等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体处理装置，包括：反应腔；绝缘窗口，位于反应腔的顶部；线圈，位于绝缘窗口上，线圈包括第一端和第二端；第一线圈连接件，与第一端连接；第二线圈连接件，与第二端连接；射频功率源、第一线圈连接件、线圈和第二线圈连接件形成一个回路，完成射频功率源的接入，当射频功率源经由线圈时会产生电磁场，该电磁场的磁力线穿过绝缘窗口进入反应腔内，再从反应腔穿过该绝缘窗口；当射频功率源依次通过第一线圈连接件、线圈和第二线圈连接件时，第一屏蔽件可屏蔽第一线圈连接件上产生的电磁场，第二屏蔽件可屏蔽第二线圈连接件上产生的电磁场，减小对线圈产生的电磁场的影响，增加等离子体的均匀性，进而增加晶圆刻蚀的均匀性。的均匀性。的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及半导体工艺设备领域，具体涉及一种等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]现有的等离子体处理装置中，例如是一种电感耦合式的等离子体蚀刻装置，包含一反应腔，反应腔内部设置内衬，用以保护反应腔内壁不被等离子体腐蚀，反应腔侧壁靠近绝缘窗口的一端设置气体注入口，在其他实施例中也可以在绝缘窗口的中心区域设置气体注入口，气体注入口用于将反应气体注入真空反应腔内，射频功率源的射频功率驱动电感耦合线圈产生较强的高频交变磁场，使得反应腔内低压的反应气体被电离产生等离子体，到达基片上表面的等离子体可对基片进行刻蚀等处理；在反应腔的下游位置设置基座，基座上设置静电吸盘，静电吸盘内部设置一静电电极，用于产生静电吸力，以实现在工艺过程中对待处理基片的支撑固定。等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待处理基片的表面发生多种物理和化学反应，使得基片表面的形貌发生改变，即完成刻蚀过程。一偏置射频功率源通过射频匹配网络将偏置射频电压施加到基座上，用于控制等离子体中带电粒子的轰击方向。真本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：反应腔；绝缘窗口，位于所述反应腔的顶部；线圈，位于所述绝缘窗口上，所述线圈包括第一端和第二端；第一线圈连接件，与所述第一端连接；第二线圈连接件，与所述第二端连接；第一屏蔽件，套设在所述第一线圈连接件上，用于屏蔽第一线圈连接件产生的电磁场；第二屏蔽件，套设在所述第二线圈连接件上，用于屏蔽第二线圈连接件产生的电磁场；射频功率源，通过所述第一线圈连接件与所述线圈的第一端连接，然后从线圈的第二端经过第二线圈连接件再回到射频功率源形成射频回路。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一屏蔽件与所述第一线圈连接件之间设有第一绝缘层；和/或，所述第二屏蔽件与所述第二线圈连接件之间设有第二绝缘层。3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一屏蔽件和/或所述第二屏蔽件为层状结构。4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述层状结构的最小厚度为1毫米。5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一屏蔽件和/或所述第二屏蔽件的材料为铝或紫铜。6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一线圈连接件包括一第一立杆、一第一横杆和一第二立杆，所述第一立杆和所述第二立杆分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：连增迪，左涛涛，吴狄，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：