一种含铜金属膜用蚀刻液制造技术

本发明专利技术属于蚀刻技术领域，特别是涉及一种含铜金属膜用蚀刻液。包括过氧化氢、有机酸、金属螯合剂、有机溶剂和水；所述有机溶剂为砜类和/或含羟基醚类。本发明专利技术实施例中以过氧化氢作为主要氧化剂，有机酸辅助所述过氧化氢，加速铜的溶解，添加所述金属螯合剂来抑制所述过氧化氢的分解，添加所述有机溶剂来抑制铜系络合物的析出，不仅可以保证在较低侧向蚀刻的情况无蚀刻残留，使得在温和的反应条件下对铜及合金膜高效且高精度地进行蚀刻，而且使用过程中无需引入其它添加剂作为补充液，且在较长的蚀刻时间(大于等于72hr)的情况下仍保证较长的蚀刻寿命，溶铜量大于等于9000ppm，无铜络合物析出。物析出。物析出。

【技术实现步骤摘要】
一种含铜金属膜用蚀刻液


[0001]本专利技术属于蚀刻
，特别是涉及一种含铜金属膜用蚀刻液。

技术介绍

[0002]蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻，其中，湿蚀刻是采用化学试剂，经由化学反应达到蚀刻的目的。近年来，人们对液晶显示器的需求量不断增加的同时，对产品的质量和画面精度也提出了更高的要求，而蚀刻的效果能直接影响面板制造工艺的好坏，影响高密度细导线图像的精度和质量。以往的液晶显示装置的金属配线中使用了铝或铝合金，但是随着液晶显示器的大型化以及高分辨率化，与薄膜晶体管连接的栅极线和数据线会变长，这些配线的电阻也会增加，因此产生信号延迟等问题。所以，研究转向于电阻更低的材料即铜或以铜为主成分的布线组合。
[0003]钼、钛具有与玻璃等基板的密合性高、难以产生向硅半导体膜的扩散、且兼具阻挡性的优点，因此，将包含铜、以铜为主成分的铜钼/铜钛等合金的层叠膜通过溅射法等成膜工艺在玻璃等基板上成膜，然后经过使用抗蚀剂作为掩膜进行蚀刻的蚀刻工序而成为电极图案。
[0004]随着蚀刻精度要求本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含铜金属膜用蚀刻液，其特征在于，包括以下组分：过氧化氢、有机酸、金属螯合剂、有机溶剂和水；所述有机溶剂为砜类和/或含羟基醚类。2.如权利要求1所述的含铜金属膜用蚀刻液，其特征在于，按所述蚀刻液的总重量为100％计，所述过氧化氢的重量百分数为5～25％，所述有机酸的重量百分数为1～6％，所述金属螯合剂的重量百分数为1～10％，所述有机溶剂的重量百分数为0.5～5％，余量为水。3.如权利要求1或2所述的含铜金属膜用蚀刻液，其特征在于，所述砜类包括正丁砜、二甲基砜、环丁砜、二苯基砜中的一种或多种；所述含羟基醚类包括乙二醇单丁醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇醚、2-羟丙基醚中的一种或多种。4.如权利要求1所述的含铜金属膜用蚀刻液，其特征在于，所述有机酸包括乙二酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸中的一种或多种。5.如权利要求1所述的含铜金属膜用蚀刻液，其特征在于，所述金属螯合剂为含有羟基的二元及以上的羧酸化合物，所述金属螯合剂包括柠檬酸、苹果酸、2,3-二羟基丁二酸中的一种或多种。6.如权利要求1所述的含铜金属膜用蚀刻液，其特征在于，所述的含铜金属膜用蚀刻液还包括重量百分数为0.01～2％的过氧化氢稳定剂；所述过氧化氢稳定剂包括苯胺类化合物和羧酸化合物；所述羧酸化合物在蚀刻液中的重量百分数为0.1～1.5％，所述羧酸化合物的结构式为R
1-R
2-COOH，其中，R1为给电子基团，R2为碳原子大于1的烃基；所述苯胺类化合物在蚀刻液中的重量百分数为0.1～0.5％，所述苯胺类化合物包括N,N-二甲基苯胺、二乙苯胺、苯基...

【专利技术属性】
技术研发人员：鄢艳华，夏明鹏，赵大成，
申请(专利权)人：深圳新宙邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：