一种低压结构的带隙基准源电路制造技术

本申请提供了一种低压结构的带隙基准源电路。该带隙基准源电路包括：核心带隙基准源生成电路和带隙基准源输出电路，核心带隙基准源生成电路包括第一支路和第二支路，第二支路与第一支路连接。其中，第二支路用于将第一支路上形成的第一基准电压转换成小于第一基准电压的第二基准电压并输出到带隙基准源输出电路，带隙基准源输出电路基于第二基准电压输出目标电压或者目标电流。第二支路通过电阻分压产生电压基准的多个候选值，在同一设计中通过控制信号，控制第二支路输出一个值作为第二基准电压，以适用于更复杂的系统需求。以适用于更复杂的系统需求。以适用于更复杂的系统需求。

【技术实现步骤摘要】
一种低压结构的带隙基准源电路


[0001]本申请涉及集成电路
，尤其涉及一种低压结构的带隙基准源电路。

技术介绍

[0002]在模拟集成电路中需要带隙基准源电路提供稳定的直流电压，这样的基准电压几乎不受电源电压和温度的影响。最经典的带隙基准源电路是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，从而获得与温度几乎无关的基准电压。带隙基准源电路由于具有电路简单，便于控制，温漂低等优点而得到广泛应用。随着微电子技术发展，带隙基准源电路在模数
‑
数模转换、电源芯片和锁相环等模拟电路中有广泛应用。
[0003]一般，双极晶体管(bipolarjunctiontransistor，BJT)中基极发射极PN结正向电压V
be
具有负温系数，而两个相同双极晶体管工作在不同电流密度下时，它们的V
be
的差值(ΔV
be
)就与绝对温度成正比。在带隙基准源电路中，两个相同双极晶体管的正负温电压以一定比例补偿，可以使带隙基准源电路产生1.25v左右的基准本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带隙基准源电路，其特征在于，包括：核心带隙基准源生成电路和带隙基准源输出电路，所述核心带隙基准源生成电路包括第一支路和第二支路；所述第一支路用于向所述第二支路提供第一基准电压，所述第二支路用于基于所述第一基准电压输出第二基准电压，所述第二基准电压小于所述第一基准电压；所述带隙基准源输出电路用于基于所述第二基准电压输出目标电压或者目标电流。2.根据权利要求1所述的带隙基准源电路，其特征在于，所述第二支路包括电阻网络，所述电阻网络用于通过电阻分压产生多个电压基准候选值，再通过控制信号选择所述多个电压基准候选值中的一个值作为所述第二基准电压输出。3.根据权利要求2所述的带隙基准源电路，其特征在于，所述电阻网络包括选择器和串联的多个电阻；所述多个电阻用于分压产生所述多个电压基准候选值；所述选择器用于根据所述控制信号，选择所述多个电压基准候选值中的一个值作为所述第二基准电压输出。4.根据权利要求1所述的带隙基准源电路，其特征在于，所述第一支路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻以及双极晶体管支路；所述第一电阻的第二端与所述双极晶体管支路连接，所述第二电阻的第二端通过所述第三电阻与所述双极晶体管支路连接；所述第一电阻的第一端和所述第二电阻的第一端与所述第二支路连接。5.根据权利要求4所述的带隙基准源电路，其特征在于，所述双极晶体管支路包括第一双极晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅珅，王海力，
申请(专利权)人：京微齐力北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：