存储器装置、具有存储器装置的存储器系统及其写入方法制造方法及图纸

提供一种存储器装置、具有存储器装置的存储器系统及其写入方法。一种存储器装置包括：第一存储器块，其限定在第一晶片中；以及第二存储器块，其限定在相对于第一晶片设置在垂直方向上的第二晶片中。第一存储器块的尺寸小于第二存储器块的尺寸。第二存储器块的尺寸。第二存储器块的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置、具有存储器装置的存储器系统及其写入方法


[0001]各种实施方式总体涉及半导体技术，更具体地，涉及一种存储器装置、具有该存储器装置的存储器系统及其写入方法。

技术介绍

[0002]随着对便携式电话、移动存储器装置和数码相机的需求增加，对主要用作这些产品的存储器装置的非易失性存储器装置的需求也在增加。在非易失性存储器装置中，闪存存储器装置广泛用作数据存储装置。最近，为了提高存储器装置的集成度，已经积极研究了其中存储器单元被三维层叠的三维非易失性存储器装置。

技术实现思路

[0003]各种实施方式涉及能够提高存储器的使用效率的措施。
[0004]此外，各种实施方式涉及能够提高存储器的性能的措施。
[0005]在一个实施方式中，一种存储器装置可以包括：第一存储器块，其限定在第一晶片中；以及第二存储器块，其限定在相对于第一晶片设置在垂直方向上的第二晶片中。第一存储器块的尺寸可以小于第二存储器块的尺寸。
[0006]在一个实施方式中，一种存储器装置可以包括：第一晶片，其包括第一基板以及多个第一电极层和多个第一层间介电层，所述多个第一电极层和所述多个第一层间介电层在第一基板的顶表面上沿着在垂直方向上突出的第一垂直沟道交替层叠；以及第二晶片，其设置在第一晶片上，并且包括第二基板以及多个第二电极层和多个第二层间介电层，所述多个第二电极层和所述多个第二层间介电层在第二基板的底表面上沿着在垂直方向上突出的第二垂直沟道交替层叠。每一个第二电极层可以包括焊盘部。第一晶片可以包括介电叠层，该介电叠层在垂直方向上与第二电极层的焊盘部交叠，并且由交替层叠的多个介电层和多个第一层间介电层配置。
[0007]在一个实施方式中，一种存储器系统可以包括：存储器装置；以及存储器控制器。存储器装置可以包括：小块，其限定在第一晶片中；以及大块，其限定在第二晶片中，第二晶片相对于第一晶片设置在垂直方向上。存储器控制器可以通过参照请求写入的数据的尺寸将数据存储在小块或大块中。
[0008]在一个实施方式中，一种包括小块和大块的存储器装置的数据写入方法可以包括以下步骤：接收写入请求；检测请求写入的数据的尺寸；以及根据检测结果将数据存储在小块或大块中。
附图说明
[0009]图1是示意性示出根据本公开的实施方式的存储器装置的示例的表示的框图。
[0010]图2是示出图1所示的存储器装置的示例的表示的示意性立体图。
[0011]图3是示出图2所示的第一晶片和第二晶片的示意性布置的示例的表示的图。
[0012]图4是示出图3所示的第一晶片和第二晶片的详细结构的示例的表示的截面图。
[0013]图5是示出图3所示的第一存储器块和第二存储器块的示例的表示的电路图。
[0014]图6是示出图2所示的第一晶片和第二晶片的另一示意性布置的示例的表示的图。
[0015]图7是示出图6所示的第一晶片和第二晶片的详细结构的示例的表示的截面图。
[0016]图8是示出图6所示的第一存储器块和第二存储器块的示例的表示的电路图。
[0017]图9是示出图2所示的第一晶片和第二晶片的另一示意性布置的示例的表示的图。
[0018]图10是示出图9所示的第一晶片和第二晶片的详细结构的示例的表示的截面图。
[0019]图11是示出图9所示的第一存储器块和第二存储器块的示例的表示的电路图。
[0020]图12是示出图2所示的第一晶片和第二晶片的另一示意性布置的示例的表示的图。
[0021]图13是示出图12所示的第一晶片和第二晶片的详细结构的示例的表示的截面图。
[0022]图14是示出图12所示的第一存储器块和第二存储器块的示例的表示的电路图。
[0023]图15是示出图2所示的第一晶片和第二晶片的另一示意性布置的示例的表示的图。
[0024]图16是示出图15所示的第一晶片和第二晶片的详细结构的示例的表示的截面图。
