校正电路、像素单元的读出电路及CMOS图像传感器制造技术

本发明专利技术提供了一种校正电路、像素单元的读出电路及CMOS图像传感器，该校正电路包括第一源跟随器、第二源跟随器和电容；该第一源跟随器的输入端连接斜坡发生器以获得初始斜坡电压，该第一源跟随器用于将该初始斜坡电压转换为斜坡电压；该电容的第二端连接像素电路以获得噪声电压，该电容用于耦合该第一源跟随器输出端所输出的斜坡电压和该像素电路输出的噪声电压，形成第一耦合电压；该第二源跟随器用于将第一耦合电压转换为第二耦合电压。本发明专利技术通过该校正电路，使读出电路的比较器两个输入端可以接收到同样的噪声电压，并彼此抵消，从而降低像素单元的噪声电压。而降低像素单元的噪声电压。而降低像素单元的噪声电压。

【技术实现步骤摘要】
校正电路、像素单元的读出电路及CMOS图像传感器


[0001]本专利技术涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种校正电路、像素单元的读出电路及CMOS图像传感器。

技术介绍

[0002]像素单元的噪声电压在图像上表现为较强视觉效果的孤立像素点或像素块，严重的扰乱图像质量。一般来说，噪声电压以无用的信息形式出现。通常对像素电压的处理可参照图1所示的时序图，当行选电压SEL为高电平时，选择输出某行的像素电压值，接收管RX上的电压为高电平时，由RX控制的MOS管导通，将浮置扩散节点(floating diffusion，FD)节点上的电压Vfd复位到电源PVDD的电压值，RX断开，由于沟道电荷注入效应及时钟馈通，且FD节点无任何到地通路，FD节点将保持约低于PVDD的电压值，输出像素的复位电压Vrst，RST_COUNT为高电平时，将计数器复位，当比较器与像素单元连接的电路上的开关S1的电位为高电平时，比较器复位，比较器两个输入端的电压Vinp1＝Vinm1＝Vcm电压(Vcm为比较器共模电压值)，像素单元输出的复位电压Vrst被采样到采样电容Cs1上；传本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种校正电路，其特征在于，包括第一源跟随器、第二源跟随器和电容；所述第一源跟随器的输入端连接斜坡发生器以获得初始斜坡电压，所述第一源跟随器输出端连接电容的第一端，所述第一源跟随器用于将所述初始斜坡电压转换为斜坡电压；所述电容的第二端连接像素单元以获得噪声电压，所述电容用于耦合所述第一源跟随器所输出的斜坡电压和所述像素单元输出的噪声电压，形成第一耦合电压；所述第二源跟随器的输入端连接所述电容的第一端，用于将第一耦合电压转换为第二耦合电压，所述第二耦合电压含有所述像素单元输出的噪声电压。2.根据权利要求1所述的校正电路，其特征在于，所述第一源跟随器的输入端还连接第一偏置电路；所述第二源跟随器的输入端还连接第二偏置电路。3.根据权利要求2所述的校正电路，其特征在于，所述第一源跟随器包括晶体管M1和晶体管M2；所述第一源跟随器的输入端连接斜坡发生器以获得初始斜坡电压，所述第一源跟随器输出端连接电容的第一端，包括：所述晶体管M1的源极接入电源，所述晶体管M1的漏极接入晶体管M2的源极，晶体管M1的栅极接入第一偏置电路；所述晶体管M2的漏极接地，所述晶体管M2的栅极连接斜坡发生器以获得斜坡电压。4.根据权利要求1所述的校正电路，其特征在于，所述第二源跟随器包括晶体管M3和晶体管M4；所述第二源跟随器的输入端连接所述电容的第一端，包括：所述晶体管M3的栅极输入第一耦合电压；所述晶体管M3的漏极接入电源，所述晶体管M3的源极输出第二耦合电压；所述晶体管M4的栅极接入第二偏置电路；所述晶体管M4的源极接地，所述晶体管M4的漏极接入所述晶体管M3的源极。5.根据权利要求3或4所述的校正电路，其特征在于，晶体管M1和晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：高菊，蔡化，陈飞，芮松鹏，陈正，夏天，
申请(专利权)人：成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：