【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于三极管的焊接结构。
技术介绍
在集成电路中都会涉及到电子元器件三极管的封装，尤其是场效应三极管MOSFET器件的封装，MOSFET器件因为具备输入阻抗高，反应速度 快，热稳定性好，驱动电路简单，通态电压低，耐压高，承受电路大等 优点得到了越来越多的应用。然而由于大功率MOSFET兼备了集成电路和 功率器件的特点，在后工序规模化封装生产时，必须解决15英寸以上的粗焊线与相当于大规模集成电路芯片之间的焊接损伤问题，以及电流密 度均匀分布问题。在大功率M0SFET器件场效应三极管封装过程中，现有技术要求在三 极管芯片上焊接三条粗焊线和一条相对较细的焊线，三条粗焊线的焊点 工艺中采用"一字型，，分布，其中三条粗焊线通过焊点一端连接于三极 管芯片，另一端连接于三极管封装管脚源极上， 一条细焊线通过焊点一 端连接于三极管芯片上，另一端连接于三极管封装框架的另一个管脚栅 极上，这对于键合设备来说，多根焊线之间长短一致、方向一致，简单 易行，但该焊接结构的缺点在于容易造成芯片应力过份集中，导致芯 片被打伤或者打裂，同时焊点过于集中，不利于提高MOSFET器件...
【技术保护点】
一种用于三极管的焊接结构，由三极管芯片、焊点、焊线、三极管封装管脚和三级管封装框架组成，其特征在于，所述的三极管芯片上焊接有三条粗焊线和一条相对较细的焊线，其中三条粗焊线的焊点采用“三角形”结构分布。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林德辉，
申请(专利权)人：广州友益电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：81[中国|广州]
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