[0025]图17是示出图15所示的第一存储器块和第二存储器块的示例的表示的电路图。
[0026]图18是示出图2所示的第一晶片和第二晶片的另一示意性布置的示例的表示的图。
[0027]图19是示出图18的第一晶片和第二晶片的详细结构的示例的表示的截面图。
[0028]图20是示出图18的第一存储器块和第二存储器块的示例的表示的电路图。
[0029]图21是示出根据本公开的实施方式的存储器装置的位线和页缓冲器电路之间的联接结构的示例的表示的截面图。
[0030]图22是示出根据本公开的实施方式的存储器装置的行线和行解码器之间的联接结构的示例的表示的截面图。
[0031]图23是示出图22的第一联接区的主要组成元件的示例的表示的俯视图。
[0032]图24A至图24E是示出根据本公开的实施方式的制造第一晶片的存储器结构的步骤的示例的截面图。
[0033]图25是示出根据本公开的实施方式的存储器装置的行线和行解码器之间的另一联接结构的示例的表示的截面图。
[0034]图26A和图26B是示出根据本公开的实施方式的存储器装置的擦除操作中偏压条件的示例的表示的图表。
[0035]图27是示出根据本公开的实施方式的存储器系统的示例的表示的示意性框图。
[0036]图28是帮助解释根据本公开的实施方式的写入方法的流程图的示例的表示。
[0037]图29A至图29D是帮助解释根据本公开的实施方式的存储器块管理方法的图的示例的表示。
[0038]图30是示意性示出根据本公开的实施方式的包括存储器装置的计算系统的示例的表示的框图。
具体实施方式
[0039]本公开的优点和特征及其实现方法将从下面参照附图的描述的对本文的示例性实施方式的描述中变得显而易见。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施方式，而是可以以各种不同的方式实现。本公开的示例性实施方式向本领域技术人员传达了本公开的范围。
[0040]因为附图中给出的描述本公开的实施方式的元件的数值、尺寸、比率、角度、数量仅是例示性的，所以本公开不限于所示的内容。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的部件。在描述本公开时，当确定相关技术的详细描述可能模糊本公开的要点或清晰度时，将省略其详细描述。应当注意或理解，说明书和权利要求书中使用的术语“包括”、“具有”、“包含”等不应被解释为限于其后所列的手段，除非另有具体说明。在当提及单数名词时使用不定冠词或定冠词(例如，“一”、“一个”或“该”)时，该冠词可包括复数个该名词，除非另有特别说明。
[0041]在解释本公开的实施方式中的元件时，即使没有明确的描述，仍应将其解释为包括误差容限。
[0042]此外，在描述本公开的组件时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)和(b)的术语。这些术语仅用于区分一个组件和另一个组件的目的，而并不限制组件的物质、次序、顺序或数量。此外，本公开的实施方式中的组件受本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：第一存储器块，所述第一存储器块限定在第一晶片中；以及第二存储器块，所述第二存储器块限定在第二晶片中，所述第二晶片相对于所述第一晶片设置在垂直方向上，其中，所述第一存储器块的尺寸小于所述第二存储器块的尺寸。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一存储器块中的存储器单元的数量小于所述第二存储器块中的存储器单元的数量。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一存储器块和所述第二存储器块中的每一个包括层叠在基板上的多条字线和联接到所述多条字线的多个存储器单元，并且其中，联接到所述第一存储器块中的所述多条字线中的每一条的存储器单元的数量小于联接到所述第二存储器块中的所述多条字线中的每一条的存储器单元的数量。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一存储器块和所述第二存储器块中的每一个包括多个单元串，并且其中，所述第一存储器块中的单元串的数量小于所述第二存储器块中的单元串的数量。