半导体电路制造技术

本发明专利技术公开一种半导体电路，该半导体电路包括驱动芯片以及与所述驱动芯片电连接的三相模块和温控模块，所述温控模块包括高温控制单元和低温控制单元，所述高温控制单元包括第一运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第一热敏电阻；所述低温控制单元包括第二运算放大器、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第二热敏电阻。本发明专利技术有利于避免降低半导体电路的使用寿命。免降低半导体电路的使用寿命。免降低半导体电路的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
半导体电路


[0001]本专利技术涉及半导体电路
，具体涉及一种半导体电路。

技术介绍

[0002]半导体电路是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品，集成了智能控制IC和用于功率输出的绝缘栅双极型晶体管、MOSFET、FRD等大功率器件及一些阻容元件，这些元器件通过锡基焊料焊接在铝基板上。
[0003]现有的半导体电路一般没有或只有过温保护功能，并没有低温保护功能，当半导体电路处于较低温度的恶劣天气启动时，易影响半导体电路寿命，造成半导体电路失效。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种半导体电路，以解决
技术介绍
中提出的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提出的半导体电路包括驱动芯片以及与所述驱动芯片电连接的三相模块和温控模块，所述温控模块包括高温控制单元和低温控制单元，所述高温控制单元包括第一运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第一热敏电阻，所述第一运算放大器的VCC端、OUT端和GND端均与所述驱动芯片电连接，所述第一电阻的两端分别与所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体电路，其特征在于，包括驱动芯片以及与所述驱动芯片电连接的三相模块和温控模块，所述温控模块包括高温控制单元和低温控制单元，所述高温控制单元包括第一运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第一热敏电阻，所述第一运算放大器的VCC端、OUT端和GND端均与所述驱动芯片电连接，所述第一电阻的两端分别与所述第一运算放大器的VCC端和OUT端电连接，所述第二电阻的两端分别与所述第一运算放大器的负极端和VCC端电连接，所述第三电阻的两端分别与所述第一运算放大器的负极端和GND端电连接，所述第四电阻的两端分别与所述第一运算放大器的正极端和VCC端电连接，所述第一热敏电阻的两端分别与所述第一运算放大器的正极端和GND端电连接；所述低温控制单元包括第二运算放大器、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第二热敏电阻，所述第二运算放大器的VCC端和OUT端均与所述驱动芯片电连接，所述第二运算放大器的GND端与所述第一运算放大器的GND端电连接，所述第五电阻的一端与所述第二运算放大器的OUT端电连接，另一端分别与所述第二运算放大器的VCC端和第一运算放大器的VCC端电连接，所述第六电阻的两端分别与所述第二运算放大器的正极端和GND端电连接，所述第七电阻的两端分别与所述第二运算放大器的正极端和VCC端电连接，所述第八电阻的两端分别与所述第二运算放大器的负极端和VCC端电连接，第二热敏电阻的两端分别与所述第二运算放大器的GND端和负极端电连接。2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述驱动芯片上具有与所述第一运算放大器的VCC端电连接的VDD引脚、分别与所述第一运算放大器的OUT端和第二运算放大器的OUT端电连接的FAULT引脚、分别与所述第一运算放大器的OUT端和第二运算放大器的OUT端电连接的EN引脚以及与所述第一运算放大器的GND端电连接的VSS引脚。3.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述驱动芯片上还具有PFCOUT引脚，所述半导体电路还包括升压模块，所述升压模块包括功率绝缘栅双极型晶体管、二极管和第九电阻，所述功率绝缘栅双极型晶体管的G极通过所述第九电阻与所述PFCOUT引脚电连接，所述功率绝缘栅双极型晶体管的C极与外部电源正极电连接以及还通过所述二极管与所述三相模块电连接，所述功率绝缘栅双极型晶体管的E极与外部电源负极电连接。4.根据权利要求3所述的半导体电路，其特征在于，所述三相模块包括与所述驱动芯片电连接的U相单元、V相单元和W相单元，所述U相单元、V相单元和W相单...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，左安超，潘志坚，张土明，谢荣才，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：