一种基板处理方法及装置，该方法在具有板且用处理液对基板实施处理的基板处理装置中执行，板具有与基板一个面隔开间隔而相对的相对面，该方法包括：前供给液液封工序，使前供给液通过与基板中心相对而形成在相对面上的喷出口供给至基板一个面与板之间，且通过前供给液使基板一个面与板之间的空间成为液封状态，前供给液相对基板及板的接触角小于处理液相对基板及板的接触角；处理液置换工序，在通过前供给液使空间成为液封状态后，通过向基板一个面与板之间供给处理液，一边将空间内维持为液封状态，一边将空间内的前供给液置换为处理液；处理液接触工序，在将前供给液置换后，通过处理液使空间成为液封状态，使处理液与基板一个面接触。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。处理对象的基板包括半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子显示器用玻璃基板、FED(Filed Emission Display:场致发射显示器)用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、 光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板等基板。
技术介绍
在半导体装置和液晶显示装置的制造工序中，为了在半导体晶片、液晶 显示面板用玻璃基板等基板的表面利用处理液实施处理，存在使用逐个处理基板的单张式基板处理装置的情况。这种基板处理装置例如具有基板保持 构件，其用于将基板保持为近似水平；板，其与基板保持构件所保持的基板 的表面隔开规定的微小间隔而相对配置；喷出口，其形成在板的与基板相对 的相对面上，且喷出处理液(例如，JP特开平8-78368号公报)。从喷出口 喷出的处理液被供给至基板表面与板之间的空间，使该空间形成液封(液密) 状态。因为基板表面与板之间的空间通过处理液而形成液封状态，所以基板 的整个表面与处理液相接。由此，在基板表面利用处理液实施处理。但是，因为在处理液(例如纯水)与空气之间容易形成气液界面，所以 在通过处理液使基板表面与板之间的空间成为液封状态的过程中，会出现下 述情况，即，原来存在于基板表面与板之间的空间中的空气被封闭在该空间 中。结果，可能在液封状态下的该空间中存在气泡。在存在气泡的区域中，不能使处理液接触基板表面，从而可能无法进行 预期的处理。因此，在基板表面内通过处理液进行的处理可能变得不均匀。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基板处理方法以及基板处理装置，能够抑制 或防止气体混入处理液的液封空间，从而能够在基板的整个一个面内，使用 处理液均匀地实施处理。4本专利技术的基板处理方法，在具有板并且利用处理液对基板实施处理的基 板处理装置中执行，所述板具有与基板的一个面隔开间隔而相对的相对面， 该方法包括前供给液液封工序，使前供给液通过与基板的中心相对而形成 在所述相对面上的喷出口，供给至基板的一个面与所述板之间，并且通过前 供给液使基板的一个面与所述板之间的空间形成为液封状态，所述前供给液 相对于所述基板以及所述板的接触角小于所述处理液相对于所述基板以及所 述板的接触角；处理液置换工序，在通过前供给液使所述空间形成为液封状 态之后，通过向基板的一个面与所述板之间供给处理液，从而一边将该空间 内维持为液封状态， 一边将该空间内的前供给液置换为处理液；处理液接触 工序，在对前供给液进行置换之后，通过处理液使所述空间形成为液封状态， 而使该处理液与基板的一个面相接触。本专利技术的基板处理装置，利用处理液对基板实施处理，该装置包括板， 其具有与基板的一个面隔开间隔而相对的相对面，并且在该相对面上形成有 喷出口；前供给液供给单元，其用于将前供给液供给至所述喷出口，所述前供给液相对于所述基板以及所述板的接触角小于所述处理液相对于所述基板以及所述板的接触角；处理液供给单元，其用于向基板的一个面与所述板之 间供给处理液；控制单元，其控制所述前供给液供给单元，通过前供给液使 基板的一个面与所述板之间的空间形成为液封状态，并且控制所述处理液供 给单元，将所述空间内的前供给液置换为处理液，从而通过处理液使所述空 间形成为液封状态。在基板的一个面与处理液接触之前，基板的一个面与板之间的空间通过 前供给液暂时形成为液封状态。因为与处理液相比，前供给液与基板以及板 相接触的接触角小，所以供给至所述空间的前供给液很好地浸润基板以及板， 因此与其周围的气体之间不易形成气液界面。因此，在所述空间中，空气比 较容易移动。因此，通过供给至所述空间内的处理液，将原来存在于空间内 的气体顺利地挤出至所述空间外。因此，在通过前供给液而形成为液封状态 后的所述空间中，几乎不存在气泡。然后，在将所述空间维持为液封状态不变的状态下，将所述空间内的前 供给液置换为处理液。