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本发明涉及高热流密度沸腾强化换热技术，特别涉及高热流密度微电子芯片高效冷却技术，具体为一种芯片的沸腾强化换热结构及其制作方法，具体为：在芯片的表面腐蚀出多个柱状结构的凸台，带有凸台的芯片表面溅射有ＳｉＯ↓［２］层，ＳｉＯ↓［２］层腐蚀为多孔...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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