基板处理设备、离子注入设备和离子注入方法技术

一种用于处理基板的设备，包括：工艺室，所述工艺室通过将处理液分配到所述基板上来执行液体处理工艺；以及部件，所述部件设置在所述工艺室中。所述部件中的至少一者的表面由含有离子注入的氟树脂的材料形成。有离子注入的氟树脂的材料形成。有离子注入的氟树脂的材料形成。

【技术实现步骤摘要】
基板处理设备、离子注入设备和离子注入方法

技术介绍

[0001]本文描述的专利技术构思的实施方式涉及一种基板处理设备、一种离子注入设备和一种离子注入方法。
[0002]一般来讲，将处理液分配到基板(诸如晶片)上的液体处理工艺被广泛地用于制造半导体元件。液体处理工艺可包括例如通过将光敏液体分配到基板上来在基板上形成液膜的涂覆工艺、通过将清洁溶液分配到基板上来去除保留在基板上的污染物(例如，颗粒、有机污染物、金属污染物等等)的清洁工艺等等。
[0003]在液体处理工艺中使用的处理液(例如，酸性或碱性化学品、有机溶剂(诸如IPA、DIW)等等)具有高反应性。此外，在处理基板的过程中，因处理液与基板的摩擦而产生热。因此，设置在基板处理设备中的部件(例如，碗状物或卡盘)由氟树脂或工程塑料材料形成以耐受处理液和高温。由氟树脂或工程塑料材料形成的部件具有优异的耐化学性或耐热性。
[0004]然而，由氟树脂或工程塑料材料形成的部件具有约1T欧姆至约10T欧姆的表面电阻。该表面电阻不符合半导体设备和材料国际(SEMI)标准。此外，在液体处理工艺中，在其中处理液与基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：工艺室，所述工艺室被构造为通过将处理液分配到所述基板上来执行液体处理工艺；以及部件，所述部件设置在所述工艺室中，其中所述部件中的至少一者的表面由含有离子注入的氟树脂的材料形成。2.如权利要求1所述的设备，其中所述设备还包括处理容器，所述处理容器以在顶部处敞开的器皿形状提供，所述处理容器具有在其中处理所述基板的处理空间，并且其中所述部件是所述处理容器。3.如权利要求2所述的设备，其中所述处理容器与被构造为在向上/向下方向上移动所述处理容器的升降单元电连接，所述升降单元是接地的。4.如权利要求3所述的设备，其中所述处理容器包括：侧壁部分，所述侧壁部分与所述升降单元耦接；以及倾斜部分，所述倾斜部分在向上倾斜的方向上从所述侧壁部分延伸，并且其中注入在所述倾斜部分的表面中的离子量与注入在所述侧壁部分的表面中的离子量彼此不同。5.如权利要求4所述的设备，其中注入在所述倾斜部分的所述表面中的所述离子量小于注入在所述侧壁部分的所述表面中的所述离子量。6.如权利要求1所述的设备，其中所述设备还包括：支撑板，所述支撑板被构造为在所述工艺室中支撑所述基板；以及卡盘销，所述卡盘销安装在所述支撑板上并且被构造为保持所述基板，并且其中所述部件是所述支撑板。7.如权利要求6所述的设备，其中所述卡盘销是接地的，并且其中所述支撑板与所述卡盘销电连接。8.如权利要求7所述的设备，其中当从上方观察时注入在所述支撑板的中心区域中的离子量和注入在所述支撑板的边缘区域中的离子量彼此不同。9.如权利要求8所述的设备，其中注入在所述中心区域中的所述离子量小于注入在所述边缘区域中的所述离子量。10.如权利要求6至9中任一项所述的设备，其中所述卡盘销包括：接触部分，所述接触部分被构造为与所述基板接触；以及接地部分，所述接地部分与所述接触部分电连接，所述接地部分是接地的，并且其中所述接触部分和所述接地部分的电阻彼此不同。11.如权利要求10所述的设备，其中所述接触部分的所述电阻高于所述接地部分的所述电阻。12.如权利要求1所述的设备，其中所述设备还包括：支撑单元，所述支撑单元被构造为在所述工艺室中支撑所述基板；以及喷嘴，所述喷嘴被构造为将所述处理液分配到所述支撑单元上，并且其中所述部件是所述喷嘴。13.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：金度延，尹铉，黄浩钟，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：