【技术实现步骤摘要】
本技术涉及金刚石晶体管,是一种弧光放电等离子体制备导 电层的金刚石晶体管。技术背景金刚石晶体管具有许多优点，由于其形成工业化生产难度较大， 因而是本领域一直研究的重要课题之一。已经报道的金刚石晶体管均 采用金、铝、铅做电极，且无法实现包覆外壳，特别是金刚石表面制 备的半导体材料参掺杂物，使金刚石晶体管的导电特性无法达到工业 化使用的要求，更不能应用于国防工业。
技术实现思路
本技术的目的是,提供一种弧光放电等离子体制备导电层的 金刚石晶体管，使它具有导电性能好、功率大，易于操作，制造成本 相对较低等优点。本技术为实现上述目的，通过以下技术方案实现弧光放电 等离子休制备导电层的金刚石晶体管，包括外壳，外壳内包覆人造多 晶金刚石休，人造多晶金刚石体的表面上分别设置金制漏极、^制栅 极和金制源极，人造多晶金刚石体表面上用弧光放电等离子体化学气相沉淀法制备一层氢质导电层。氢质导电层的厚度是0.1 u m—0.511 m。本专利技术进一步的方案是氢质导电层的厚度是0.111111-0.211111。本技术的优点在于它采用金制漏电极、铝制栅极和金制源 极为电极,在金刚石表面用弧光放电等离子体化学气相沉淀法制备导电层，使氢质导电层纯正，无杂质，厚度达到O.lum—O.Sum，导电 层均匀一致，跨导值参数达到29ms/mm，比国外同类产品的最高值 高出20多倍，并且欧姆接触可达到10—7量级，能够工业化大批量生 产，制造成本低，易于操作，质量稳定可靠等。附图说明附图1是本技术结构示意图；附图2是附图1中A-A剖面 放大结构示意图。具体实施方式对照附图及实施例对本技术做...
【技术保护点】
弧光放电等离子体制备导电层的金刚石晶体管，其特征在于：包括外壳（１），外壳（１）内包覆人造多晶金刚石体（２），人造多晶金刚石体（２）的表面上分别设置金制漏极（Ｓ）、铝制栅极（Ｇ）和金制源极（Ｄ），人造多晶金刚石体（２）表面上用弧光放电等离子体化学气相沉淀法制备一层氢质导电层（３）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李西勤，赵仕忠，
申请(专利权)人：山东泉舜科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：88[中国|济南]
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