一种有效抑制浪涌电压的IGBT模块制造技术

本实用新型专利技术公开一种有效抑制浪涌电压的IGBT模块，该IGBT模块包括IGBT模块本体和连接在IGBT模块本体端部的引脚，所述IGBT模块本体包括底板、焊接于底板上的基板、设置于基板上的IGBT芯片和二极管芯片以及扣合于底板上的外壳，且IGBT芯片和二极管芯片的电极通过设置在基板上的电路线与引脚连接。籍此，通过将IGBT芯片和二极管芯片组合组装成IGBT模块，由二极管消除IGBT芯片关断时瞬间产生的浪涌电压，将浪涌电压抑制在IBGT的电压等极范围内，避免IGBT芯片因过压而被击穿烧毁的情况，从而有效保证了IGBT芯片可靠运行，确保IGBT芯片的安全。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电力电子元器件领域技术，尤其是指一种有效抑制IBGT关断浪涌电压的IGBT模块。
技术介绍
由于绝缘棚双极晶体管(IGBT)具有易驱动、开关频率高、外壳绝缘等优点，目前已成为汽车电子、电磁炉等系列大电流、大功率电路的主流开关器件。IGBT的电压等极 (Vces)是其承受正向阻断电压的极限值，超过该值IGBT就会被击穿烧毁，因此IGBT运行中抑制IGBT的尖峰电压是关系到整个开关器件系统使用可靠性的一个重要指标。在IGBT的使用过程中，与IBTG电连接的电路存在杂散电感，IGBT元件内部存在分布电感，因此IGTB关断时会产生一高于母线直流电压的尖峰电压，其中超出母线电压的部分称为关断过压或关断浪涌电压。以600V/400A的IGBT模块为例，当母线电压采用350V 系统时，如果驱动电机的相电流有效值达到250A时，电机驱动系统产生的关断浪涌电压就很容易超过250V，这样直流母线电压的电压尖峰值就超过了 IGBT的电压等级600V，IGBT就会过压击穿烧毁，所以设计一种有效抑制IGBT的关断浪涌电压的电路保护IBGT元件是很有必要的。
技术实现思路
有鉴于此，本技术针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种有效抑制浪涌电压的IGBT模块，从而将电压抑制在IGBT的电压等极范围内，保证IGBT模块的安全。为实现上述目的，本技术采用如下之技术方案一种有效抑制浪涌电压的IGBT模块，该IGBT模块包括IGBT模块本体和连接在 IGBT模块本体端部的引脚，所述IGBT模块本体包括底板、焊接于底板上的基板、设置于基板上的IGBT芯片和二极管芯片以及扣合于底板上的外壳，所述IGBT芯片和二极管芯片的电极分别与引脚连接。作为一种优选方案，所述IGBT芯片和二极管芯片通过电路线与引脚连接。作为一种优选方案，所述基板下端一侧设有一体积较大的第一容置腔，另一侧设有一体积较小的第二容置腔，IGBT芯片置于第一容置腔中，二极管芯片置于第二容置腔中。作为一种优选方案，所述基板内部设置有多条电路线，各电路线的一端露出在基板表面与IGBT芯片和二极管芯片的电极电连接，另一端与引脚连接。作为一种优选方案，所述底板上设有数个卡块，所述外壳上设有数个与卡块相配合的卡槽，各卡块对应与各卡槽相扣合。作为一种优选方案，所述引脚有三个，分别为集电极、发射极和栅极。作为一种优选方案，所述IGBT模块上设有一贯穿上下表面的通孔。本技术采用上述技术方案后，其有益效果在于，通过将IGBT芯片和二极管芯片组合组装成IGBT模块，由二极管消除IGBT芯片关断时瞬间产生的浪涌电压，将浪涌电压抑制在IBGT的电压等极范围内，避免IGBT芯片因过压而被击穿烧毁的情况，从而有效保证了 IGBT芯片可靠运行，确保IGBT芯片的安全。 为更清楚地阐述本技术的结构特征和功效，以下结合附图与具体实施例来对本技术进行详细说明。附图说明图1是本技术之实施例的组装结构主视图；图2是本技术之实施例的内部结构主视图。附图标识说明100、IGBT 模块10、IGBT模块本体11、底板111、第一通孔112、第一卡块113、第二卡块114、第三卡块12、基板121、第一容置腔122、第二容置腔123、电路线端部13、IGBT 芯片14、二极管芯15、外壳151、第二通孔20、引脚。具体实施方式请参见图3所示，其显示出了本技术之实施例的具体结构，该IGBT模块100 包括IGBT模块本体10和与IGBT模块本体10端部连接的引脚20。