【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高热流密度沸腾强化换热技术，特别涉及高热流密度微电子芯片高效冷却 技术，具体为。
技术介绍
随着微电子技术的迅速发展，电子产品趋向于高性能、便携式、微小型化的方向发展。 而电子器件特征尺寸的不断减少以及芯片的集成度和回路工作频率的不断提高，导致芯片 的热流密度也迅速提高，并已经成为当前制约高集成度芯片技术发展的首要问题。据估计， 在不远的将来，芯片的热流密度可高达l(^W/cn^以上，如果产生的这些热量不及时散出， 将使芯片的温度升高而影响到电子器件的寿命及工作的可靠性，芯片正常工作的上限温度 为85°C，调査研究表明超过这一临界温度l(TC，系统工作可靠性将降低50%。因此电子 元器件可靠性的改善，功率容量的增加以及结构的微小型化等都直接取决于芯片本身热控 制的完善程度，即芯片散热方式已成为获得电子器件新一代产品的关键问题之一。由于芯片的冷却问题己越来越突出，传统的风冷技术面对日益猛增的芯片散热量而变 得难以适用。目前，将芯片直接浸没在不导电液体中，利用沸腾相变传热对其进行冷却， 是一种非常有前景的方式。但是由于不导电液体普遍具有较高的壁面润湿特...
【技术保护点】
一种芯片的沸腾强化换热结构，其特征在于，在芯片的表面腐蚀出多个柱状结构的凸台，带有凸台的芯片表面溅射有ＳｉＯ↓［２］层，ＳｉＯ↓［２］层腐蚀为多孔结构。
【技术特征摘要】
1、一种芯片的沸腾强化换热结构，其特征在于，在芯片的表面腐蚀出多个柱状结构的凸台，带有凸台的芯片表面溅射有SiO2层，SiO2层腐蚀为多孔结构。2、 根据权利要求l所述的一种芯片的沸腾强化换热结构，其特征在于,所述凸台均匀 分布在芯片的表面。3、 根据权利要求1所述的一种芯片的沸腾强化换热结构，其特征在于，所述凸台为 圆柱状，其高度为50yrn 300ym，直径为10ym 100um，相邻凸台间中心点距离为直 径的1.5~2.5倍。4、 根据权利要求1所述的一种芯片的沸腾强化换热结构，其特征在于，所述凸台为 方柱状，其高度为50um 300um，凸台上表面的边长为10um 100um，相邻凸台间中 心点距离为边长的1.5~2.5倍。5、 根据权利要求1所述的一种芯片的沸腾强化换热结构，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏进家，薛艳芳，方嘉宾，高秀峰，袁敏哲，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]
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