一种等离子体处理装置及半导体结构的形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体处理装置，包括反应腔、第一气体源、第二气体源、第三气体源和抽气泵；反应腔内底部包括基座，基座用于承载待处理基片；第一气体源、第二气体源和第三气体源，分别通过第一通路、第二通路和第三通路与反应腔连接；抽气泵的第一端与第二通路连接，第二端与第三通路连接，用于隔离第二气体源与第三气体源中的气体。此发明专利技术解决了待处理基片在刻蚀过程中产生副产物的堆积，而影响刻蚀的非平坦的问题，通过设置多条刻蚀气体的通路，实现多条通路的频繁动态切换，实现了刻蚀处理过程中待处理基片的刻蚀平坦化。处理过程中待处理基片的刻蚀平坦化。处理过程中待处理基片的刻蚀平坦化。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体处理装置及半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种等离子体处理装置及半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体
中，等离子体刻蚀是半导体工艺中最重要的技术之一。等离子体刻蚀通过将光刻工艺的图形层上图案(pattern)刻蚀转移至基底材料上，是化学作用或者物理作用，或者物理辅助的化学刻蚀来实现掩膜到基底材料的图形复制。该刻蚀工艺需要在等离子体反应腔内部，调控刻蚀的气体、温度、功率源以及刻蚀时间等参数，来控制其刻蚀半导体结构的形状。
[0003]然而，部分待刻蚀基片在等离子刻蚀工艺过程中，由于刻蚀过程中副产物的沉积和堆积，亦或者待刻蚀基片的底部中心与底部边缘的刻蚀速率的差异，导致难以在待刻蚀基片的底部形成平坦的效果。
[0004]因此，需要提供一种保证待处理基片在刻蚀工艺中底部平坦化的等离子体处理装置和待处理基片底部平坦化的半导体结构形成方法，来满足工艺的需要。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种等离子体处理装置及半导体结构的形成方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：反应腔，其内底部包括基座，所述基座用于承载待处理基片；第一气体源、第二气体源和第三气体源，分别通过第一通路、第二通路和第三通路与反应腔连接；抽气泵，第一端与所述第二通路连接，第二端与所述第三通路连接，用于隔离第二气体源与第三气体源中的气体。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述抽气泵的第一端设置有第一开关，所述第三通路导通时，打开所述第一开关，所述抽气泵抽出所述第二通路中的气体。3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述抽气泵的第二端设置有第二开关，所述第二通路导通时，打开所述第二开关，所述抽气泵抽出所述第三通路中的气体。4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二通路靠近所述第二气体源一端设置有第三开关，用于控制所述第二气体源中的气体进入所述第二通路。5.如权利要求1或4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二通路靠近反应腔一端设置有第四开关，用于控制所述第二通路中气体进入反应腔。6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第三通路靠近所述第三气体源一端设置有第五开关，用于控制所述第三气体源中的气体进入所述第三通路。7.如权利要求1或6所述的多晶硅平坦化的刻蚀气路装置，其特征在于，所述第三通路靠近反应腔一端设置有第六开关，用于控制所述第三通路中气体进入反应腔。8.如权利要求1所述的多晶硅平坦化的刻蚀气路装置，其特征在于，所述第一气体源中的气体为共需气体，所述共需气体包括：氦气和氧气。9.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿振华，张洁，张国雄，刘志强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：