感测基板和电子装置制造方法及图纸

技术编号:32428991 阅读:15 留言:0更新日期:2022-02-24 18:34
一种感测基板和包括该感测基板的电子装置。该感测基板包括位于衬底基板上的感测单元。感测单元包括感测元件以及导电图案,感测元件位于衬底基板上并且具有相对的入光面和背光面以及位于入光面和背光面之间的侧表面,入光面位于背光面的背离衬底基板的一侧。导电图案位于感测元件的背离衬底基板的一侧并且具有镂空部以及围绕镂空部的透明导电部,镂空部在衬底基板上的正投影至少部分位于感测元件在衬底基板上的正投影之内,并且透明导电部在衬底基板上的正投影与感测元件的侧表面在衬底基板上的正投影至少部分交叠。该感测基板可以避免包括其的电子装置在成像时出现图像不均的现象。不均的现象。不均的现象。

【技术实现步骤摘要】
感测基板和电子装置


[0001]本公开实施例涉及一种感测基板和包括该感测基板的电子装置。

技术介绍

[0002]X射线平板探测器可以将肉眼看不到的“X射线”转换为最终能转变为图像的“数字化信号”。X射线平板探测器(FPXD)具有信号读取IC(Integrated Circuit)灵敏度高、能够探测到细微电量变化的优点。
[0003]非晶硅(a-Si)X射线平板探测器是X射线领域数字化X射线摄影系统(Digital Radiography,DR)的核心探测成像部件之一,而且与CMOS、CCD结构相比具有更长的X射线辐照寿命和稳定性,因此也逐渐成为目前以及未来市场的主流需求。
[0004]a-Si FPXD核心技术之一在于像素设计,好的像素设计能确保有效感光结构所占像素面积比例(又称像素填充率)尽可能大;而在像素填充率一定的情况下,像素入光侧的光透过率也应尽可能大,因此感光结构的入光侧的电极一般采用透明导电材料制作。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供一种感测基板和包括该感测基板的电子装置,该感测基板可以避免电子装置在成像的过程中出现图像不均的现象。
[0006]本公开实施例提供一种感测基板,其包括衬底基板、以及位于所述衬底基板上的感测单元。所述感测单元包括:感测元件,其位于所述衬底基板上,其中,所述感测元件具有相对的入光面和背光面以及位于所述入光面和所述背光面之间的侧表面,所述入光面位于所述背光面的背离所述衬底基板的一侧;以及导电图案,其位于所述感测元件的背离所述衬底基板的一侧,其中,所述导电图案具有镂空部以及围绕所述镂空部的透明导电部,所述镂空部在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述感测元件在所述衬底基板上的正投影之内,并且所述透明导电部在所述衬底基板上的正投影与所述感测元件的所述侧表面在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
[0007]例如,所述侧表面在所述衬底基板上的正投影位于所述透明导电部在所述衬底基板上的正投影内部。
[0008]例如,所述透明导电部在所述衬底基板上的正投影为封闭的框型结构。
[0009]例如,所述导电图案被配置为在所述感测元件工作时被施加固定电压。
[0010]例如,所述的感测基板还包括位于所述衬底基板上的偏压线层、第一绝缘层和第二绝缘层,其中,所述偏压线层包括偏压信号线,所述偏压线层包括偏压信号线,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述第一绝缘层位于所述感测元件和所述导电图案之间;所述第二绝缘层位于所述偏压信号线和所述导电图案之间。
[0011]例如,所述导电图案包括超出所述感测元件的所述入光面的导电图案拓展部;所述感测元件的所述入光面在所述衬底基板上的正投影具有凹陷部,所述凹陷部容纳至少部分所述导电图案拓展部在所述衬底基板上的正投影。
[0012]例如,所述偏压信号线电连接所述感测元件并且电连接所述导电图案。
[0013]例如,所述第二绝缘层包括贯穿所述第二绝缘层的过孔,所述导电图案通过所述过孔电连接所述偏压信号线,所述过孔在所述衬底基板上的正投影与所述导电图案的所述透明导电部在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
[0014]例如,所述偏压信号线包括超出所述感测元件的所述入光面的偏压线超出部分,所述偏压线超出部分通过所述过孔电连接所述导电图案。
[0015]例如,所述感测单元还包括开关元件,所述开关元件在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述偏压线超出部分在所述衬底基板上的正投影之内。
[0016]例如,所述感测基板包括彼此间隔开的多个所述感测单元,多个所述感测单元的导电图案彼此独立。
[0017]例如,整个所述导电图案通过所述第二绝缘层与所述偏压信号线隔开。
[0018]例如,所述感测基板包括彼此间隔开的多个所述感测单元并且包括位于所述衬底基板上的彼此间隔开的多个第一导电桥和彼此间隔开的多个第二导电桥,每个第一导电桥沿第一方向延伸并且电连接在所述第一方向上相邻的感测单元的导电图案,每个第二导电桥沿第二方向延伸并且电连接在所述第二方向上相邻的感测单元的导电图案,所述第二方向不同于所述第一方向。
[0019]例如,多个所述感测单元的导电图案排列成多个导电图案列、多个第一导电图案行和多个第二导电图案行;同一导电图案列中相邻的导电图案通过所述第一导电桥电连接;同一第一导电图案行中相邻的导电图案通过所述第二导电桥电连接;同一第二导电图案行中相邻的导电图案彼此独立;所述多个第一导电图案行和所述多个第二导电图案行交替设置。
