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本发明涉及一种用于接触含有一层或者多层温度敏感钝化层的太阳晶片的方法，其通过首先在钝化层中产生局部开口并且然后利用导电材料填充该开口。以此方式，能够避免在用于接触含有一个或者多个钝化层的太阳晶片的传统方法中需要的相对的高温度，并且因此在接触...
该专利属于可再生能源公司所有，仅供学习研究参考，未经过可再生能源公司授权不得商用。

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