排气管装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及排气管装置。根据一个实施例的排气管装置包括：电介质管；射频电极；接地电极；以及等离子体产生回路。射频电极设置在电介质管的外周侧，射频电压被施加到该射频电极。接地电极在电介质管的端部侧设置成使得其与射频电极的距离在电介质管的内部侧比外部侧小，接地电势被施加到该接地电极。等离子体产生回路在电介质管的内侧产生等离子体。排气管装置用作设置在成膜室与用于对成膜室的内部进行排气的真空泵之间的排气管的一部分。部进行排气的真空泵之间的排气管的一部分。部进行排气的真空泵之间的排气管的一部分。

【技术实现步骤摘要】
排气管装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请是基于2020年8月27日在日本提交的日本专利申请No.2020
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143972并且要求其优先权，该申请的全部内容通过引用结合于此。


[0003]本专利技术的实施例涉及一种排气管装置。

技术介绍

[0004]在以化学气相沉积(CVD)装置为代表的成膜装置中，原料气体被导入到成膜室中，以在设置于该成膜室中的衬底上形成所需的膜。残留在成膜室内的原料气体由真空泵经由排气管排出。此时，已经出现了一些不理想的情况，如由于原料气体产生的产物堆积在排气管中而封闭排气管，以及产物堆积在位于排气管下游的真空泵中而停止真空泵。为了去除堆积物，通过远程等离子体源(RPS)装置执行清洁处理。然而，由于RPS装置通常着重于成膜室中的清洁，因此清洁性能不足以清洁堆积在远离RPS装置的真空泵附近的排气管和真空泵中的产物。
[0005]这里，公开了一种技术，其中射频电极被放置在诸如陶瓷或石英等绝缘物质的导管的外周，利用设置在导管两端部的管道凸缘作为接地电极向该射频电极施加射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种排气管装置，其用作设置在成膜室与用于对成膜室的内部进行排气的真空泵之间的排气管的一部分，所述排气管装置包括：电介质管；射频电极，所述射频电极设置在所述电介质管的外周侧，并且所述射频电极被施加射频电压；接地电极，所述接地电极在所述电介质管的端部侧设置成使得所述接地电极与所述射频电极的距离在所述电介质管的内部侧比外部侧小，并且所述接地电极被施加接地电势；以及等离子体产生回路，所述等离子体产生回路在所述电介质管的内侧产生等离子体。2.根据权利要求1所述的排气管装置，其中，所述接地电极包括设置在所述电介质管的内部侧的环状的第一突起。3.根据权利要求1所述的排气管装置，其中，所述接地电极包括设置在所述电介质管的端部侧的凸缘。4.根据权利要求2所述的排气管装置，其中，所述接地电极还包括设置在所述电介质管的端部侧的凸缘，并且所述第一突起与所述凸缘电连接。5.根据权利要求4所述的排气管装置，其中，所述第一突起与所述凸缘一体形成。6.根据权利要求2所述的排气管装置，其中，所述接地电极还包括设置在所述电介质管的外部侧的环状的第二突起。7.根据权利要求6所述的排气管装置，其中，所述第一突起的末端与所述射频电极之间的距离小于所述第二突起的末端与所述射频电极之间的距离。8.根据权利要求1所述的排气管装置，还包括设置在所述电介质管的外侧的外管，其中所述射频电极设置在所述外管与所述电介质管之间。9.根据权利要求8所述的排气管装置，还包括设置在所述电介质管的端部和所述外管的端部处的密封机构。10.根据权利要求1所述的排气管装置，还包括在所述电介质管的外侧覆盖所述射频电极的电介质。11.根据权利要求1所述的排气管装置，还包括在所述电介质管的外侧覆盖所述接地电极的电介质。12.一种排气管装置，其用作设置在成膜室与用于对成膜室的内部进行排气的真空泵之间的排气管的一部分，所述排气管装置包括：电介质管；射频电极，所述射频电极设置在所述电介质管的外周侧，并且所述射频电极被施加射频电压；接地电极，所述接地电极设置在所述电介质管的端部...

【专利技术属性】
技术研发人员：松叶博，大石晃宏，福水裕之，栗原一彰，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：