光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路技术

本申请提供一种光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路，光电子集成基板中的光学传感器采用第一光电二极管和第二光电二极管层叠设置的结构，且第一光电二极管和第二光电二极管至少部分交叠，第一光电二极管吸收的信号光的波长与第二光电二极管吸收的信号光的波长不同。本申请通过使两个光电二极管分别吸收不同波长的光信号，实现双通道通信，提高了通信速度，并且由于两个光电二极管互相交叠，也避免了额外增加像素面积，有利于显示功能的集成。能的集成。能的集成。

【技术实现步骤摘要】
光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路


[0001]本申请涉及光电
，具体而言，本申请涉及一种光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路。

技术介绍

[0002]可见光通信技术是使用可见光作为信息载体的通信技术。其具有低能耗、绿色低碳的优点。另外，由于是光通信技术，可有效避免传统无线电通讯电磁信号泄露的风险，保密性和可靠性较高。鉴于上述优点，可见光通信受到了人们越来越多的重视，其应用也日益广泛。
[0003]在可见光通信技术中，通常使用光电子集成基板将接收到的光信号转化为电信号。然而，现有的光电子集成基板存在通讯速度较慢，以及像素面积较大不利于显示集成的问题。

技术实现思路

[0004]本申请针对现有方式的缺点，提出一种光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路，用以解决现有技术中的光电子集成基板存在的通讯速度较慢，以及像素面积较大不利于显示集成的问题。
[0005]第一个方面，本申请实施例提供了一种光电子集成基板，包括：
[0006]衬底；
[0007]电子元件，位于所述衬底一侧；
[0008]光学传感器，位于所述衬底一侧，所述光学传感器与所述电子元件电连接，所述光学传感器包括层叠设置的第一光电二极管和第二光电二极管，所述第一光电二极管在所述衬底上的正投影和所述第二光电二极管在所述衬底上的正投影至少部分交叠，所述第一光电二极管吸收的信号光的波长与所述第二光电二极管吸收的信号光的波长不同。
[0009]可选地，所述第一光电二极管位于所述衬底一侧，所述第二光电二极管位于所述第一光电二极管远离所述衬底的一侧；
[0010]所述第一光电二极管包括第一吸收层，所述第二光电二极管包括第二吸收层；
[0011]所述第一吸收层在所述衬底上的正投影和所述第二吸收层在所述衬底上的正投影至少部分交叠，所述第一吸收层的材料与所述第二吸收层的材料不同。
[0012]可选地，所述电子元件包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层；
[0013]所述第一吸收层包括同层设置的N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层，所述第一吸收层与所述有源层同层设置，所述第二吸收层的材料包括氧化物半导体。
[0014]可选地，所述第二光电二极管包括与所述第二吸收层电连接的第二电极层，所述第二电极层与所述薄膜晶体管电连接，所述第二电极层的材料包括氧化铟锡。
[0015]可选地，所述第二光电二极管包括与所述第二吸收层电连接的第二电极层，所述第二电极层与所述薄膜晶体管电连接，所述第二电极层的材料包括金属；
[0016]所述第二电极层位于所述第二吸收层远离所述衬底的一侧，所述第二电极层在所述衬底上的正投影与所述第二吸收层在所述衬底上的正投影部分重叠；或，所述第二电极层位于所述第二吸收层靠近所述衬底的一侧，所述第二电极层在所述衬底上的正投影与所述第二吸收层在所述衬底上的正投影部分重叠。
[0017]可选地，所述电子元件包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层；
[0018]所述第一吸收层包括同层设置的N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层，所述第一吸收层与所述有源层同层设置，所述第二吸收层包括依次层叠设置的N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层。
[0019]可选地，所述第二光电二极管包括第二电极层，所述第二电极层与所述薄膜晶体管电连接，所述第二电极层与所述第二吸收层电连接，所述第二电极层的材料包括氧化铟锡，所述第二电极层位于所述第二吸收层靠近所述衬底的一侧。
[0020]可选地，所述光电子集成基板还包括平坦化层，所述平坦化层位于所述第一光电二极管和所述第二光电二极管之间；
[0021]所述平坦化层在所述衬底上的正投影、所述第一吸收层在所述衬底上的正投影以及所述第二吸收层在所述衬底上的正投影至少部分交叠，所述平坦化层的材料包括彩色树脂材料。
[0022]可选地，所述第二吸收层在所述衬底上的正投影与所述第一吸收层在所述衬底上的正投影完全重叠。
[0023]第二个方面，本申请实施例提供了一种光电子集成电路，包括本申请实施例中的光电子集成基板。
[0024]第三个方面，本申请实施例提供了一种光电子集成基板的制作方法，包括：
[0025]提供一衬底；
[0026]在所述衬底的一侧制作电子元件和光学传感器；其中，所述光学传感器与所述电子元件电连接，所述光学传感器包括第一光电二极管和第二光电二极管，所述第一光电二极管在所述衬底上的正投影和所述第二光电二极管在所述衬底上的正投影至少部分交叠；所述第一光电二极管吸收的信号光的波长与所述第二光电二极管吸收的信号光的波长不同。
