太阳电池及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种用于接触含有一层或者多层温度敏感钝化层的太阳晶片的方法，其通过首先在钝化层中产生局部开口并且然后利用导电材料填充该开口。以此方式，能够避免在用于接触含有一个或者多个钝化层的太阳晶片的传统方法中需要的相对的高温度，并且因此在接触期间和在解除期间之后保持新研制出来的温度敏感钝化层的优良钝化性质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及太阳电池的制造。更加具体地，本专利技术涉及用于实现 提高的太阳电池能量转换效率的概念，以及用于制造这种具有提高的 效率的太阳电池的方法。
技术介绍
裸硅样品含有很多表面状态是公知的；在该表面状态下注射或者 光生少数载流子能够复合。因此，在其中少数载流子的输送对于高效 操作而言至关重要的器件，例如在硅基太阳电池中，通过表面钝化技 术降低表面复合速率是一个关键问题。在硅基太阳电池钝化方面，近期的进展显示出非常有希望的结果； 在硅晶片表面上使用无定形硅膜和氮化硅膜的组合体。在韩国专利申 请No.2002-0018204中公开了这种硅基太阳电池组合钝化的使用。更 加具体地，该专利申请公开了如下内容沉积在l-20nm范围的厚度的 第一无定形硅层，随后沉积折射率在1.9-2.3的范围中的氮化硅层。两 个层均可以利用PECVD (等离子体增强化学气相沉积)沉积，并且它 应该至少被施加到太阳电池的光线接收侧。通过在沉积第二氮化硅层之后引入退火步骤，本专利技术人已经改进 了韩国专利申请No.2002-0018204的钝化技术。在美国临时申请US 60/671,081中并且在Andrea本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于接触金属半导体晶片的方法，　其中所述晶片具有　－在所述晶片一侧上的具有一种导电类型（ｐ－或者ｎ－型）的至少一个薄扩散层，并且整体所述晶片具有另一种导电类型（ｎ－或者ｐ－型），以及　－在第一（光线接收侧）或者第二（后 侧）表面的至少一个上沉积的至少一个表面钝化层／膜，　其特征在于　－通过局部地移除所述至少一个钝化层以暴露出下面的所述半导体晶片的表面从而在所述至少一个钝化层中产生至少一个开口，从而形成接触部位，并且然后　－通过以抗ＵＶ光并 且能在至少高达大约１５０到２５０℃的温度下发挥作用的导电材料填充所述至少一个钝化层中...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃里克萨乌尔，安德烈亚斯本特森，
申请(专利权)人：可再生能源公司，
类型：发明
国别省市：NO[挪威]