芯片封装结构制造技术

技术编号:3240628 阅读:139 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种芯片封装结构,其特征在于,该结构至少包括:    一基板,具有一第一表面及对应的一第二表面,该基板还具有一贯孔,贯穿该基板,该基板还具有多个基板凸块接合垫及多个基板导线接合垫,该基板凸块接合垫位于该基板的该第一表面上,并靠近该贯孔的周围,该基板导线接合垫位于该基板的该第二表面上,并靠近该贯孔的周围;    一芯片,具有一有源表面,该芯片的该有源表面的截面积大于该基板的该贯孔的截面积,该芯片配置在该基板的该第一表面上的该贯孔处,且覆盖该基板的该贯孔,而该芯片的该有源表面面向该贯孔,该芯片还具有多个芯片凸块接合垫及多个芯片导线接合垫,该芯片导线接合垫配置在该芯片的该有源表面的中间区域上,而该芯片凸块接合垫环绕于该芯片的该有源表面的周边区域上;    多个凸块,每一个凸块分别接合该芯片凸块接合垫之一及该基板凸块接合垫之一;    多条导线,每一条该导线穿过该基板的该贯孔,且每一条该导线的一端接合该芯片导线接合垫之一,而每一条该导线的另一端接合该基板导线接合垫之一;以及    一绝缘材料,位于该芯片与该基板之间及该基板的该贯孔中,并包覆该导线及该凸块。(*该技术在2013年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种芯片封装结构,特别涉及一种打线工艺与覆片工艺并用的芯片封装结构。
技术介绍
在半导体产业中,在集成电路(Integrated Circuits,IC)设计完成之后,便会将电路图送至晶片厂,进行电路的制作,通过掺杂(doping)、金属沉积(metal deposition)、光刻(photolithography and etching)、介电层沉积(dielectricdeposition)等步骤,便制作出具有图案化线路的晶片。之后,必须将晶片传送至封装厂进行封装工艺,比如可以利用导线或是凸块使芯片与基板电性连接,并通过封装的步骤,以保护芯片及芯片与基板之间作为电性连接的部份。参照图1,其示出传统芯片封装结构的截面示意图。芯片110以其背面112并通过银胶120贴附到基板130的上表面132上,并通过导线140使芯片110与基板130电性连接,而绝缘材料150包覆芯片110及导线140,以保护芯片110并避免导线140之间产生短路的情况。另外,接点160植接在基板130之下表面134上,并且通过接点160,基板130可以与外界电路作电性连接,其中接点160可为焊球(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:李怡增
申请(专利权)人:威盛电子股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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