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一存储器块和所述第二存储器块中的每一个包括：多个电极层和多个层间介电层，所述多个电极层和所述多个层间介电层在所述垂直方向上交替层叠在基板上；以及多个垂直沟道，所述多个垂直沟道穿过所述多个电极层和所述多个层间介电层，并且其中，包括在所述第一存储器块中的垂直沟道的数量小于包括在所述第二存储器块中的垂直沟道的数量。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一存储器块和所述第二存储器块中的每一个包括多条位线和联接到所述多条位线的多个单元串，并且其中，联接到所述第一存储器块中的所述多条位线中的每一条的单元串的数量小于联接到所述第二存储器块中的所述多条位线中的每一条的单元串的数量。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一存储器块和所述第二存储器块中的每一个包括：多条字线和多个层间介电层，所述多条字线和所述多个层间介电层在所述垂直方向上交替层叠在基板上；以及多个垂直沟道，所述多个垂直沟道在所述垂直方向上穿过所述多条字线和所述多个层间介电层，其中，所述垂直沟道联接到在平行于所述基板的顶表面的第一方向上延伸的多条位线，并且其中，所述第一存储器块在所述第一方向上的宽度小于所述第二存储器块在所述第一方向上的宽度。8.根据权利要求1所述的存储器装置，
其中，所述第一存储器块和所述第二存储器块中的每一个包括单元串，并且所述第一存储器块的所述单元串中的存储器单元的数量小于所述第二存储器块的所述单元串中的存储器单元的数量。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一存储器块和所述第二存储器块中的每一个包括：多条字线和多个层间介电层，所述多条字线和所述多个层间介电层在基板上交替层叠；以及多个垂直沟道，所述多个垂直沟道在所述垂直方向上穿过所述多条字线和所述多个层间介电层，并且其中，包括在所述第一存储器块中的字线的层叠数量小于包括在所述第二存储器块中的字线的层叠数量。10.根据权利要求1所述的存储器装置，该存储器装置还包括：第一位线，所述第一位线限定在所述第一晶片中并且联接到所述第一存储器块；第二位线，所述第二位线限定在所述第二晶片中并且联接到所述第二存储器块；第一接合焊盘，所述第一接合焊盘设置在所述第一晶片的接合到所述第二晶片的一个表面上，并且联接到所述第一位线；以及第二接合焊盘，所述第二接合焊盘设置在所述第二晶片的接合到所述第一晶片的一个表面上，联接到所述第二位线，并且接合到所述第一接合焊盘。11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一晶片还包括用于控制所述第一存储器块和所述第二存储器块的操作的逻辑电路，并且其中，所述逻辑电路设置在所述第一存储器块下方的基板上。12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二晶片还包括用于控制所述第一存储器块和所述第二存储器块的操作的逻辑电路，并且其中，所述逻辑电路设置在所述第二存储器块下方的基板上。13.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一存储器块和所述第二存储器块彼此独立地进行擦除。14.一种存储器装置，该存储器装置包括：第一晶片，所述第一晶片包括第一基板以及多个第一电极层和多个第一层间介电层，所述多个第一电极层和所述多个第一层间介电层在所述第一基板的顶表面上沿着在垂直方向上突出的第一垂直沟道交替层叠；以及第二晶片，所述第二晶片设置在所述第一晶片上，并且包括第二基板以及多个第二电极层和多个第二层间介电层，所述多个第二电极层和所述多个第二层间介电层在所述第二基板的底表面上沿着在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴星来，金基洙，朴商佑，蔡东赫，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：