一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途制造技术

本发明专利技术涉及一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜，其为基于磁矩垂直于水平面的磁性材料的自旋阀磁电阻器件，包括：一衬底，其上依次沉积了缓冲层、第一磁性层、非磁金属导电层或者绝缘层、第二磁性层、反铁磁钉扎层及覆盖层，所述的第一磁性层的磁矩方向为竖直方向，第二磁性层的磁矩方向为水平方向，即第一磁性层的磁矩方向与第二磁性层的磁矩方向相互垂直。本发明专利技术提供的对磁场呈线性响应的磁性多层膜可用于磁场传感器和磁头。使用了本发明专利技术提供的磁性多层膜的磁场传感器克服了一般传感器只能探测水平方向磁场变化的缺点，在不改变传感器位置和方向的前提下，可以实现垂直方向磁场的测量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜，及其用途。
技术介绍
通常，以巨磁电阻(GMR)和隧穿电阻(TMR)为核心部分的计算机磁头，和包括地磁传感器、位置传感器、速度传感器、加速度传感器等在内的各种磁场传感器，都是利用各种磁效应进行工作的，并且都要求电阻(或电压)随外加磁场的变化呈线性响应，并且要求响应曲线能过零点(外加磁场为零)。其中，应用霍尔效应(Hall effect)的磁场传感器符合上述要求，并且由于其价格低廉，目前在市场上大部分低灵敏度的磁场传感器都采用这种技术。但是在霍尔效应中，电阻(电压)随外加磁场的变化太小，因此，这类磁场传感器灵敏度低，而且对信号放大的要求较高。对于灵敏度要求较高的磁头已均不再采用这种效应作为工作基础。各项异性磁电阻效应(AMR)是另一种制备方法简单且成本低廉的工作基础。各项异性磁电阻存在于各种磁性薄膜中，其可达最大3％的磁电阻变化。采用AMR的磁场传感器的整条磁场响应曲线不是线性变化的，仅在零点两侧基本上呈线性。因此可以采取取其间一段的方法加以应用，并且靠后期的信号处理系统修正存在的问题。但是AMR的磁电阻变化小，对磁场响应也不够灵敏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜，其为基于磁矩垂直于水平面的磁性材料的自旋阀磁电阻器件，包括：一衬底，其上依次沉积了缓冲层、第一磁性层、非磁金属导电层或者绝缘层、第二磁性层、反铁磁钉扎层及覆盖层，其特征在于：所述的第一磁性层的磁矩方向为竖直方向，第二磁性层的磁矩方向为水平方向。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏红祥，韩秀峰，赵静，杜关祥，王磊，王荫君，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]