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本发明涉及一种具有经通孔环状连接的多个焊盘的半导体器件及评估方法。该半导体器件包括：多层互连结构，其中互连层和过孔层被交替地堆叠；以及多条通孔链，其由在所述过孔层中形成的多个通孔和在所述过孔层的上部和下部以及在所述通孔中提供的多个互连形成；...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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