【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种掩膜板和显示基板。
技术介绍
1、相移掩模(phase shift mask,psm)技术是提高光刻分辨率的重要技术。通过在掩膜板空白区域增加或减少透明和半透明介质的比例，使光产生相位差。可抵消部分衍射扩展效应，改变空间光强分布，将更多能量从低频调整至高频，弥补曝光机透镜通低频阻高频的缺点，增大空间图像反差。
2、液晶显示产品中的窄边框显示产品由于曝光机解像力无法满足设计需求，所以使用psm技术进行生产。由于边框的窄化，且不同信号线之间加载的信号不同时，需要增大间距以避免信号之间的干扰，多种综合因素，导致目前窄边框显示产品的信号走线会存在断线或短路的不良问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种掩膜板和显示基板，以改善窄边框显示产品的信号走线存在的断线或短路不良问题。
2、本专利技术实施例提供一种掩膜板，包括：第一相移掩膜区；所述第一相移掩膜区包括：第一遮光部，第二遮光部，位于所述第一遮光部与所述第二遮光部之间的第一透光部；所述第...
【技术保护点】
1.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括：第一相移掩膜区；所述第一相移掩膜区包括：第一遮光部，第二遮光部，位于所述第一遮光部与所述第二遮光部之间的第一透光部；所述第一遮光部、所述第二遮光部均沿第一方向延伸；
2.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一相移掩膜区还包括：位于所述第一遮光部远离所述第二遮光部一侧的第三遮光部；
3.如权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括：第二相移掩膜区；所述第二相应掩膜区包括：多个第四遮光部；
4.如权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括：第一掩膜区；所述第一掩膜区...
【技术特征摘要】
1.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括：第一相移掩膜区；所述第一相移掩膜区包括：第一遮光部，第二遮光部，位于所述第一遮光部与所述第二遮光部之间的第一透光部；所述第一遮光部、所述第二遮光部均沿第一方向延伸；
2.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一相移掩膜区还包括：位于所述第一遮光部远离所述第二遮光部一侧的第三遮光部；
3.如权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括：第二相移掩膜区；所述第二相应掩膜区包括：多个第四遮光部；
4.如权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括：第一掩膜区；所述第一掩膜区包括：多个第五遮光部，以及位于相邻所述第五遮光部之间的第二透光部；
5.如权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述第一间距大于或等于临界线距，所述临界线距大于所述极限线距且小于所述解像力值；
6.如权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：江阔，侯学成，宁云龙，覃一锋，王琪，孙同虎，吴申康，纪全增，邢东明，葛壮，吴兵，
申请(专利权)人：北京京东方传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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