【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种芯片封装结构,特别涉及一种打线工艺与覆片工艺并用的芯片封装结构。
技术介绍
在半导体产业中,在集成电路(Integrated Circuits,IC)设计完成之后,便会将电路图送至晶片厂,进行电路的制作,通过掺杂(doping)、金属沉积(metal deposition)、光刻(photolithography and etching)、介电层沉积(dielectricdeposition)等步骤,便制作出具有图案化线路的晶片。之后,必须将晶片传送至封装厂进行封装工艺,比如可以利用导线或是凸块使芯片与基板电性连接,并通过封装的步骤,以保护芯片及芯片与基板之间作为电性连接的部份。参照图1,其示出传统芯片封装结构的截面示意图。芯片110以其背面112并通过银胶120贴附到基板130的上表面132上,并通过导线140使芯片110与基板130电性连接,而绝缘材料150包覆芯片110及导线140,以保护芯片110并避免导线140之间产生短路的情况。另外,接点160植接在基板130之下表面134上,并且通过接点160,基板130可以与外界电路作电性连接,其中 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员:李怡增,
申请(专利权)人:威盛电子股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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