【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及锂离子二次电池，并且更具体地说涉及锂离子二次电 池的负极。
技术介绍
随着便携式装置例如个人计算机和蜂窝电话的最近发展，日益需 要用作此类装置的主电源的电池。在此类应用中，需要电池在室温下 工作并且提供高的能量密度和优异的循环特性。为了满足这种需求，硅(Si)或锡(Sn)以及它们的氧化物或合金被看作可以提供显著高容量 的有前途的负极活性材料。但是，当这种材料吸收锂时，其晶体结构改变，从而其体积增加。 充电/放电时活性材料大的体积变化导致例如活性材料与集流体之间 不良的接触，并因此导致充电/放电循环寿命的降低。日本专利第3702224号(以下称作"专利文献1")建议通过气相 沉积或溅射在铜箔上形成无定形硅薄膜。专利文献1声称由于铜在硅 薄膜中的扩散，硅薄膜牢固地结合到铜箔上，因此甚至硅的膨胀也不 会导致集流性能的降低。但是，因为铜在硅中的扩散系数是高的，所以铜可能过度地扩散 入硅薄膜中。结果，铜箔变脆，此外铜与硅合金化，导致充电/放电 容量的降低。日本特开第2002-373644号("专利文献2")建议在集流体的表 面上形成由Mo或W制成的中间层。中...
【技术保护点】
一种用于锂离子二次电池的负极，其包括集流体、在所述集流体的表面上形成的中间层、以及在所述中间层上形成的活性材料层， 其中所述集流体包含能够与硅合金化的金属， 所述活性材料层包含含硅的活性材料， 所述中间层包含硅和氧，并且 所述中间层防止所述能与硅合金化的金属扩散入所述活性材料层中。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：古结康隆，宇贺治正弥，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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