【技术实现步骤摘要】
一种化学放大型负性UV光刻胶、制备方法及其使用方法
[0001]本专利技术涉及光刻胶
,具体为一种化学放大型负性UV光刻胶、制备方法及其使用方法。
技术介绍
[0002]光刻胶曝光时,光线透过光刻胶照射在硅(Si)衬底上,在光刻胶和衬底的界面处,光线会被反射,这些反射光和入射光会形成干涉,使得光强沿胶深方向的分布不均匀,形成驻波效应。
[0003]驻波效应对深紫外光刻胶的影响更为显著,因为很多硅片表面(例如氧化层、氮化硅和多晶硅)在较短的深紫外波长反射更加厉害。曝光后,光刻胶侧面是由过曝光和欠曝光而形成条痕。
[0004]驻波本质上降低了光刻胶成像的分辨率。驻波效应破坏了光刻胶图形侧壁的垂直性,也导致了光刻胶线宽测量的不稳定,
[0005]消除驻波的方法有:调节PAB或PEB温度,增加树脂UV的吸收和控制酸扩散。如文献1(Standing wave reduction of positive and negative I
‑
line resists,2005,Proc.of SPIE)中介绍通过PAB、PEB的温度调节来达到消除驻波的方法。文献2(Formulation and Molding of Dyed Positive I
‑
line Resist for Control of the Reflective Notching and CD Variation,1995,Proc.of SPIE)中介绍了Dye的UV吸收对比驻波的影响。美国专利U
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种化学放大型负性UV光刻胶,其特征在于:按质量百分比,所述光刻胶包括以下组分:PHS树脂 10
‑
20%;光致产酸剂 0.3
‑
1.5%;交联剂 0.2
‑
2.0%;流平剂 0.01
‑
0.05%;溶剂 余量。2.根据权利要求1所述的一种化学放大型负性UV光刻胶,其特征在于:所述交联剂为四甲氧甲基甘脲和六甲氧甲基三聚氰胺中的一种或两种。3.根据权利要求1所述的一种化学放大型负性UV光刻胶,其特征在于:所述PHS树脂的分子量为6000
‑
30000。4.根据权利要求1所述的一种化学放大型负性UV光刻胶,其特征在于:所述光致产酸剂包括N
‑
羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸(PAG 1)、(4,8
‑
二羟基
‑1‑
萘基)二甲基锍三氟甲磺酸盐(PAG 2)、(4,7
‑
二羟基
‑1‑
萘基)二甲基锍三氟甲磺酸盐(PAG 3)、(4
‑
甲氧基萘基)二苯基锍三氟甲磺酸盐(PAG 4)、(4
‑
苯基硫代苯基)二苯基锍三氟甲磺酸盐(PAG 5)、2
‑
(苯并[d][1,3]二氧戊环
‑5‑
基)
‑
4,6
‑
双(三氯甲基)
‑
1,3,5
‑
三嗪(PAG 6)、2
‑
(2,4
‑
二甲氧基苯乙烯基)
‑
4,6
...
【专利技术属性】
技术研发人员:傅志伟,潘新刚,余文卿,刘平,刘军林,
申请(专利权)人:江苏汉拓光学材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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