[0020]例如,所述偏压线层包括彼此间隔开的多条所述偏压信号线,每条偏压信号线在所述衬底基板上的正投影与沿所述第一方向依次排列的第一导电桥在所述衬底基板上的正投影交叠。
[0021]例如,所述感测基板包括感测区和围绕所述感测区的边框区;在所述边框区中,所述感测基板包括位于所述衬底基板上的偏压短路环以及彼此间隔开的多个第三导电桥,所述偏压短路环通过所述多个第三导电桥分别电连接与所述偏压短路环紧邻的感测单元的导电图案。
[0022]例如,所述感测基板还包括绑定区以及保护图案,所述偏压线层包括位于所述绑定区的偏压线信号端,所述保护图案与所述导电图案位于同一层中且位于所述绑定区中,所述保护图案与所述偏压线信号端直接接触。
[0023]例如,所述感测单元还包括开关元件,所述开关元件电连接所述感测元件,并且所述开关元件在所述衬底基板上的正投影位于所述感测元件的所述入光面在所述衬底基板上的正投影之外。
[0024]例如,所述导电图案在所述衬底基板上的正投影与至少部分所述开关元件在所述衬底基板上的正投影交叠。
[0025]例如,所述感测元件包括相对设置的第一电极和第二电极,所述第一电极在垂直于所述衬底基板的方向上位于所述第二电极与所述衬底基板之间;所述感测元件还包括在垂直于所述衬底基板的方向上位于所述第一电极和所述第二电极之间的半导体层,所述透
明导电部在所述衬底基板上的正投影与所述半导体层的侧表面在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
[0026]本公开实施例提供一种电子装置,其包括以上任一项实施例所述的感测基板。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
[0028]图1为一种X射线平板探测器的像素结构的简化剖视示意图。
[0029]图2A为本公开实施例提供的感测基板的局部俯视示意图一。
[0030]图2B为沿图2A中的A-B线和M-N线的剖视示意图一。
[0031]图2C为沿图2A中的A-B线和M-N线的剖视示意图二。
[0032]图3A为本公开实施例提供的感测基板的局部俯视示意图二。
[0033]图3B为沿图3A中的A-B和M-N线的剖视示意图一。
[0034]图3C为沿图3A中的A-B和M-N线的剖视示本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种感测基板,包括:衬底基板,以及位于所述衬底基板上的感测单元,其中,所述感测单元包括:感测元件,其位于所述衬底基板上,其中,所述感测元件具有相对的入光面和背光面以及位于所述入光面和所述背光面之间的侧表面,所述入光面位于所述背光面的背离所述衬底基板的一侧;以及导电图案,其位于所述感测元件的背离所述衬底基板的一侧,其中,所述导电图案具有镂空部以及围绕所述镂空部的透明导电部,所述镂空部在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述感测元件在所述衬底基板上的正投影之内,并且所述透明导电部在所述衬底基板上的正投影与所述感测元件的所述侧表面在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。2.如权利要求1所述的感测基板,其中,所述侧表面在所述衬底基板上的正投影位于所述透明导电部在所述衬底基板上的正投影内部。3.如权利要求1所述的感测基板,其中,所述透明导电部在所述衬底基板上的正投影为封闭的框型结构。4.如权利要求1所述的感测基板,其中,其中,所述导电图案被配置为在所述感测元件工作时被施加固定电压。5.如权利要求1所述的感测基板,还包括位于所述衬底基板上的偏压线层、第一绝缘层和第二绝缘层,其中,所述偏压线层包括偏压信号线,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述第一绝缘层位于所述感测元件和所述导电图案之间;所述第二绝缘层位于所述偏压信号线和所述导电图案之间。6.如权利要求1所述的感测基板,其中,所述导电图案包括超出所述感测元件的所述入光面的导电图案拓展部;所述感测元件的所述入光面在所述衬底基板上的正投影具有凹陷部,所述凹陷部容纳至少部分所述导电图案拓展部在所述衬底基板上的正投影。7.如权利要求5所述的感测基板,其中,所述偏压信号线电连接所述感测元件并且电连接所述导电图案。8.如权利要求7所述的感测基板,其中,所述第二绝缘层包括贯穿所述第二绝缘层的过孔,所述导电图案通过所述过孔电连接所述偏压信号线,所述过孔在所述衬底基板上的正投影与所述导电图案的所述透明导电部在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。9.如权利要求8所述的感测基板,其中,所述偏压信号线包括超出所述感测元件的所述入光面的偏压线超出部分,所述偏压线超出部分通过所述过孔电连接所述导电图案。10.如权利要求9所述的感测基板,其中,所述感测单元还包括开关元件,所述开关元件在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述偏压线超出部分在所述衬底基板上的正投影之内。11.如权利要求5所述的感测基板,其中,所述感测基板包括彼此间隔开的多个所述感测单元,多个所述感测单元的导电图案彼此独立。12.如权利要求5所述的感测基板,其中,整个所述导电图案通过所述第二绝缘层与所述偏压信号线隔开。<...

【专利技术属性】
技术研发人员:张冠尚建兴夏会楠赵斌
申请(专利权)人:北京京东方传感技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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