光敏树脂、光刻胶及其制备方法、应用技术

本发明专利技术提供一种光敏树脂，其化学结构式如下：其中，是二酐单体残基，是二胺单体残基，m＝0.2～1，n＝5～200。本发明专利技术提供的光敏树脂的分子结构中含有羧基和三氟甲基，光敏树脂进一步制备成光刻胶后能够在碱性水溶液中显影，绿色环保，主链为高度刚性结构，光刻分辨率高。光刻分辨率高。光刻分辨率高。

【技术实现步骤摘要】
光敏树脂、光刻胶及其制备方法、应用


[0001]本专利技术涉及功能高分子材料领域，特别是涉及一种光敏树脂、光刻胶及其制备方法、应用。

技术介绍

[0002]芯片设计中封装、钝化绝缘层需要采用特定的图案，而传统的绝缘材料聚酰亚胺(PI)本身并不具备感光功能而且多数难溶，要获得所需要的图形，必须采用蚀刻工艺进行图形转移。例如：J.Electrochem.Soc.,1991,138(4),1080
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1084记载了一种预聚体PAA含有邻硝基苯基结构的正性光敏聚酰亚胺树脂(PSPI)，美国专利5518864记载了一种预聚体PAA含有酚羟基结构的PSPI，虽然它们都具有显影能力，但是都需要采用刻蚀工艺进行图形转移才能获得所需要的图形。
[0003]传统的正性光刻工艺是根据预聚体聚酰胺酸(PAA)在曝光区溶解而在非曝光区不溶解于碱性溶液显影，再将光阻剂去掉。传统的正性光刻工艺不仅工序复杂，而且PAA前驱体在曝光区和在非曝光区的溶解度差异小，对比度低，后续还需进行高温酰亚胺化，会对图形造成破坏。例如：Macromol.Res.,20本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光敏树脂，其特征在于，其化学结构式如下：其中，是二酐单体残基，是二胺单体残基，m＝0.2～1，n＝5～200。2.根据权利要求1所述的光敏树脂，其特征在于，所述每次出现，分别独立选自以下基团中的一种：3.根据权利要求1所述的光敏树脂，其特征在于，所述每次出现，分别独立选自以下基团中的一种：
4.一种光敏树脂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将二酐单体、二胺单体以及3,3
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二羧基
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4,4
’‑
二(4
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氨基
‑2‑
三氟甲基苯氧基)联苯单体在第一有机溶剂中混合，溶解，进行缩合反应，制备聚酰胺酸预聚体；所述聚酰胺酸预聚体脱水使之酰亚胺化，制备所述光敏树脂；其中，所述二酐单体的结构式为：所述二胺单体的结构式为：所述3,3
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二羧基
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4,4
’‑
二(4
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氨基
‑2‑
三氟甲基苯氧基)联苯单体的结构式为：所述聚酰胺酸预聚体的结构式为：5.根据权利要求4所述的光敏树脂的制备方法，其特征在于，所述二酐单体、所述二胺单体以及所述3,3
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二羧基
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4,4
’‑
二(4
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氨基
‑2‑
三氟甲基苯氧基)联苯单体的物质的量之比为1:(0.1～0.3):(0.7～0.9)。6.根据权利要求4所述的光敏树脂的制备方法，其特征在于，所述3,3
’‑
二羧基
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4,4
’‑
二(4
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氨基
‑2‑
三氟甲基苯氧基)联苯单体的制备方法包括如下步骤：将4,4
’‑
二羟基
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3,3
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联苯二甲酸与2
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氟
‑5‑
硝基三氟甲苯混合，发生亲核取代反应，制备3,3
’‑
二羧基
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4,4
’‑
二(4
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硝基
‑2‑
三氟甲基苯氧基)联苯；
将所述3,3
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二羧基
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4,4
’‑
二(4
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硝基
‑2‑
三氟甲基苯氧基)联苯的硝基还原为氨基；其中，所述4,4
’‑
二羟基
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3,3
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联苯二甲酸的结构式为：所述2
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氟
‑5‑
硝基三氟甲苯...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎迈俊，郑爽，潘锦铖，吴敏铭，
申请(专利权)人：广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院，
类型：发明
国别省市：