聚亚芳基及其制备方法,以及聚合物固体电解质和质子导电膜技术

揭示了通式（１）所示的芳族磺酸酯衍生物；式中，Ｘ是选自除氟以外的卤原子、－ＯＳＯ↓［３］ＣＨ↓［３］和－ＯＳＯ↓［３］ＣＦ↓［３］的原子或基团，Ａ是二价吸电子基团，Ｂ是二价供电子基团或者直接连接，Ｒ↑［ａ］是１－２０个碳原子的烃基，Ａｒ是具有由－ＳＯ↓［３］Ｒ↑［ｂ］表示的取代基的芳基（其中，Ｒ↑［ｂ］是１－２０个碳原子的烃基），ｍ是０－１０之间的整数，ｎ是０－１０之间的整数，ｋ是１－４的整数。也揭示了用于制备具有磺酸基的聚亚芳基的方法，所述方法包括以下步骤：偶合聚合所述包含通式（１）所示衍生物的芳族化合物，制备聚亚芳基，并水解所述聚亚芳基，且所述方法安全性高，容易控制引入聚合物中的磺酸基的量及其引入的位置。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
聚亚芳基及其制备方法，以及聚合物固体电解质和质子导电膜本专利技术专利申请是申请日为2003年8月22日，申请号为03155160.2，专利技术名称为“芳族磺酸酯衍生物、聚亚芳基及其制备方法，以及聚合物固体电解质和质子导电膜”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及新型芳族磺酸酯衍生物、包含来自所述衍生物的重复结构单元的聚亚芳基、具有水解所述聚亚芳基制备的磺酸基的聚亚芳基及其制备方法，本专利技术还涉及聚合物固体电解质和质子导电膜，所述电解质包含含有磺酸基的聚亚芳基，所述导电膜包含所述聚合物固体电解质。
技术介绍
电解质通常以(水)溶液的状态使用。但是最近，所述水溶液状态用固体状态代替，这是因为当将它施涂在电气和电子材料上时，所述固体状态具有容易加工的性能。且最近存在轻型、薄、短和小型以及节省电能的趋势。通常，已知无机化合物和有机化合物均可作为质子导电材料。所述无机化合物的例子是磷酸氢双氧铀，是水合物。这些无机化合物在其界面上接触并不充分，且在基底或电极上形成导电膜时存在许多问题。另一方面，所述有机化合物的例子是属于阳离子交换树脂的聚合物，例如，磺化乙烯基聚合物如磺酸聚苯乙烯、全本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种聚亚芳基，包含来自芳族化合物的重复结构单元，且至少包含由通式（１’）表示的重复结构单元：＊＊＊…（１′）式中，Ａ是二价吸电子基团、Ｂ是二价供电子基团或者直接连接，Ｒ↑［ａ］是１－２０个碳原子的烃基，Ａｒ是具有由－ＳＯ ↓［３］Ｒ↑［ｂ］表示的取代基的芳基，－ＳＯ↓［３］Ｒ↑［ｂ］中，Ｒ↑［ｂ］是１－２０个碳原子的烃基，ｍ是０－１０之间的整数，ｎ是０－１０之间的整数，ｋ是１－４的整数。

【技术特征摘要】
JP 2002-8-22 2002-242508;JP 2002-12-16 2002-3642291.一种聚亚芳基，包含来自芳族化合物的重复结构单元，且至少包含由通式(1’)表示的重复结构单元：式中，A是二价吸电子基团、B是二价供电子基团或者直接连接，Ra是1-20个碳原子的烃基，Ar是具有由-SO3Rb表示的取代基的芳基，-SO3Rb中，Rb是1-20个碳原子的烃基，m是0-10之间的整数，n是0-10之间的整数，k是1-4的整数。2.如权利要求1所述的聚亚芳基，其特征在于，所述聚亚芳基包含0.5-100摩尔％通式(1’)所示的重复结构单元，和0-99.5摩尔％通式(A’)所示重复结构单元；式中，R1-R8相同或不同，是选自氢、氟原子、...

【专利技术属性】
技术研发人员：I罗占斯奇，高桥昌之，后藤幸平，今野洋助，大月敏敬，山川芳孝，门田敏明，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]