【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于形成CIS型薄膜太阳能电池的光吸收层的方法。
技术介绍
CIS型薄膜太阳能电池是具有基板结构的pn异质结器件,其包含以如下顺序叠置的玻璃基板、金属背衬电极层、p型CIS光吸收层、高阻缓冲层和n型窗口层,如图7所示。当形成所述CIS光吸收层时,将包括在玻璃基板上的金属背衬电极层上如图5所示的Cu/Ga(工件2A)、Cu/In(工件2B)和Cu-Ga/In(工件2C)中的任一个的多层结构的金属前驱膜(下文中称为待被处理用于膜形成的工件)进行硒化或硫化以形成所述CIS光吸收层。已经用于硒化或硫化待被处理用于膜形成的工件的膜形成方法包括在如图6所示的圆柱石英室1A中将这些板形工件在一定间距下彼此远离地放置,并基于自然循环将所述工件硒化或硫化以形成光吸收层。在进行硒化的情况下,将所述工件(金属前驱膜)放置于所述装置中并用例如氮气的惰性气体置换在所述装置中的气氛。之后,将硒源引入并在被封装的状态下加热,并将所述工件在一定温度下保持一段时间,从而形成基于硒化物的CIS光吸收层。在进行硫化的情况下,将所述工件放置于所述装置中并用例如氮气的惰性气体置换在所述装 ...
【技术保护点】
一种形成CIS型薄膜太阳能电池的光吸收层的方法,所述CIS型薄膜太阳能电池为具有基板结构pn异质结器件,其包含以如下顺序叠置的玻璃基板、金属背衬电极层、p型CIS光吸收层、高阻缓冲层和n型窗口层,其中,该形成方法包括如下步骤中的任一 个:硒化步骤,其中待被硒化或硫化的工件(下文中称为工件)包括玻璃基板,在其上形成的金属背衬电极层,并且将在所述金属背衬电极层上形成的包含Cu/Ga、Cu/In和Cu-Ga/In中的任一个的多层结构的金属前驱膜硒化以形成基于硒化物的C IS光吸收层;硫化步骤,其中将所述工件硫化以形成基于硫化物的CIS光吸收层;和硒化/ ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:小野寺胜,栗谷川悟,田中良明,
申请(专利权)人:昭和砚壳石油株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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