【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电化学电源领域，具体涉及一种锂离子电池硅/锡二元储锂母体复合负极 材料的制备方法技术。
技术介绍
单质硅作为锂离子电池负极具有理论容量高、嵌锂电位低(小于0.5V)等优点，但其 在反复充放电时存在巨大的体积效应，导致活性物质颗粒粉化失效，容量因此快速衰减， 使得硅负极的实用化受阻。减小硅颗粒尺寸以降低其在嵌/脱锂过程中产生的绝对体积变 化是硅负极研究的一个重要方向。已有的研究表明，如果将硅颗粒降低到微米或纳米级 就能显著地改善其循环性能。目前在这方面的研究多以纳米(<100nm)硅粉为嵌/脱锂 主体，将其均匀分散在另一种体积变化不明显的非活性相，如无定形碳中，以避免硅颗 粒在反复充放电过程中重新团聚发生"电化学烧结"，并引发产生新的体积效应。相关 的研究首先就涉及到纳米硅粉的制备。常见的制备方法有离子注入、电化学刻蚀、磁控 溅射和激光诱导化学气相沉积等。在这些方法中，激光法最有可能与现有硅工艺技术兼 容，因此得到了长足的发展。激光法制备纳米硅粉过程中，反应动力的来源主要是SiH4 气体分子对于C02激光的共振吸收，并被加热离解产生过饱和硅蒸...
【技术保护点】
一种球形锂离子电池硅／锡二元储锂母体复合负极材料的制备方法，其特征在于：将含硅氧化物与金属锂和石墨在惰性气氛下混合后机械球磨５－１０小时，再加入含锡氧化物继续球磨１－５小时得到硅／锡二元储锂母体复合负极材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨学林，张露露，张鹏昌，田瑞珍，游敏，
申请(专利权)人：三峡大学，
类型：发明
国别省市：42[中国|湖北]
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