等离子体处理装置及其工作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体处理装置，包括：反应腔；第一进气件，其内部具有第一凹槽，所述第一凹槽底端开设有若干第一通孔；第二进气件，安装于所述第一进气件上，所述第一凹槽与所述第二进气件之间形成有腔体，所述第二进气件的进气口用于接入反应气体，所述第二进气件的出气口用于流出反应气体，流出的反应气体流至所述腔体内，并经由第一通孔流至所述反应腔内；驱动装置，其可以根据实际需要利用所述驱动装置改变所述第一进气件与所述第二进气件之间的相对位置来改变待处理基片不同相位角上所述第一通孔中反应气体的流速。本发明专利技术可调整进入反应腔内待处理基片不同相位角上气体的流量，进而使待处理基片不同相位角上的刻蚀情况可调。蚀情况可调。蚀情况可调。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置及其工作方法


[0001]本专利技术涉及半导体工艺设备领域，具体涉及一种等离子体处理装置及其工作方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，等离子体处理装置使用气体输送系统输送气体到等离子体处理装置的真空反应腔内，通过射频功率源和线圈产生等离子体，从而对待处理基片进行刻蚀。反应气体通过中间的喷嘴进入反应腔，目前该喷嘴的进气效果是无法调节的。随着刻蚀工艺的发展，待处理基片在不同相位角上刻蚀的均匀性要求越来越高，具体要求，不同相位角上均匀性的差异可接受范围为从一开始0.5％～2％到现在小于0.5％。针对这个需求，迫切需要对中间用于进气的喷嘴进行改进，使接入的反应气体具有可调节性。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种等离子体处理装置及其工作方法，以使不同相位角上待处理基片的刻蚀情况可调。
[0004]为了达到上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：
[0005]一种等离子体处理装置，包括：
[0006]反应腔；
[0007]第一进气件，其具有第一凹槽，所述第一凹槽底端开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：反应腔，其顶部设有开口；第一进气件，位于所述开口内，其具有第一凹槽，所述第一凹槽底端开设有若干第一通孔；第二进气件，安装于所述第一进气件上，所述第一凹槽与所述第二进气件之间形成腔体，所述第二进气件的进气口用于接入反应气体，所述第二进气件的出气口用于流出反应气体，流出的反应气体流至所述腔体内，再经所述第一通孔流至所述反应腔内；驱动装置，用于改变所述第一进气件与所述第二进气件之间的相对位置，以改变不同相位角上所述第一通孔内反应气体的流速。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述驱动装置包括至少一组驱动组件，一组所述驱动组件包括至少一个驱动组件，每组所述驱动组件可驱动所述第二进气件沿着其预设轨迹移动。3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二进气件包括位于所述第一进气件的第一凹槽内的插块和安装在第一进气件顶部上方的限位块，所述限位块与所述插块连接；所述限位块形成有所述第二进气件的进气口，所述插块的侧壁形成有所述第二进气件的出气口；所述插块的底部与所述第一进气件的第一凹槽底端接触；所述驱动装置带动所述限位块移动，调节所述插块与所述第一通孔之间的相对位置，以改变所述第一通孔被所述插块覆盖的面积大小来调整从第一通孔输出反应气体量的多少。4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述限位块为多棱柱结构。5.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二进气件的出气口由所述插块的侧壁上开设的若干第二通孔形成。6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘身健，连增迪，左涛涛，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：