一种含氮化合物以及包含其的电子元件和电子装置制造方法及图纸

本申请属于有机发光材料领域，具体涉及一种含氮化合物以及包含其的电子元件和电子装置,该含氮化合物的结构如式1所示，其中，X选自O或S；m为0、1或2，n为0、1或2，且1≤m+n≤2。所述含氮化合物用于电子元件中，可提高电子元件的性能。性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
一种含氮化合物以及包含其的电子元件和电子装置


[0001]本申请属于有机发光材料
，具体提供一种含氮化合物以及包含其的电子元件和电子装置。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子元器件的应用范围越来越广泛。近年来，有机电致发光器件(OLED：Organic electroluminescent device)作为新一代显示技术逐渐进入人们的视野。该类电子元器件通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括能量转化层、位于能量转化层与阳极之间的空穴传输层、位于能量转化层与阴极之间的电子传输层。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向发光层移动，阳极侧的也向发光层移动，两者在发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，从激发态释放能量变为基态释放能量的过程对外发光。目前，有机电致发光器件仍存在性能差的问题，尤其是如何在保证低的驱动电压下，进一步提高器件的寿命或效率，仍是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的上述问题，本申请的目的在于提供一种含氮化合物以及包含其的电子元件和电子装置，该含氮化合物用于电子元件中，可提高电子元件的性能。
[0004]为了实现上述目的，本申请第一方面提供一种含氮化合物，具有如式1所示的结构：
[0005][0006]其中，X选自O或S；
[0007]Ar选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
[0008]L、L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～25的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3
‑
25的取代或未取代的亚杂芳基，且L1和L2不同时为单键；
[0009]m为0、1或2，n为0、1或2，且1≤m+n≤2；
[0010]Ar、L、L1和L2中的取代基以及R1、R2相同或不同，各自独立地选自：氘、氚、卤素基团、氰基、碳原子数为6～18的芳基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为2～10的烯基、碳
原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为6～18的芳氧基、碳原子数为6～18的芳硫基、三苯基硅基；
[0011]p1表示R1的个数，且选自0、1、2、3、4、5、6或7；当p1大于1时，任意两个R1相同或不同；任选地，任意相邻的两个R1形成环；
[0012]p2表示R2的个数，且选自0、1、2、3或4；当p2大于1时，任意两个R2相同或不同；任选地，任意相邻的两个R2形成环。
[0013]本申请第二方面提供一种电子元件，包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；所述功能层包含本申请第一方面所述的含氮化合物。
[0014]本申请第三方面提供一种电子装置，包括本申请第二方面所述的电子元件。
[0015]本专利技术的专利技术人在研究中发现，在N
‑
苯基类咔唑取代三芳胺形成的结构中，当咔唑基上连接有一个或两个F时，F具有强吸电子能力，可以降低母核结构上的电子云密度；同时在三芳胺上引入二苯并呋喃基/二苯并噻吩基等特定基团，并控制N
‑
苯基类咔唑基、二苯并呋喃/二苯并噻吩基这两类基团中的至少一个与N原子之间通过芳香基团连接，能够提高整个分子结构的扭曲度，改善化合物的分子构型，使本申请提供的化合物一方面具有较高的热稳定性，另一方面能有效降低电子的传输速度，阻挡器件中电子透过。本申请的含氮化合物作为电子阻挡层材料使用能提高OLED器件的性能，尤其是在保证器件具有较低驱动电压的情况下，提高器件的发光效率和使用寿命。
附图说明
[0016]图1是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
[0017]图2是本申请一种实施方式的第一电子装置的结构示意图。
[0018]图3是本申请一种实施方式的光电转化器件的结构示意图。
[0019]图4是本申请一种实施方式的第二电子装置的结构示意图。
[0020]附图标记说明
[0021]100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；320、空穴传输层；321、第一空穴传输层；322、第二空穴传输层；330、有机发光层；340、电子传输层；350、电子注入层；360、光电转化层；400、第一电子装置；500、第二电子装置。
具体实施方式
[0022]以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解地是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。
[0023]第一方面，本申请提供一种含氮化合物，该含氮化合物的结构如式1所示：
[0024][0025]其中，X选自O或S；
[0026]Ar选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
[0027]L、L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～25的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～25的取代或未取代的亚杂芳基，且L1和L2不同时为单键；
[0028]m为0、1或2，n为0、1或2，且1≤m+n≤2；
[0029]Ar、L、L1和L2中的取代基以及R1、R2相同或不同，各自独立地选自：氘、氚、卤素基团、氰基、碳原子数为6～18的芳基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为2～10的烯基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为6～18的芳氧基、碳原子数为6～18的芳硫基、三苯基硅基；
[0030]p1表示R1的个数，且选自0、1、2、3、4、5、6或7；当p1大于1时，任意两个R1相同或不同；任选地，任意相邻的两个R1形成环；
[0031]p2表示R2的个数，且选自0、1、2、3或4；当p2大于1时，任选地，任意两个R2相同或不同；任意相邻的两个R2形成环。
[0032]在本申请中，所采用的描述方式“各
……
独立地选自”与
“……
分别独立地为”和
“……
独立地选自”可以互换，均应做广义理解，其既可以是指在不同基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响，也可以表示在相同的基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响。举例来讲，“其中，各q独立地选自0、1、2或3，各R”独立地选自氢、氘、氟、氯”，其含义是：式Q
‑
1表示苯环上有q个取代基R”，各个R”可以相同也可以不同，每个R”的选项之间互不影响；式Q
‑
2表示联苯的每一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含氮化合物，其特征在于，该含氮化合物的结构如式1所示：其中，X选自O或S；Ar选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；L、L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～25的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3
‑
25的取代或未取代的亚杂芳基，且L1和L2不同时为单键；m为0、1或2，n为0、1或2，且1≤m+n≤2；Ar、L、L1和L2中的取代基以及R1、R2相同或不同，各自独立地选自：氘、氚、卤素基团、氰基、碳原子数为6～18的芳基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为2～10的烯基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为6～18的芳氧基、碳原子数为6～18的芳硫基、三苯基硅基；p1表示R1的个数，且选自0、1、2、3、4、5、6或7；当p1大于1时，任意两个R1相同或不同；任选地，任意相邻的两个R1形成环；p2表示R2的个数，且选自0、1、2、3或4；当p2大于1时，任意两个R2相同或不同；任选地，任意相邻的两个R2形成环。2.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，所述含氮化合物的结构如式1
‑
1或式1
‑
2所示：且式1
‑
2中，L2选自碳原子数为6～25的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～25的取
代或未取代的亚杂芳基。3.根据权利要求1或2所述的含氮化合物，其中，R1、R2相同或不同，且各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为6～15的芳基、碳原子数为5～12的杂芳基、碳原子数为3～7的三烷基硅基、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的氟代烷基、碳原子数为5～10的环烷基、碳原子数为1～4的烷硫基、碳原子数为1～4的烷氧基、碳原子数为6～12的芳氧基、碳原子数为6～12的芳硫基；优选地，R1、R2相同或不同，且各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为3～7的三烷基硅基、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的氟代烷基、碳原子数为5～10的环烷基。4.根据权利要求1或2所述的含氮化合物，其中，Ar选自碳原子数为6～25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～24的取代或未取代的杂芳基；优选地，Ar中的取代基选自：氘、氚、氟、氰基、碳原子数为6～15的芳基、碳原子数为3～12的杂芳基、碳原子数为3～7的三烷基硅基、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的氟代烷基、碳原子数为5～10的环烷基、碳原子数为1～4的烷硫基、碳原子数为1～4的烷氧基、碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：李林刚，南朋，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：