所述IGBT模块本体10 为长方体状，其包括底板11、焊接于底板11上的基板12、设置于基板12上的IGBT芯片13 和二极管芯14片以及扣合于底板上的外壳15。具体而言，所述底板11由铜合金材料制成，该底板11中部偏上具有第一通孔111， 而第一通孔111的左右两侧设有一组相互对称的第一卡块112，底板11中部左右两侧向上设有一组相互对称的第二卡块113，底板11顶端边缘两侧设有一组第三卡块114。所述基板12位于第一通孔111的下边，其是由陶瓷覆铜材料制成，该基板12下端的表面左侧设有一体积较大的第一容置腔121，右侧设有一体积较小的第二容置腔122，具于基板12内部设置有多条由电导体材料制成的电路线，各电路线端部123露出在基板12 表面，另一端部分别与对应的引脚连接。所述IGBT芯片13和二极管芯片14为长方块状，且IGBT芯片13的体积比二极管芯片14的体积要大，该IGBT芯片13对应组装在基板12的第一容置腔121中，IGBT具有三个电极，各电极对应与基板11中的引电路组端部123电性接触；所述二极管芯片14对应组装在基板12的第二容置腔122中，其具有两个电极，各电极也对应与基板12中的电路线端部123电性接触。所述外壳15中部偏上对应底板11的第一通孔111设有第二通孔151，第二通孔 151两侧的外壳内壁设有一组相互对称的第一卡槽，该第一卡槽与上述第一卡块112相扣合；外壳15左右两侧向下设有一组相互对称的第二卡槽，该第二卡槽与上术第二卡块113相扣合；外壳15顶端边缘两侧设有一组第三卡槽，该第三卡槽与上述第三卡块114相扣合， 从而外壳将IGBT芯片13和二极管芯片14压紧在基板12上。所述引脚20有三个，用于与电路板焊接，该三个引脚20均设置在IGBT模块本体 10的下方，且相邻两引脚20之间保持一定距离，使之能够顺利地插入到电路板的插孔中。 其中，中间的引脚是集电极C、左边的引脚是栅极G、右边的引脚是发射极E，集电极C直接与底板一体连接，而栅极G和发射极E分别与基板中的电路线连接。本技术的设计重点在于，通过将IGBT芯片和二极管芯片组合组装成IGBT模士夬，由二极管消除IGBT芯片瞬间产生的浪涌电压，将浪涌电压抑制在IBGT的电压等极范围内，避免IGBT芯片因过压而被击穿烧毁的情况，从而有效保证了 IGBT芯片可靠运行，确保 IGBT芯片的安全。以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，并非对本技术的技术范围作任何限制，故凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围内。权利要求1.一种有效抑制浪涌电压的IGBT模块，该IGBT模块包括IGBT模块本体和连接在IGBT 模块本体端部的引脚，其特征在于所述IGBT模块本体包括底板、焊接于底板上的基板、设置于基板上的IGBT芯片和二极管芯片以及扣合于底板上的外壳，所述IGBT芯片和二极管芯片的电极分别与引脚连接。2.根据权利要求1所述的一种有效抑制浪涌电压的IGBT模块，其特征在于所述IGBT 芯片和二极管芯片通过电路线与引脚连接。3.根据权利要求1所述的一种有效抑制浪涌电压的IGBT模块，其特征在于所述基板下端一侧设有一体积较大的第一容置腔，另一侧设有一体积较小的第二容置腔，上述IGBT 芯片置于第一容置腔中，二极管芯片置于第二容置腔中。4.根据权利要求1所述的一种有效抑制浪涌电压的IGBT模块，其特征在于所述基板内部设置有多条电路线，各电路线的一端露出在基板表面与IGBT芯片和二极管芯片的电极电连接，另一端与引脚连接。5.根据权利要求1所述的一种有效抑制浪涌本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种有效抑制浪涌电压的ＩＧＢＴ模块，该ＩＧＢＴ模块包括ＩＧＢＴ模块本体和连接在ＩＧＢＴ模块本体端部的引脚，其特征在于：所述ＩＧＢＴ模块本体包括底板、焊接于底板上的基板、设置于基板上的ＩＧＢＴ芯片和二极管芯片以及扣合于底板上的外壳，所述ＩＧＢＴ芯片和二极管芯片的电极分别与引脚连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯子刚，
申请(专利权)人：广州友益电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：81