【技术实现步骤摘要】
样品表面膜层厚度的测量方法
[0001]本专利技术涉及集成电路的制造领域,尤其涉及一种样品表面膜层厚度的测量方法。
技术介绍
[0002]为了克服二维存储器件的限制,业界已经研发并大规模量产了具有三维(3D)结构的存储器件,其通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。在以3D NAND产品为主的新产品研发中常常遇到新的工艺处理方法,其中,膜层与膜层之间的界面处理对器件的性能调节起着重要的作用,界面处理之后样品表面情况的表征也对材料分析方法提出新的要求。随着存储器更高存储密度的发展趋势,膜层的厚度也逐渐减薄,即需要形成厚度大约在1
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2埃的超薄膜层。然而,目前的光学、声学机台无法实现该数量级的厚度检测。一些表面检测方法,例如二次离子质谱技术(Secondary Ion Mass Spectrometry,SIMS)、X射线光电子能谱(XPS)、电子能量损失谱(Electron Energy Loss Spectroscopy,EELS)等在对超薄膜层进行表征时会遇到各种问题。例如,采用EELS进行测 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种样品表面膜层厚度的测量方法,包括:提供第一样品基底,所述第一样品基底不包含目标物质;在所述第一样品基底的表面上形成所述目标物质的第一膜层;采用第一表面定量分析方法检测所述第一膜层,获得所述目标物质在所述第一膜层中的含量,所述含量对应于所述第一表面定量分析方法的第一检测极限;采用第二表面定量分析方法检测所述第一膜层,获得所述目标物质的相对灵敏度因子,其中,所述第一表面定量分析方法的第一检测极限大于所述第二表面定量分析方法的第二检测极限;提供与所述第一样品基底相同的第二样品基底,在所述第二样品基底的表面上形成所述目标物质的目标膜层,所述目标膜层的厚度小于所述第一膜层的厚度;采用所述第二表面定量分析方法检测所述目标膜层,采用所述相对灵敏度因子计算所述目标物质在所述目标膜层中的原子浓度;根据所述原子浓度计算所述目标物质在所述目标膜层中的原子密度;以及根据所述原子密度和所述目标物质的参考原子密度的比值获得所述目标膜层的厚度。2.如权利要求1所述的测量方法,其特征在于,所述第一表面定量分析方法包括XPS方法。3.如权利要求2所述的测量方法,其特征在于,所述含量用平均原子浓度百分比...
【专利技术属性】
技术研发人员:林琳,佘晓羽,陈文辉,刘丽娟,刘婧,冯路,锁志勇,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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