然后，通过处理液使所述空间形成为液封状态，从而 利用处理液对基板实施处理。因为一边将所述空间维持为液封状态， 一边实施从前供给液向处理液的置换，所以在通过处理液而形成为液封状态后的所 述空间中，也几乎不存在气泡。由此，能够使处理液均匀地接触基板的整个 一个面。因此，能够对基板的整个面均匀地实施处理。作为前供给液能够使用IPA (异丙醇)、乙醇、甲醇等醇溶剂、HFE (氢 氟醚)等氟类溶剂、以及包含界面活性剂的液体等。优选所述处理液置换工序中的处理液的供给连续于所述前供给液液封工 序中的前供给液的供给而执行。在该情况下，在向所述空间供给前供给液之 后，继续向所述空间供给处理液。由此，不会混入新的气泡，从而能够将所 述空间维持为液封状态。所述处理液置换工序也可以包括使前述处理液通过用于将前供给液供给 至所述喷出口的配管以及所述喷出口 ，而供给至基板的一个面与所述板之间 的工序。在该情况下，因为通过公共的配管向所述空间喷出前供给液与处理 液，所以配管内几乎不残留前供给液。因此，能够防止从配管滴落的前供给 液污染基板。另外，因为从公共的喷出口喷出前供给液与处理液，所以几乎不存在供 给至所述空间的处理液阻碍所述空间中的液体的流动的可能性。由此，在处 理液置换工序中，不会混入新的气泡，从而能够将所述空间维持为液封状态。也可以使用石英形成所述板的至少与基板的一个面相对的区域。在该情 况下，因为板的至少与基板的一个面相对的区域由作为亲水性材料的石英制 成，所以供给至基板的一个面与板之间的前供给液更好地浸润板。由此，能 够更加可靠地从所述空间去除气泡。参照附上的附图且根据下面所述实施方式的说明，本专利技术所述的或其他 的目的、特征以及效果将更加明确。附图说明图1是以图解方式表示本专利技术一实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。图2A是基板下保持构件的立体图。图2B是以图解方式表示基板下保持构件的结构的俯视图。 图3是表示基板处理装置的电气结构的框图。图4是用于说明在基板处理装置中实施的处理例的流程图。图5A 图5D是用于说明在基板处理装置中实施的处理例的图。 具体实施例方式图1是以图解方式表示本专利技术一实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。该基板处理装置为一种单张式装置，其对作为基板的一个例子的半导体 晶片(以下仅称作"晶片")W的表面以及背面两者利用处理液实施处理，所述基板处理装置具有有底的大致圆筒形状的基板下保持构件1，其用于 保持晶片W;圆板状的上板2，其在基板下保持构件1的上方，与基板下保 持构件1相对配置。用于对晶片W的表面以及背面实施处理的处理液例如可 以使用药液以及DIW (去离子纯水)。该药液例如可以使用氢氟酸、缓冲氢氟酸(Buffered HF:氢氟酸与氟化铵的混合液)、SC1 (铵过氧化氢水溶液)、 SC2 (盐酸过氧化氢水溶液)、SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture:硫酸过氧化氢水溶液)以及聚合物去除液等。图2A是基板下保持构件的立体图，图2B是以图解方式表示基板下保持 构件1的结构的俯视图。图2A表示在基板下保持构件1上保持晶片W的状 态。参照图1、图2A以及图2B，基板下保持构件1具有下板部4，其形 成为比晶片W的直径略大的圆板状；内侧环状部5，其与下板部4相邻且形 成为本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基板处理方法，在具有板并且利用处理液对基板实施处理的基板处理装置中执行，所述板具有与基板的一个面隔开间隔而相对的相对面，其特征在于，包括： 前供给液液封工序，使前供给液通过与基板的中心相对而形成在所述相对面上的喷出口，供给至基板的 一个面与所述板之间，并且通过前供给液使基板的一个面与所述板之间的空间形成为液封状态，所述前供给液相对于所述基板以及所述板的接触角小于所述处理液相对于所述基板以及所述板的接触角； 处理液置换工序，在通过前供给液使所述空间形成为液封状态之 后，通过向基板的一个面与所述板之间供给处理液，从而一边将该空间内维持为液封状态，一边将该空间内的前供给液置换为处理液； 处理液接触工序，在对前供给液进行置换之后，通过处理液使所述空间形成为液封状态，而使该处理液与基板的一个面相接触。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：内田博章，前川直嗣，阿野诚士，
申请(专利权)人：大日本网屏制造株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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