一种用于电源管理的过温保护电路及方法技术

本发明专利技术公开了用于电源管理的过温保护电路，包括电流输入端、过温保护器件、比较器和比较器输出端，过温保护器件包括第一端口、第二端口、第三端口以及连接在各个端口之间的半导体器件，当电流输入端的压降为高电位时，比较器输出低电压，LDO系统正常工作，当LDO系统温度超过正常工作温度时，电流输入端的压降为低电位，比较器输出高电压，当LDO系统停止工作时，过温保护器件的压降随温度变化而变化，过温保护器件在正常工作温度范围内的压降为高导通压降，电流输入端流过第一端口为高电位，过温保护器件在高温状态为低导通压降，电流输入端流过第一端口为低电位，集成度高且生产成本低，提高了用于电源管理的LDO系统的工作可靠性。靠性。靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于电源管理的过温保护电路及方法


[0001]本专利技术涉及电源管理系统
，尤其涉及一种用于电源管理的过温保护电路及方法。

技术介绍

[0002]随着便携类电子产品如手机、笔记本电脑、MP3等不断涌入人们的日常生活，这些电子产品如何有效地进行电源管理成为研究热点，新兴电子产品风靡全球的趋势下，由于其具有较大的显示屏且功能较为完善，因此对电源管理芯片(PMC)提出了更大的挑战。现如今，该市场有多达十余种类别的芯片，最为常见的有电荷泵、开关稳压器、线性稳压器(LDO)、功率因数校正(PFC)预调器、脉宽调制控制器(PWM Controller)与脉频调制控制器(PFM Controller)、电源管理单元(PMU)这几类芯片，而在这些芯片当中，前三者的应用较为广泛，占据了较大的市场份额。
[0003]目前的便携类电子产品又普遍要求电源管理芯片具有体积小、外围电路少、无纹波、无电磁干扰等优点，LDO芯片的主体电路，带隙基准电路、误差放大器EA、负反馈电阻网络以及功率级这四个部分构成。而过温、过流和短路保护则为LDO系统的三大辅助功能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于电源管理的过温保护电路，其特征在于，包括电流输入端、过温保护器件、比较器和比较器输出端，所述过温保护器件包括与所述电流输入端连接的第一端口、连接至所述比较器和所述比较器输出端的第二端口、用于接地的第三端口以及连接在各个端口之间的半导体器件；其中，所述半导体器件包括：第一导电类型的衬底，形成在所述衬底上的第二导电类型的外延层；形成在所述外延层内的第一导电类型的第一注入区和间隔形成在所述第一注入区上表面的第二导电类型的第二注入区，所述外延层上表面并位于所述第二注入区之间形成对应设置的氧化硅层；形成在所述外延层、所述第一注入区和部分所述第二注入区上的第一介质层、形成在所述第二注入区和所述第一注入区上与所述第一介质层间隔设置的第二介质层、位于所述第一介质层和所述第二介质层之间并位于所述第二注入区上表面的第一接触孔；形成在所述氧化硅层上表面的多个依次交错排列的第二导电类型的第一多晶硅层和第一导电类型的第二多晶硅层，所述第二介质层关于所述第二多晶硅层对称设置且所述氧化硅层位于两个所述第二介质层之间；形成在与所述第二介质层连接的第一多晶硅层上表面的第二接触孔、位于两个所述第二接触孔之间并覆盖所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的第三介质层；形成在所述第一接触孔内、所述第一介质层、所述第二介质层上、所述第二接触孔内和部分所述第三介质层上并间隔排列的金属层、以及位于两个所述金属层之间的开口。2.根据权利要求1所述的用于电源管理的过温保护电路，其特征在于，当所述电流输入端的压降为高电位时，所述比较器输出端输出低电压，电源管理LDO系统正常工作；当LDO系统温度超过正常工作温度时，所述电流输入端的压降变为低电位，所述比较器输出端输出高电压；当所述LDO系统停止工作时，所述过温保护器件的压降随温度变化而变化，所述过温保护器件在正常工作温度范围内的压降为高导通压降，所述电流输入端流过所述第一端口为高电位；所述过温保护器件在高温状态为低导通压降，所述电流输入端流过所述第一端口为低电位。3.根据权利要求1所述的用于电源...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡海霞，焦华坤，
申请(专利权)人：深圳市芸鸽科技有限公司，
类型：发明
国别省市：