【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件以及评估该半导体器件的方法。技术背景在评估半导体器件的特性中，通过测量接触孔或者通孔的电阻检査导电性。那些在专利文献1和专利文献2中所描述的是至今已知的能够评估这种接触孔和通孔的导电特性的半导体器件。作为相关技术，专利文献l描述了在通孔被串联连接的情况下的半导体器件的检查图形。在图12中所示的半导体器件40中，与端子131在 同一层的上层互连111被电连接至下层互连121，并且进一步经由通孔 102连接到上层互连H2。类似地，经由通孔103至106，下层互连122、 上层互连113、下层互连123和上层互连114分别连接，从而端子131和 端子132被连接。专利文献2描述了一种半导体器件，其中，多个具有不同电阻值的 导电互连经由中间层电介质通过被堆叠而提供，并且每个导电互连的 两端被平行地连接到在堆叠方向上的相邻导电互连。通过跨过导电互 连的两端施加电压，在预先准备的当前值和测量值之间比较，并识别 断线来进行对半导体器件的评估。这种安排使多个TEG (测试元件组) 能够被垂直地堆叠，并且进一步地能够通过使用公共电极对多个TEG 同...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括： 多层互连结构，其中，互连层和过孔层被交替地堆叠；以及 多条通孔链，其由在所述过孔层中形成的多个通孔和在所述过孔层的上部和下部以及在所述通孔中提供的多个互连形成； 其中，在不同过孔层提供的所述通孔链被连接，以便于经由电极焊盘形成环，从而通过使用所述电极焊盘可同时测量在不同过孔层中提供的两条通孔链的电阻。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：工藤健司，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。