【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]本公开总体地涉及半导体器件。
技术介绍
[0002]越来越需要现代半导体器件提供高速度、先进的数据处理能力，同时进一步减小它们已经紧凑的尺寸。因此，期望不断增大半导体器件的构成元件和部件的集成密度。一种用于增大半导体器件的集成密度的技术是采用垂直晶体管结构，而不是平面晶体管结构。
技术实现思路
[0003]实施方式涉及一种半导体器件，该半导体器件包括：外围电路区，在第一基板上并包括电路元件；堆叠结构，提供在设置于外围电路区上的第二基板上，并包括栅电极和与栅电极交替地堆叠的层间绝缘层，所述栅电极在第二基板的第一区上堆叠为在垂直于第二基板的上表面的第一方向上彼此间隔开，并在第二基板的第二区上在垂直于第一方向的第二方向上延伸同时具有阶梯形状；沟道结构，穿透堆叠结构，在第二基板上垂直地延伸并包括沟道层；分隔结构，穿透堆叠结构并在第二方向上延伸，并包括第一分隔图案以及设置为平行于第一分隔图案的一对第二分隔图案；贯穿区，设置在所述一对第二分隔图案之间并包括穿透第二基板的下贯穿绝缘层以及依次堆叠在下...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：外围电路区，在第一基板上并包括电路元件；堆叠结构，提供在设置于所述外围电路区上的第二基板上并包括：栅电极，在所述第二基板的第一区上堆叠为在垂直于所述第二基板的上表面的第一方向上彼此间隔开，并在所述第二基板的第二区上在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸同时具有阶梯形状，以及层间绝缘层，与所述栅电极交替地堆叠；沟道结构，穿透所述堆叠结构，在所述第二基板上垂直地延伸，并包括沟道层；分隔结构，穿透所述堆叠结构并在所述第二方向上延伸，并包括第一分隔图案以及设置为平行于所述第一分隔图案的一对第二分隔图案；贯穿区，设置在所述一对第二分隔图案之间并包括穿透所述第二基板的下贯穿绝缘层以及依次堆叠在所述下贯穿绝缘层上的所述层间绝缘层和牺牲绝缘层；以及贯穿接触插塞，在所述第一方向上延伸穿过所述贯穿区并电连接到所述外围电路区的所述电路元件，其中所述牺牲绝缘层具有与所述栅电极相对的侧表面，以及其中所述第一分隔图案的端部比所述牺牲绝缘层的所述侧表面中的至少一些朝向所述贯穿区更多地突出。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一分隔图案的所述端部与所述牺牲绝缘层直接接触。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一分隔图案包括具有所述第一分隔图案的所述端部的第一阻隔图案以及从所述第一阻隔图案在所述第二方向上延伸的第一图案部分，以及其中所述第一阻隔图案包括与所述牺牲绝缘层的材料不同的材料。4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一阻隔图案和所述第一图案部分包括彼此不同的材料。5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二分隔图案的侧表面的部分与所述牺牲绝缘层直接接触。6.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述第二分隔图案包括：第二阻隔图案，具有所述第二分隔图案的所述侧表面的所述部分，和第二图案部分，在所述第二方向上分别从所述第二阻隔图案的两个端部延伸，以及其中所述第二阻隔图案包括与所述牺牲绝缘层的材料不同的材料。7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第二阻隔图案和所述第二图案部分包括彼此不同的材料。8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一分隔图案包括具有所述第一分隔图案的所述端部的第一阻隔图案以及从所述第一阻隔图案在所述第二方向上延伸的第一图案部分，以及其中所述第一图案部分具有在垂直于所述第二方向的第三方向上的朝向所述第一阻隔图案减小的宽度。9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一阻隔图案在所述第三方向上的宽度
小于所述第一图案部分在所述第三方向上的所述宽度。10.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一阻隔图案包括绝缘间隔物层和设置在所述绝缘间隔物层的内侧表面上的半导体层。11.一种半导体器件，包括：电路元件，设置在第一基板上；栅电极，设置在所述电路元件上的第二基板上并堆叠为在垂直于所述第二基板的上表面的第一方向上彼此间隔开；牺牲绝缘层，...
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