一种IGBT模块结温保护的方法技术

本发明专利技术涉及一种IGBT模块结温保护的方法。该结温保护方法针对IGBT在运行过程中动态实时计算模块的芯片结温以实现模块芯片的过温的快速保护。其方法是通过提前输入的IGBT相关的热阻计算出相应的热阻抗，然后通过查询IGBT当前运行的导通压降、载波频率、开通损耗、关断损耗、反向恢复能量参数，根据前面的热阻抗参数和能量损耗来构建实时结温计算模型实时计算出当前的芯片结温，最后通过实时结温和保护阀值进行线性比较以达到实时结温保护的目的。实测结果表明了该方法的有效性和稳定性。实测结果表明了该方法的有效性和稳定性。实测结果表明了该方法的有效性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT模块结温保护的方法


[0001]本专利技术涉IGBT模块结温估算策略的研究，具体涉及一种IGBT模块结温快速保护的方法。

技术介绍

[0002]在一般变频器、逆变器、开关电源等电力电子装置中，功率管的温度保护非常重要，通常采用的温度保护的方法是在IGBT、MOS管等功率器件外壳或者散热器上加装温度传感器来获取器件表面的问题或者散热器的问题来设定一个过温比较阀值，这种方法具有一定的延时性，通常不能对功率器件的芯片结温实现快速实时的保护。而功率管的损坏往往是因为瞬时的大电流或短路电流造成芯片结温度的快速上升烧毁，而此时芯片的壳温或者散热器的温度还没来得及迅速的上升。通过构建实时的结温计算模型可以方便的快速实时的计算出当前的芯片结温度，以实现对功率模块的实时温度保护。

技术实现思路

[0003]本专利技术需要解决的问题是构建IGBT模块的热阻抗模型，计算实时损耗，构建实时结温计算模型，过结温比较。
[0004]为解决对IGBT模块芯片的结温实时保护问题，本专利技术通过构建结温计算模型，具体步骤为：
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT模块结温保护的方法，其特征在于，包括步骤1、通过输入IGBT热阻计算参数：R
i
是第i阶热模型的热阻值，C
i
是第i阶热模型的热容值、
tc
为结温计算周期、来计算出IGBT模块的热阻抗Z
th(j
‑
c)
；步骤2、根据IGBT模块当前运行的导通压降、载波频率、开通损耗、关断损耗、反向恢复能量参数，计算出IGBT的导通损耗、开关损耗、IGBT并联的二极管的导通损耗、开关损耗，从而得到总的损耗；步骤3、根据损耗功率和热阻抗导入到结温计算模型中实时计算结温；步骤4、设定结温保护值和实时计算结温进行比较实现对结温的保护；若当前计算结温大于结温最大值则更新结温最大值，否则不变；若结温最大值大于设定的结温保护值则报结温过温故障并停机保护。2.根据权利要求1所述的一种IGBT模块结温保护的方法，其特征在于，所述步骤1中数据基于以下公式获得：τ
i
＝R
...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭洵，王胜勇，王傲能，
申请(专利权)人：中冶南方武汉自动化有限公司，
类型：发明
国别省市：