收第二信号；控制模块43，用于获取第一信号和第二信号，并基于第一信号和第二信号获取待检测区域11的高度，以判断温控台10的顶面相对于承载台30顶面的倾斜程度。以下将结合附图对本公开实施例进行更为详细的说明。
[0019]结合参考图3和图4，三个待检测区域11间隔设置于温控台10的顶面。通过比较三个待检测区域11的高度，能够判断温控台10顶面的倾斜程度和倾斜位置。在一些实施例中，三个待检测区域11位于温控台10的顶面的边缘。可以理解的是，若温控台10发生倾斜，则越靠近温控台10边缘的位置的倾斜程度越大。因此，将待检测区域11设置于边缘处，更容易检测出温控台10的倾斜程度，并有利于提高获取倾斜程度的准确性。在另一些实施例中，三个待检测区域11也可以位于温控台10边缘与中心之间的位置。
[0020]在一些实施例中，多个所述待检测区域11到温控台10的中心的距离相同，且相邻待检测区域11的距离相同。即待检测区域11均匀分布于温控台10的顶面，从而便于比较多个待检测区域11之间的高度。在另一些实施例中，多个待检测区域11到温控台10中心的距离也可以不同，多个相邻待检测区域11之间的距离也可以不同。
[0021]测距发射单元41和测距接收单元42相互配合，用于测量待检测区域11的高度。具体地，测距发射单元41向待检测区域11发送第一信号，待检测区域11基于第一信号向测距接收单元反射第二信号，通过第一信号和第二信号获取待检测区域11的高度。
[0022]在一些实施例中，测距发射单元41包括发光单元，第一信号包括第一光信号和第一光信号的发射时间点；测距接收单元42包括感光单元，第二信号包括第二光信号和第二光信号的接收时间点；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制程控制装置，其特征在于，包括：承载台，用于承载晶圆；温控台，所述温控台用于控制所述晶圆的温度并环绕所述承载台设置，且所述温控台的顶面低于所述承载台的顶面；至少三个待检测区域，所述待检测区域间隔设置于所述温控台的顶面；测距发射单元，用于向所述待检测区域发送第一信号；所述待检测区域，用于接收所述第一信号，并基于所述第一信号向所述测距接收单元反射出第二信号；测距接收单元，用于接收所述第二信号；控制模块，用于获取所述第一信号和所述第二信号，并基于所述第一信号和所述第二信号获取所述待检测区域的高度，以判断所述温控台的顶面相对于所述承载台顶面的倾斜程度。2.根据权利要求1所述的半导体制程控制装置，其特征在于，所述待检测区域位于所述温控台的顶面的边缘。3.根据权利要求1所述的半导体制程控制装置，其特征在于，多个所述待检测区域到所述温控台的中心的距离相同，且相邻所述待检测区域的距离相同。4.根据权利要求1所述的半导体制程控制装置，其特征在于，还包括：基准检测区域，所述基准检测区域设置于所述承载台的顶面；所述测距发射单元还用于向所述基准检测区域发射第三信号；所述基准检测区域用于接收所述第三信号，并基于所述第三信号向所述测距接收单元反射出第四信号；所述测距接收单元还用于接收所述第四信号；所述控制模块还用于，基于所述第三信号和所述第四信号获取所述基准检测区域的高度，并计算所述基准检测区域与所述待检测区域的高度差值以判断所述温控台的顶面相对于所述承载台的顶面的倾斜程度。5.根据权利要求4所述的半导体制程控制装置，其特征在于，所述基准检测区域位于所述承载台的中心；在垂直于所述温控台顶面的方向上，所述温控台的中心轴线与所述承载台的中心轴线重合。6.根据权利要求1所述的半导体制程控制装置，其特征在于，所述半导体制程控制装置包括一个所述测距发射单元和一个所述测距接收单元，一个所述测距发射单元用于向所有所述待检测区域发送所述第一信号；一个所述测距接收单元用于接收所有所述待检测区域反射的所述第二信号。7.根据权利要求6所述的半导体制程控制装置，其特征在于，所述测距发射单元和所述测距接收单元集成在同一模块中。8.根据权利要求1所述的半导体制程控制装置，其特征在于，还包括：定位装置，所述定位装置用于侦测所述待检测区域的位置；所述测距发射单元还用于，基于所述定位装置侦测的所述待检测区域的位置向所述检测区域发送所述第一信号。9.根据权利要求8所述的半导体制程控制装置，其特征在于，所述待检测区域的颜色与所述温控台顶面的颜色不同。10.根据权利要求1所述的半导体制程控制装置，其特征在于，所述测距发射单元包括
发光单元，所述第一信号包括第一光信号和所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李佳佳，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：