【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电池负极的制备方法，尤其涉及一种锂离子二次电池负 极的制备方法。
技术介绍
锂离子二次电池由于具有体积小、能量密度大等特点，在移动通信设备、 数码相机、笔记本电脑等电子产品被广泛作为主流电源使用。目前传统的锂 钴氧/石墨体系的二次电池的容量已接近其理论最高容量，很难通过提高敷料 密度、减小集电体或隔膜的厚度等方法来提高其体积能量密度。随着移动电子产品的更新换代，特别是手机3G时代的来临，对超高容量电池的出现提 出了迫切的要求。近年来，将硅作为锂离子电池的负极材料进行了广泛细致地^F究。硅有 晶体和无定形两种形式，其中，作为负极材料，以无定形硅的性能较佳，另 外，处于晶体和无定形之间的微晶态也可以作为负极材料。在充放电过程中， 锂可以在硅中进行脱嵌。锂插入到硅中时，可以与硅形成合金。这种硅负极 材料具有极高的比容量，理论容量可以达到4200mAh/g。但是，硅在脱嵌锂前后会产生巨大的体积变化，硅完全嵌锂后体积约膨 胀为原来的4倍。因此，在充放电过程中的如此剧烈的体积变化引发了一系 列致命的问题，例如，循环过程中负极材料的破碎、粉化引起的脱嵌锂能力...
【技术保护点】
一种锂离子二次电池负极的制备方法，所述负极包括集电体和负载在集电体上的硅，该方法包括以硅颗粒为蒸发源，通过电子束真空蒸镀方式，将硅蒸镀在集电体上，其特征在于，所述硅颗粒为在惰性气体气氛保护下或真空环境下，将原料硅进行至少一次烧结后得到的硅颗粒。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：梁桂海，康小明，李仲，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
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