[0027]可选地，所述电子元件包括薄膜晶体管，所述在所述衬底的一侧制作电子元件和光学传感器，包括：
[0028]通过构图工艺在所述衬底的一侧制作第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层位于需要制作所述薄膜晶体管的区域，所述第二多晶硅层位于需要制作所述光学传感器的区域；
[0029]通过构图工艺和掺杂工艺对所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层进行掺杂，对所述第一多晶硅层掺杂后形成所述薄膜晶体管的有源层，对所述第二多晶硅层掺杂后形成吸收层；
[0030]通过构图工艺在所述有源层远离所述衬底的一侧制作栅极层和源漏极层，以形成所述薄膜晶体管；在所述吸收层远离所述衬底的一侧制作电极层，以形成所述光学传感器中的一个光电二极管；
[0031]在所述一个光电二极管远离所述衬底的一侧制作所述光学传感器中的另一个光
电二极管，并使两个所述光电二极管的正投影在所述衬底上至少部分交叠。
[0032]可选地，所述在所述一个光电二极管远离所述衬底的一侧制作所述光学传感器中的另一个光电二极管，包括：
[0033]通过构图工艺在所述一个光电二极管远离所述衬底的一侧制作氧化物半导体层；
[0034]通过构图工艺在所述氧化物半导体层远离所述衬底的一侧制作导电层，所述导电层与所述氧化物半导体层构成所述光学传感器中的另一个光电二极管。
[0035]可选地，所述在所述一个光电二极管远离所述衬底的一侧制作所述光学传感器中的另一个光电二极管，包括：
[0036]通过构图工艺在所述一个光电二极管远离所述衬底的一侧制作透明导电层，并使所述透明电极层与所述源漏极层电连接；
[0037]通过构图工艺在所述透明电极层远离所述衬底的一侧依次制作N型半导体层、本征半导体层、P型半导体层和导电层，以形成所述光学传感器中的另一个光电二极管。
[0038]本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
[0039]本申请实施例中的光电子集成基板包括的光学传感器采用两个光电二极管交叠设置的结构，由于两个光电二极管分别吸收不同波长的信号光，因此能够实现双通道通信，提高了通信速度，并且由于两个光电二极管互相交叠，也避免了额外增加像素面积，有利于显示功能的集成。
[0040]本申请附加的方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电子集成基板，其特征在于，包括：衬底；电子元件，位于所述衬底一侧；光学传感器，位于所述衬底一侧，所述光学传感器与所述电子元件电连接，所述光学传感器包括层叠设置的第一光电二极管和第二光电二极管，所述第一光电二极管在所述衬底上的正投影和所述第二光电二极管在所述衬底上的正投影至少部分交叠，所述第一光电二极管吸收的信号光的波长与所述第二光电二极管吸收的信号光的波长不同。2.根据权利要求1所述的光电子集成基板，其特征在于，所述第一光电二极管位于所述衬底一侧，所述第二光电二极管位于所述第一光电二极管远离所述衬底的一侧；所述第一光电二极管包括第一吸收层，所述第二光电二极管包括第二吸收层；所述第一吸收层在所述衬底上的正投影和所述第二吸收层在所述衬底上的正投影至少部分交叠，所述第一吸收层的材料与所述第二吸收层的材料不同。3.根据权利要求2所述的光电子集成基板，其特征在于，所述电子元件包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层；所述第一吸收层包括同层设置的N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层，所述第一吸收层与所述有源层同层设置，所述第二吸收层的材料包括氧化物半导体。4.根据权利要求3所述的光电子集成基板，其特征在于，所述第二光电二极管包括与所述第二吸收层电连接的第二电极层，所述第二电极层与所述薄膜晶体管电连接，所述第二电极层的材料包括氧化铟锡。5.根据权利要求3所述的光电子集成基板，其特征在于，所述第二光电二极管包括与所述第二吸收层电连接的第二电极层，所述第二电极层与所述薄膜晶体管电连接，所述第二电极层的材料包括金属；所述第二电极层位于所述第二吸收层远离所述衬底的一侧，所述第二电极层在所述衬底上的正投影与所述第二吸收层在所述衬底上的正投影部分重叠；或，所述第二电极层位于所述第二吸收层靠近所述衬底的一侧，所述第二电极层在所述衬底上的正投影与所述第二吸收层在所述衬底上的正投影部分重叠。6.根据权利要求2所述的光电子集成基板，其特征在于，所述电子元件包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层；所述第一吸收层包括同层设置的N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层，所述第一吸收层与所述有源层同层设置，所述第二吸收层包括依次层叠设置的N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层。7.根据权利要求6所述的光电子集成基板，其特征在于，所述第二光电二极管包括第二电极层，所述第二电极层与所述薄膜晶体管电连接，所述第二电极层与所述第二吸收层电连接，所述第二电极层的材料包括氧化铟锡，所述第二电极层位于所述第二吸收层靠近所述衬底的一侧。8.根据权利要求2至7中任意一项所述的光电子集成基板，其特征在于，所述光电子集成基板还包括平坦化层，所述平坦化层位于所述第一光电二极管和所述第二光电...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄睿，顾鹏飞，朱海彬，王伟杰，王佳斌，李扬冰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：