包括存储器阵列的集成电路系统及其形成方法技术方案

本公开涉及一种包括存储器阵列的集成电路系统及其形成方法。一种用于形成包括存储器单元的串的存储器阵列的方法包括在下堆叠的正上方形成上堆叠。所述下堆叠包括竖直交替的下第一层面和下第二层面。所述上堆叠包括竖直交替的上第一层面和上第二层面。下沟道开口延伸穿过所述下第一层面和所述下第二层面。所述下沟道开口在其中具有牺牲材料。所述下第二层面的上部或所述上第二层面的下部包括硅氧原子比大于0.5的非化学计量二氧化硅。在所述下部的上第二层面上方的所述上第二层面的较高部包括硅氧原子比小于或等于0.5的二氧化硅。部包括硅氧原子比小于或等于0.5的二氧化硅。部包括硅氧原子比小于或等于0.5的二氧化硅。

【技术实现步骤摘要】
包括存储器阵列的集成电路系统及其形成方法


[0001]本文揭示的实施例涉及包括包含存储器单元串的存储器阵列的集成电路系统和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。

技术介绍

[0002]存储器是一种类型的集成电路系统且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可称为位线、数据线或感测线)和存取线(其也可称为字线)对存储器单元进行写入或读取。感测线可沿着阵列的列导电互连存储器单元，且存取线可沿着阵列的行导电互连存储器单元。每一存储器单元可通过感测线和存取线的组合唯一地寻址。
[0003]存储器单元可为易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在没有电力的情况下存储数据达延长时间段。常规上将非易失性存储器指定为具有至少约10年的留存时间的存储器。易失性存储器消散，且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的留存时间。无论如何，存储器单元经配置以将存储器留存或存储在至少两种不同的可选状态中。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或者“1”。在其它系统中，至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成包括存储器单元的串的存储器阵列的方法，其包括：在下堆叠正上方形成上堆叠，所述下堆叠包括竖直交替的下第一层面和下第二层面，所述上堆叠包括竖直交替的上第一层面和上第二层面，下沟道开口延伸穿过所述下第一层面和所述下第二层面，所述下沟道开口中具有牺牲材料；所述下第二层面的上部或所述上第二层面的下部包括硅氧原子比大于0.5的非化学计量二氧化硅，所述下部上第二层面上方的所述上第二层面的较高部包括硅氧原子比小于或等于0.5的二氧化硅；穿过所述上第一层面和所述上第二层面蚀刻上沟道开口，以停止在所述上部下第二层面或所述下部上第二层面上；及在所述停止之后，从所述下沟道开口移除所述牺牲材料，并且在所述上沟道开口和所述下沟道开口中形成沟道材料串。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述非化学计量二氧化硅的硅氧原子比不大于1.0。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述下第二层面的所述上部包括所述非化学计量二氧化硅。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述下第二层面的所述上部是所述下第二层面的最上部。5.根据权利要求3所述的方法，其中多个所述上部下第二层面包括所述非化学计量二氧化硅。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述上第二层面的所述下部包括所述非化学计量二氧化硅。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述上第二层面的所述下部是所述上第二层面的最下部。8.根据权利要求6所述的方法，其中多个所述下部上第二层面包括所述非化学计量二氧化硅。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述下第二层面的所述上部和所述上第二层面的所述下部中的每一者包括所述非化学计量二氧化硅。10.根据权利要求1所述的方法，其中将所述上沟道开口蚀刻到止挡件会暴露所述牺牲材料。11.根据权利要求1所述的方法，其中将所述上沟道开口蚀刻到所述止挡件不会暴露所述牺牲材料，并且进一步包括此后蚀刻穿过所述上部下第二层面或所述下部上第二层面以暴露所述牺牲材料。12.一种包括包含存储器单元的串的存储器阵列的集成电路系统，其包括：上堆叠，其在下堆叠正上方，所述下堆叠包括竖直交替的下导电层面和下绝缘性层面，所述上堆叠包括竖直交替的上导电层面和上绝缘性层面；所述下绝缘性层面的上部或所述上绝缘性层面的下部包括硅氧原子比大于0.5的非化学计量二氧化硅，所述下部上绝缘性层面上方的所述上绝缘性层面的较高部包括硅氧原子比小于或等于0.5的二氧化硅；且存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述上堆叠和所述下堆叠，包含穿过所述非化学计
量二氧化硅。13.根据权利要求12所述的集成电路系统，其中所述非化学计量二氧化硅的硅氧原子比不大于1.0。14.根据权利要求12所述的集成电路系统，其中所述下...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：