半导体器件制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：具有第一区域和第二区域的衬底；栅电极，堆叠在第一区域中并形成具有阶梯形状的焊盘区域，在第二区域中延伸不同的长度；层间绝缘层，与栅电极交替地堆叠；沟道结构，在第一区域中穿过栅电极并包括沟道层；分隔区域，在第一区域和第二区域中穿过栅电极；蚀刻停止层，设置于在第二区域中形成焊盘区域的栅电极当中的最上面的栅电极上，不与第一区域和分隔区域重叠；单元区域绝缘层，覆盖栅电极和蚀刻停止层；以及接触插塞，穿过第二区域中的单元区域绝缘层和蚀刻停止层并连接到焊盘区域中的栅电极。栅电极。栅电极。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本专利技术构思涉及半导体器件。

技术介绍

[0002]半导体器件是其功能取决于半导体材料的电子特性的电子部件。半导体器件正变得越来越小，并且需要高容量数据处理。因此，必须提高构成这样的半导体器件的半导体元件的集成度。具有垂直晶体管结构的半导体器件的集成度明显高于具有常规平面晶体管结构的半导体器件的集成度。

技术实现思路

[0003]本专利技术构思的至少一个示例实施方式提供了一种具有改善的可靠性的半导体器件。
[0004]根据本专利技术构思的一示例实施方式，一种半导体器件包括：具有第一区域和第二区域的衬底；栅电极，在第一方向上堆叠在衬底上并且在第一区域中彼此间隔开，栅电极沿着第二方向延伸到第二区域中不同的长度以形成具有阶梯形状的焊盘区域；层间绝缘层，与栅电极交替地堆叠；沟道结构，在第一区域中穿过栅电极，在第一方向上延伸并且包括沟道层；分隔区域，在第一区域和第二区域中穿过栅电极并在第二方向上延伸；蚀刻停止层，设置于在第二区域中形成焊盘区域的栅电极当中的最上面的栅电极上，不与第一区域和分隔区域重叠；单元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：具有第一区域和第二区域的衬底；多个栅电极，在所述第一区域中在第一方向上堆叠在所述衬底上并且彼此间隔开，所述栅电极沿着第二方向延伸到所述第二区域中不同的长度以形成具有阶梯形状的焊盘区域；多个层间绝缘层，与所述栅电极交替地堆叠；多个沟道结构，在所述第一区域中穿过所述栅电极，在所述第一方向上延伸并且包括沟道层；多个分隔区域，在所述第一区域和所述第二区域中穿过所述栅电极并在所述第二方向上延伸；蚀刻停止层，在所述第二区域中设置在形成所述焊盘区域的所述栅电极当中的在每个阶梯处最上面的栅电极上，不与所述第一区域和所述分隔区域重叠；单元区域绝缘层，覆盖所述栅电极和所述蚀刻停止层；以及多个接触插塞，在所述第二区域中穿过所述单元区域绝缘层和所述蚀刻停止层并在所述焊盘区域中连接到所述栅电极。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述蚀刻停止层与所述沟道结构的侧表面间隔开。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述蚀刻停止层在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上与所述分隔区域的侧表面间隔开。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述蚀刻停止层沿着所述焊盘区域连续地延伸以形成阶梯形状。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述蚀刻停止层包括金属氧化物。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极包括半导体材料。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极包括金属。8.根据权利要求7所述的半导体器件，进一步包括：多个虚设沟道结构，所述多个虚设沟道结构在所述第二区域中穿过所述栅电极，在所述第一方向上延伸并且包括所述沟道层。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述分隔区域包括导电层和设置在所述导电层与所述栅电极之间的分隔绝缘层。10.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括至少一个水平导电层，所述至少一个水平导电层水平地设置在所述衬底上并且在所述栅电极和所述层间绝缘层下方，并且设置为与所述沟道层直接接触。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述蚀刻停止层的端部与所述衬底的上表面接触。12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极和所述层间绝缘层形成在所述第一方向上堆叠的第一堆叠结构和第二堆叠结构，其中，所述蚀刻停止层包括在所述焊盘区域中分别位于所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构上的第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层。13.根据权利要求1所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宰求，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：