本发明公开了一种数控瓶盖生产线，包括下述工序：内塞上料单元、内塞装配单元、瓶嘴上料单元、瓶嘴装配单元、中套上料单元、中套装配单元、中套冲压单元、机械手取料单元、内盖上料单元、内盖装配单元、内盖拧紧单元、顶盖上料单元及顶盖装配单元，内塞上...

本实用新型提供了一种酒瓶包装盒，它包括透明座，透明座是空腔，外型呈方棱柱状，方棱柱状由四个平面及四个小斜面组成，透明座底部设有方棱柱状凸沿，透明座内安装内座，透明座外周壁与透明方棱柱罩内周壁下部连接，透明座两侧外壁中部设有凸块，方棱柱罩...

本实用新型提供了一种酒瓶包装盒，它包括底座，底座是空腔，外型呈方棱柱状，方棱柱状由四个平面及四个小斜面组成，底座底部设有方棱柱状凸沿，凸沿底部安装底板，底座外周壁与透明方棱柱罩内周壁下部连接，底座的顶面设有圆柱形凸台，凸台顶面边沿设有凸...

本实用新型提供了一种酒瓶包装盒，它包括底座，底座是空腔形方棱柱状，方棱柱状由四个平面及四个小斜面组成，空腔内安装支撑垫，底座内周壁安装内座，底座顶部安装透明方棱柱罩，内座的下部外壁与底座内壁相连，内座上部外壁与方棱柱罩的下部内壁相连，内...

本实用新型提供了一种弧光放电等离子体制备导电层的金刚石晶体管，包括外壳，外壳内包覆人造多晶金刚石体，人造多晶金刚石体的表面上分别设置金制漏极、铝制栅极和金制源极，人造多晶金刚石体表面上用弧光放电等离子体化学气相沉淀法制备一层氢质导电层。...

本发明公开了一种采用硼掺杂在金刚石表面制备半导体导电膜的方法，本发明的方法可简称微波法，是采用磁波能量激发反应气体，由于是无极放电，使等离子体纯净，同时微波放电区集中而不扩展，能够激活产生各种原子基团，如原子氢等，产生的离子的最大动能低...

本发明公开了一种采用氢掺杂在金刚石表面制备半导体导电膜的方法，本发明的方法可简称微波法，是采用磁波能量激发反应气体，由于是无极放电，使等离子体纯净，同时微波放电区集中而不扩展，能够激活产生各种原子基团，如原子氢等，产生的离子的最大动能低...

本发明提供一种金刚石晶体管及其制作方法，金刚石晶体管包括金属壳体，金属壳体内包覆金刚石体，金刚石体的表面上分别设置金制漏极Ｓ、铝制栅极Ｇ和金制源极Ｄ，金刚石体的表面上具有场效应层。它不需要在金刚石表面包覆薄膜，使其具有耐高温性能好的同时...

本发明公开了一种用弧光放电等离子体化学气相沉淀法在金刚石表面制备半导体材料的方法，将等离子体设备抽真空使其处于真空状态，将人造多晶金刚石体置入等离子体设备中，用弧光放电在人造多晶金刚石表面制作导电薄膜，制作过程持续１－１．５小时，制作温...