半导体装置和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

谋求在WL

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]WL
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CSP（晶片水平芯片尺寸封装）是通过晶片工艺来进行再布线、电极的形成、树脂密封和切割的半导体装置的封装技术。例如，在专利文献1中公开了WL
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CSP中的半导体装置及其制造方法。
[0003]现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006
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5230号公报。

技术实现思路

[0004]专利技术要解决的课题然而，与硅（Si）相比，碳化硅（SiC）是实现可小型化、低功耗化和高效率化等的元件的材料，是有用性较高的材料。
[0005]可是，在上述专利文献1中公开的制造方法中，设想了Si等的半导体基板（例如，参照第［0019］段。），关于SiC，未进行设想。
[0006]本专利技术鉴于上述点而完成，其目的在于，谋求在WL
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CSP中将SiC作为半导体基板的半导体装置的可靠性的提高。
[0007]用于解决课题的方案本专利技术的第一观点的半导体装置包含：SiC半导体基板，包含扩散层；第一电极，设置在所述SiC半导体基板上；第二电极，设置在所述第一电极上；以及树脂部，为与所述SiC半导体基板的平面尺寸大致相同的平面尺寸并且被设置成密封所述第二电极。
[0008]本专利技术的半导体装置的制造方法包含：针对包括包含扩散层的SiC半导体基板、以及设置在所述SiC半导体基板上的第一电极的基板来配置规定的掩模材料而在所述第一电极上形成第二电极的工序；以及在除去了规定的掩模材料之后以密封所述第二电极的方式形成树脂部的工序。
[0009]专利技术效果根据本专利技术，能够谋求在WL
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CSP中将SiC作为半导体基板的半导体装置的可靠性的提高。
附图说明
[0010]图1是示出本实施方式的半导体装置的整体结构的图。
[0011]图2A是放大地示出第一实施方式的半导体装置的部分结构的截面图。
[0012]图2B是示出第一实施方式的半导体装置的制造工序的一例的截面图。
[0013]图2C是示出第一实施方式的半导体装置的制造工序的一例的截面图。
[0014]图2D是示出第一实施方式的半导体装置的制造工序的一例的截面图。
[0015]图2E是示出第一实施方式的半导体装置的制造工序的一例的截面图。
[0016]图3是放大地示出第二实施方式的半导体装置的部分结构的截面图。
[0017]图4是放大地示出第三实施方式的半导体装置的部分结构的截面图。
具体实施方式
[0018]以下，一边参照附图一边说明本专利技术的实施方式。再有，在各附图中，对实质上相同或等效的结构要素或部分，标注相同的参照符号。
[0019]＜第一实施方式＞图1是示出第一实施方式的半导体装置1的整体结构的图。图2A是放大地示出半导体装置1的部分结构的截面图，是沿着图1中的A
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A
´
线的截面图。
[0020]半导体装置1包含：包含扩散层11的SiC半导体基板10、以及设置在SiC半导体基板10上的第一电极12。此外，半导体装置1还包含与第一电极12相接的第二树脂部14、设置在第一电极12上的第二电极18、以及第一树脂部20。
[0021]第一树脂部20为与SiC半导体基板10的平面尺寸大致相同的平面尺寸，并且被设置成密封第二电极18。例如，在图1那样的半导体装置1的俯视图中，以使得第一树脂部20变为与矩形状的SiC半导体基板10的平面尺寸大致相同的平面尺寸的方式沿着SiC半导体基板10的各边上形成第一树脂部20。此外，第一电极12由例如Al等构成。此外，第二电极18由Cu等构成。
[0022]半导体装置1的封装的形态具有WL
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CSP的形态。即，半导体装置1的封装的平面尺寸与SiC半导体基板10的平面尺寸大致相同。
[0023]在包含扩散层11的SiC半导体基板10的表面，形成晶体管、电阻元件和电容器等电路元件（未图示）。SiC半导体基板10的表面被由SiO2等绝缘体构成的层间绝缘膜（未图示）覆盖。
[0024]在该层间绝缘膜的表面，设置连接到在SiC半导体基板10上形成的电路元件的第一电极12，设置具有使第一电极12的表面部分地露出的开口部的第二树脂部14。如图2A所示，第二树脂部14与第一电极12相接。第二树脂部14是所谓的钝化膜，由聚酰亚胺树脂等感光性有机类绝缘构件构成。
[0025]以下，一边参照图2B～图2E一边说明第一实施方式的半导体装置1的制造方法。图2B～图2E是示出半导体装置1的制造工序的截面图。
[0026]首先，准备完成了包含扩散层11的SiC半导体基板10的制造工艺的半导体晶片（图2B）。SiC半导体基板10的制造工艺包含：在SiC半导体基板10上形成晶体管等电路元件（未图示）的工序、在SiC半导体基板10的表面形成由SiO2等绝缘体构成的层间绝缘膜的工序、在层间绝缘膜的表面形成第一电极12的工序、和以使得第一电极12部分地露出的方式形成第二树脂部14的工序。
[0027]接着，形成覆盖在第二树脂部14的开口部中露出的第一电极12的表面的UBM膜（未图示）。例如使用已知的溅射法来对Ti膜和Cu膜依次成膜，由此形成UBM膜。
[0028]接着，使用公知的光刻技术，在UBM膜的表面，配置作为具有开口部的规定掩模材料16的一例的干膜，之后贴附。干膜是薄膜状，通过施行曝光和显影处理而形成在UBM膜的
表面。
[0029]接着，使用已知的电场电镀法来在UBM膜的表面形成第二电极18（图2C）。具体而言，将SiC半导体基板10的表面浸漬于电镀液，向连接到UBM膜的电镀电极（未图示）供应电流。由此，在UBM膜（电镀种晶层）的露出部分析出金属，在UBM膜上形成第二电极18。作为第二电极18的材料，例如能够使用Cu。
[0030]在第二电极18的形成后，使用公知的工艺来除去掩模材料16（图2D）。由此，形成第二电极18。然后，对第二电极18施行已知的蚀刻处理。
[0031]接着，例如，使用公知的工艺，在经过上述各处理而形成的构造体的表面，使用聚酰亚胺或PBO等感光性有机类绝缘构件，通过已知的光刻技术（例如，包含涂布、曝光、显影和固化等各工序的光刻技术），生成如图2A所示的包含第一树脂部20的半导体装置1。再有，聚酰亚胺或PBO等感光性有机类绝缘构件也可以是环氧树脂，在该情况下，通过对图2E所示的第一树脂部20涂布后研磨，从而生成图2A所示的包含第一树脂部20的半导体装置1。
[0032]根据第一实施方式的半导体装置1及其制造方法，通过以使得密封SiC半导体基板10上的第二电极18的方式来设置第一树脂部20，从而能够谋求在WL
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CSP中将SiC作为半导体基板的半导体装置的可靠性的提高。此外，在想要使SiC半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其中，具备：SiC半导体基板，包含扩散层；第一电极，设置在所述SiC半导体基板上；第二电极，设置在所述第一电极上；以及树脂部，为与所述SiC半导体基板的平面尺寸大致相同的平面尺寸，并且被设置成密封所述第二电极。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述树脂部是第一树脂部，还具备：第二树脂部，与所述第一电极相接；以及第三树脂部，被设置成与所述第一电极和所述第二电极相接，所述第三树脂部的开口比所述第二树脂部的开口窄。3.一种半导体装置的制造方法，其中，包含：针对包括包含扩散层的SiC半导体基板、以及设置在所述SiC半导体基板上的第一电极的基板来配置规定的掩模材料而在所述第一电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：小汲泰一，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：