酸扩散抑制剂、含酸扩散抑制剂的化学放大型光刻胶及其制备与使用方法技术

本发明专利技术提供一种酸扩散抑制剂、含酸扩散抑制剂的化学放大型光刻胶及其制备与使用方法。所述酸扩散抑制剂为含有羟基哌啶的衍生物，结构通式如下：其中，R1为极性基团，R2为化学键或亚烷基，R3为烷基。所述光刻胶包括如下的各组分：聚合物树脂、光致产酸剂、上述酸扩散抑制剂、流平剂和溶剂。所述制备方法为将上述各组分混合。所述使用方法为将光刻胶旋涂在硅片上，依次经过前烘、曝光、后烘和显影，得到光刻图案。本发明专利技术的酸扩散抑制剂，用于化学放大型光刻胶，使形成的光刻图案具有良好的图形侧壁的垂直、灵敏度和聚焦深度。灵敏度和聚焦深度。

【技术实现步骤摘要】
酸扩散抑制剂、含酸扩散抑制剂的化学放大型光刻胶及其制备与使用方法


[0001]本专利技术涉及ArF光刻胶
，具体涉及一种酸扩散抑制剂、含酸扩散抑制剂的化学放大型光刻胶及其制备与使用方法。

技术介绍

[0002]现代日常生活中必不可少的手机、电脑以及各种电器的使用和运作都离不开集成电路，而光刻胶是实现精细图形加工制备集成电路的关键材料。集成电路发展到今天，光刻工艺已经经历了从g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)再进一步到极紫外(EUV，13.5nm)的发展历程，不同的曝光光源对应不同的光刻胶。其中，化学放大型光刻胶在193nm光刻胶领域占据了主导地位。
[0003]化学放大型光刻胶是一种基于化学放大原理的光刻胶，其主要成分是聚合物树脂、光致产酸剂(photo acid generator，PAG)以及相应的添加剂(additives)和溶剂。PAG是一种光敏感的化合物，在光照下分解产生酸(H+)。在曝光后烘烤(PEB)过程中，这些酸会作为催化剂使得聚合物树脂上悬挂的酸不稳定基团脱落，并产本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种酸扩散抑制剂，其特征在于，所述酸扩散抑制剂为含有羟基哌啶的衍生物，结构通式如下：其中，R1为极性基团，R2为化学键或亚烷基，R3为烷基。2.根据权利要求1所述的酸扩散抑制剂，其特征在于，还包括如下技术特征中的至少一项：a1)式I中，所述R1选自羟基、氰基、醛基、或酯基中的一种；a2)式I中，所述R2为化学键或C1～C6亚烷基；a3)式I中，所述R3为C1～C6烷基。3.根据权利要求2所述的酸扩散抑制剂，其特征在于，所述式I选自以下结构中的一种：4.一种化学放大型光刻胶，其特征在于，所述化学放大型光刻胶包括如下的各组分：聚合物树脂、光致产酸剂、如权利要求1～3任一所述的酸扩散抑制剂、流平剂和溶剂。5.根据权利要求4所述的化学放大型光刻胶，其特征在于，还包括如下技术特征中的至少一项：b1)所述化学放大型光刻胶包括如下的质量份的各组分：b2)所述聚合物树脂为柏木醇(甲基)丙烯酸酯、羟基金刚烷醇(甲基)丙烯酸酯和内酯(甲基)丙烯酸脂的共聚物；b3)所述光致产酸剂选自全氟磺酸锍鎓盐或全氟磺酸碘鎓盐中的至少一种；
b4)所述流平剂选自3M氟碳表面活性剂FC
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4430或特洛伊Troysol S366中的至少一种；b5)所述溶剂选自苯甲醚、甲苯、二甲苯、三甲苯、氯代苯、二氯苯、丙二醇单醋酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、二缩乙二醇甲醚、二缩乙二醇乙醚、二缩乙二醇甲乙醚、醋酸丁酯、醋酸新戊酯、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环戊酮、环己酮、双丙酮醇...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅志伟，梅崇余，潘新刚，
申请(专利权)人：江苏汉拓光学材料有限公司，
类型：发明
国别省市：