一种离子注入机晶圆红外实时测温系统技术方案

技术编号:32206390 阅读:32 留言:0更新日期:2022-02-09 17:11
本实用新型专利技术涉及一种离子注入机晶圆红外实时测温系统,包括:处理腔室,该处理腔室内被注入离子;晶圆处理机,该晶圆处理机包括臂盖,臂盖上设置有臂腔室和臂窗口,处理腔室内的离子被注入到臂腔室内,晶圆在臂窗口上移动;温度传感器,该温度传感器安装在臂盖上;以及控制器,该控制器与温度传感器通信。本实用新型专利技术可以实时监控植入后晶圆的温度并实时显示温度值,并且本实用新型专利技术可以设定温度极限报警值且与机台联锁,在达到报警值时可以停止植入晶圆。此外,本实用新型专利技术还可以实现蜂鸣报警,收值实现统计过程控制管控。实现统计过程控制管控。实现统计过程控制管控。

【技术实现步骤摘要】
一种离子注入机晶圆红外实时测温系统


[0001]本技术涉及离子注入机的测温系统,并且更具体地,涉及一种离子注入机晶圆红外实时测温系统。

技术介绍

[0002]目前的离子注入机在离子注入时,当离子束能量较大时,注入时晶圆会迅速升温,所以离子注入厂商会设计套冷却系统将晶圆温度导走,现有的Viista 80机台同时设计了水冷却系统及空气冷却系统,但在实际应用过程中当发现部件故障时,机台不会冷却,机台也不会发出任何警报,离子束植入后的晶圆携带的热量无法及时有效被移除,最终导致晶圆植入后表面光阻爆掉。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的不足,本技术的目的在于提供一种令人期望的离子注入机晶圆红外实时测温系统。
[0004]为了解决上述技术问题,本技术采用以下技术方案:
[0005]根据本技术的方面,提供一种离子注入机晶圆红外实时测温系统,包括:
[0006]处理腔室,该处理腔室内被注入离子;
[0007]晶圆处理机,该晶圆处理机包括臂盖,臂盖上设置有臂腔室和臂窗口,处理腔室内的离子被注入到臂腔室内,晶圆在臂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子注入机晶圆红外实时测温系统,其特征在于,包括:处理腔室,所述处理腔室内被注入离子;晶圆处理机,所述晶圆处理机包括臂盖,所述臂盖上设置有臂腔室和臂窗口,所述处理腔室内的所述离子被注入到所述臂腔室内,所述晶圆在所述臂窗口上移动;温度传感器,所述温度传感器安装在所述臂盖上;以及控制器,所述控制器与所述温度传感器通信。2.根据权利要求1所述的离子注入机晶圆红外实时测温系统,其特征在于,所述臂腔室设置为2个或多个。3.根据权利要求1所述的离子注入机晶圆红外实时测温系统,其特征在于,所述温度传感器安装在所述臂盖的中部。4.根据权利要求3所述的离子注入机晶圆红外实时测温系统,其特征在于,所述温度传感器是红外温度传感器。5.根据权利要求1所述的离子注入机晶圆红外实时测温系...

【专利技术属性】
技术研发人员:张建圣何伟
申请(专利权)人:和舰芯片制造苏州股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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